VTB1112BH – Si PD, TO-46 mit integrierter Linse, 1,6 mm2, IR-Filter
Die VTB1112BH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-46-Gehäuse mit integrierter Linse und schmalen Erfassungsbereich. Die Photodiode verfügt über einen integrierten IR-Sperrfilter zur Anpassung der spektralen Empfindlichkeit auf den sichtbaren Teil des Spektrums und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei geringem Dunkelstrom auf.
Die VTB1112BH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-46-Gehäuse mit integrierter Linse und einer aktiven Fläche von 1,6 mm2.
Diese Photodiode ist in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, kann aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung verwendet werden. Sie wurde so konstruiert, dass sie einen sehr hohen Shuntwiderstand aufweist – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer Spektralbereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Umgebungslichtsensorik
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
Aktive Fläche: 1,6 mm2
Kurzschlußstrom: min. 3 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 100 pA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 0,31 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 330 nm bis 720 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 580 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,29 A/W
Erfassungsbereich: ±15 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Aktive Fläche: 1,6 mm2
Kurzschlußstrom: min. 3 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 100 pA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 0,31 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 330 nm bis 720 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 580 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,29 A/W
Erfassungsbereich: ±15 Grad bei 50 % Signal (FWHM)