TEIL/ VTB6061CIEH
VTB6061CIEH – Si-PD, TO-8, 37,7 mm2, CIE-Kurvenfilter
Die VTB6061CIEH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetisch dichten TO-8 Gehäuse mit flachem Eintrittsfenster. Diese Photodiode hat einen eingebauten Filter, so dass ihre Spektralempfindlichkeit der des menschlichen Auges entspricht. Sie weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei niedrigem Dunkelstrom auf.
Die VTB6061CIEH Silizium-Photodiode bietet eine aktive Fläche von 37,7 mm2 und ist in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, kann aber auch mit einer kleinen Sperrvorspannung verwendet werden. Diese Photodiode wurde so konstruiert, dass sie einen sehr hohen Shuntwiderstand aufweist – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer Spektralbereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Umgebungslichtsensorik
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
- Aktive Fläche: 37,7 mm2
- Photometrische Empfindlichkeit: min. 75 nA/fc bei 1 fc
- Dunkelstrom: max. 2 nA bei 2 V Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 8,0 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 460 nm bis 675 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 555 nm
- Erfassungsbereich: ±55 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
- Aktive Fläche: 37,7 mm2
- Photometrische Empfindlichkeit: min. 75 nA/fc bei 1 fc
- Dunkelstrom: max. 2 nA bei 2 V Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 8,0 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 460 nm bis 675 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 555 nm
- Erfassungsbereich: ±55 Grad bei 50 % Signal (FWHM)