TEIL/ VTB5051BH
VTB5051BH – Si PD, TO-5, 14,8 mm2, IR-Filter
Die VTB5051BH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5-Gehäuse ohne Linse. Die Photodiode verfügt über einen integrierten IR-Sperrfilter zur Anpassung der spektralen Empfindlichkeit auf den sichtbaren Teil des Spektrums und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem geringem Dunkelstrom auf.
Die VTB5051BH Silizium-Photodiode bietet eine aktive Fläche von 14,8 mm2 mit einem eingebauten IR-Sperrfilter, um die spektrale Empfindlichekti auf den sichtbaren Teil des Spektrums anzupassen.
Diese Photodiode ist in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, kann aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung verwendet werden. Sie wurde so konstruiert, dass sie einen sehr hohen Shuntwiderstand aufweist – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer Spektralbereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Umgebungslichtsensorik
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
- Aktive Fläche: 14,8 mm2
- Kurzschlußstrom: min. 8 µA bei 100 fc, 2850 K
- Dunkelstrom: max. 250 pA bei 2 V Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 3 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 330 nm bis 720 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 580 nm
- Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,29 A/W
- Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
- Aktive Fläche: 14,8 mm2
- Kurzschlußstrom: min. 8 µA bei 100 fc, 2850 K
- Dunkelstrom: max. 250 pA bei 2 V Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 3 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 330 nm bis 720 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 580 nm
- Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,29 A/W
- Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)