Blau-verstärkte Silizium-Photodioden von Excelitas
TEIL/ VTB8341H

VTB8341H – Si-PD, Keramik, 5,16 mm2

Die VTB8341H ist eine blau-verstärkte Silizium-Photodiode in einem Keramikgehäuse, das mit einer klarem Epoxidverkapselung geschützt ist. Diese Photodiode bietet eine höhere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem niedrigem Dunkelstrom.

Diese blau-verstärkte Silizium-Photodiode wird in einem Keramikgehäuse geliefert, das mit einer dicken Epoxidschicht versehen ist. Sie bietet eine aktive Fläche von 5,16 mm2 und eine Spektralempfindlichkeit zwischen 320 und 1100 nm.

Diese Serie von planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden wurde für eine optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren Bereich des Spektrums entwickelt. Die Photodioden sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, können aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung betrieben werden. Sie wurden außerdem so konstruiert, dass sie einen sehr hohen Shuntwiderstand aufweisen – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.

Hauptmerkmale:

  • Spektralbereich von UV bis naher IR-Bereich
  • 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
  • Extrem geringer Dunkelstrom
  • Sehr hoher Shuntwiderstand
  • RoHS-konform

Anwendungen:

  • UV- und Blaulichterkennung
  • Lichtmessung
  • Flammenüberwachung
  • Photometrie

  • Aktive Fläche: 5,16 mm2
  • Kurzschlußstrom: min. 35 µA bei 100 fc, 2850 K
  • Dunkelstrom: max. 100 pA bei 2 V Sperrvorspannung
  • Sperrschichtkapazität: typ. 1,0 nF bei 0 V Vorspannung
  • Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
  • Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
  • Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
  • Erfassungsbereich: ±60 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
  • Aktive Fläche: 5,16 mm2
  • Kurzschlußstrom: min. 35 µA bei 100 fc, 2850 K
  • Dunkelstrom: max. 100 pA bei 2 V Sperrvorspannung
  • Sperrschichtkapazität: typ. 1,0 nF bei 0 V Vorspannung
  • Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
  • Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
  • Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
  • Erfassungsbereich: ±60 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Schließen