TEIL/ VTB5051UVJH
VTB5051UVJH – Si-PD, TO-5, 14,8 mm2, isoliertes Gehäuse, UV-Fenster
Die VTB5051UVJH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5 UV-durchlässigen Gehäuse mit flachem Eintrittsfenster, bei dem der Photodiodenchip vom Gehäuse isoliert ist. Diese Photodiode bietet ein erhöhte Empfindlichkeit im UV-Spektralbereich und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei niedrigem Dunkelstrom auf.
Diese UV-verstärkte Silizium-Photodiode bietet eine 14,8 mm2 aktive Fläche und ist für eine optimale Spektralempfindlichkeit zwischen 200 nm und 1100 nm ausgelegt.
Diese Serie planarer P-auf-N-Silizium-Photodioden wurde für ein optimales Ansprechverhalten im UV- und sichtbaren Bereich des Spektrums entwickelt. Die Photodioden sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, können aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung betrieben werden. Sie wurden außerdem so konstruiert, dass sie einen sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich von UV bis naher IR-Bereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- UV- und Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
- Aktive Fläche: 14,8 mm2
- Kurzschlußstrom: min. 85 µA bei 100 fc, 2850 K
- Dunkelstrom: max. 250 pA bei 2 V Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 3 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 200 nm bis 1100 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
- Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
- Empfindlichkeit bei 365 nm: typ. 0,1 A/W
- Empfindlichkeit bei 220 nm: min. 0,038 A/W
- Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
- Aktive Fläche: 14,8 mm2
- Kurzschlußstrom: min. 85 µA bei 100 fc, 2850 K
- Dunkelstrom: max. 250 pA bei 2 V Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 3 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 200 nm bis 1100 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
- Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
- Empfindlichkeit bei 365 nm: typ. 0,1 A/W
- Empfindlichkeit bei 220 nm: min. 0,038 A/W
- Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)