VTB6061H – Si-PD, TO-8, 37,7 mm2
Die VTB6061H ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-8-Gehäuse mit flachem Fenster. Mit einem verbesserten Ansprechverhalten im blauen Spektralbereich weist diese Photodiode einen sehr hohen Shuntwiderstand bei niedrigem Dunkelstrom auf.
Diese Silizium-Photodiode bietet eine aktive Fläche von 37,7 mm2 und ist für eine optimale spektrale Empfindlichkeit zwischen 320 nm und 1100 nm ausgelegt.
Diese Serie von planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden wurde für eine optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren Bereich des Spektrums entwickelt. Die Photodioden sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, können aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung betrieben werden. Sie wurden außerdem so konstruiert, dass sie einen sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich von UV bis naher IR-Bereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- UV- und Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
Aktive Fläche: 37,7 mm2
Kurzschlußstrom: min. 260 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 2 nA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 8 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
Erfassungsbereich: ±55 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Aktive Fläche: 37,7 mm2
Kurzschlußstrom: min. 260 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 2 nA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 8 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
Erfassungsbereich: ±55 Grad bei 50 % Signal (FWHM)