VTB5051UVH – Si-PD, TO-5, 14,8 mm2, UV-Fenster
Das Modell VTB5051UVH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen, UV-durchlässigen TO-5-Gehäuse mit flachem Eintrittsfenster. Diese Photodiode bietet ein erhöhte Empfindlichkeit im UV-Spektralbereich und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei niedrigem Dunkelstrom auf.
Diese UV-verstärkte Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5-Gehäuse mit flachem,UV-transparentem Eintrittsfenster bietet eine aktive Fläche von 14,8 mm2 bei einem optimalen Spektralbereich zwischen 200 nm und 1100 nm.
Diese Serie planarer P-auf-N-Silizium-Photodioden wurde für eine optimale Empfindlichkeit im UV- und im gesamten sichtbaren Bereich des Spektrums entwickelt. Die Photodioden sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, können aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung betrieben werden. Sie weisen einen sehr hohen Shuntwiderstand auf – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich von UV bis naher IR-Bereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- UV- und Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
Aktive Fläche: 14,8 mm2
Kurzschlußstrom: min. 85 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 250 pA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 3 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 200 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
Empfindlichkeit bei 365 nm: typ. 0,1 A/W
Empfindlichkeit bei 220 nm: min. 0,038 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Aktive Fläche: 14,8 mm2
Kurzschlußstrom: min. 85 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 250 pA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 3 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 200 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
Empfindlichkeit bei 365 nm: typ. 0,1 A/W
Empfindlichkeit bei 220 nm: min. 0,038 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)