VTB5051JH – Si-PD, TO-5, 14,8 mm2, isoliertes Gehäuse
Das Modell VTB5051JH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5-Gehäuse mit flachem Fenster, bei dem der Photodiodenchip vom Gehäuse isoliert ist. Diese Photodiode bietet eine höhere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem niedrigem Dunkelstrom.
Diese blau-verstärkte Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5-Flachfenstergehäuse bietet eine aktive Fläche von 14,8 mm2 bei einem optimalen Spektralbereich zwischen 320 nm und 1100 nm.
Diese Serie von planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden wurde für eine optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren Bereich des Spektrums entwickelt. Die Photodioden sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, können aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung betrieben werden. Sie wurden außerdem so konstruiert, dass sie einen sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich von UV bis naher IR-Bereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- UV- und Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
Aktive Fläche: 14,8 mm2
Kurzschlußstrom: min. 85 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 250 pA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 3 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Aktive Fläche: 14,8 mm2
Kurzschlußstrom: min. 85 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 250 pA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 3 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)