VTB8440BH – Si-PD, 8 mm Keramik, 5,16 mm2, IR-Filter
Die VTB8440BH ist eine blau-verstärkte Silizium-Photodiode in einem 8 mm Keramikgehäuse, das mit einer klaren Epoxidschicht geschützt ist. Die Photodiode verfügt über einen integrierten IR-Sperrfilter zur Anpassung der spektralen Empfindlichkeit auf den sichtbaren Teil des Spektrums und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem geringem Dunkelstrom auf.
Die blauverstärkte Silizium-Photodiode VTB8440BH bietet eine aktive Fläche von 5,16 mm2 und ist in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, kann aber auch mit einer kleinen Sperrvorspannung verwendet werden. Diese Photodioden sind außerdem so ausgelegt, dass sie einen sehr hohen Shuntswiderstand aufweisen, eine Eigenschaft, die beim Einsatz in Transimpedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer Spektralbereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Umgebungslichtsensorik
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
Aktive Fläche: 5,16 mm2
Kurzschlußstrom: min. 4 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 2 nA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 1,0 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 330 nm bis 720 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 580 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,29 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Aktive Fläche: 5,16 mm2
Kurzschlußstrom: min. 4 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 2 nA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 1,0 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 330 nm bis 720 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 580 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,29 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)