VTH2120 Silizium-Photodiode, Chipform
Die VTH2120 Silizium-Photodiode in Chipform mit einer aktiven Fläche von 100 mm2 ermöglicht eine optimale Erkennung von Alphateilchen, z. B. für Anwendungen zur Detektion von Radongas. Diese Photodiode bietet ein verbessertes Ansprechen auf die zu untersuchende Strahlung, ein strahlungsfestes Chipdesign und eine große aktive Fläche von 10x10 mm.
Diese Silizium-Fotodiode mit geringer Sperrschichtkapazität bietet eine 100 mm2 große aktive Fläche und eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm.
Diese Serie von Photodioden in Chipform bietet eine hohe Empfindlichkeit für Alphateilchen. Diese wird durch das Chipdesign und die Vermeidung von Absorption durch Fensteraufbauten ermöglicht. Die große Fläche ermöglicht eine maximale Erfassung von Niedrigstrahlung. Für Anwendungen, die für eine kleinere aktive Fläche geeignet sind, bieten wir das VTH2110 mit einer aktiven Fläche von 5x5 mm an.
Diese Photodioden sind entweder in Waffle-Packs oder - bevorzugt - auf Mylar erhältlich. Gerne beraten wir Sie auch zu weiterführenden Baugruppen. Wenden Sie sich dazu an unsere Produktexperten, um mehr zu erfahren.
| Aktive Fläche | 100 mm2 |
| Dunkelstrom | Max. 5 nA bei 20 V Sperrvorspannung |
| Sperrschichtkapazität | Max. 120 pF bei 20 V Sperrvorspannung |
| Spektralbereich | 400 nm bis 1100 nm |
| Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit | 940 nm |
| Maximale spektrale Empfindlichkeit | Typ. 0,70 A/W |
| Durchbruchspannung | > 100 V |
- Optimiert für die Detektion von Alphateilchen
- Lieferung in Chip-Form
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Niedriger Dunkelstrom
- Strahlungsbeständig
- RoHS-konform
- Radon-Detektion
- Detektion von Alphateilchen
- Umgebungslichtsensorik
| Aktive Fläche | 100 mm2 |
| Dunkelstrom | Max. 5 nA bei 20 V Sperrvorspannung |
| Sperrschichtkapazität | Max. 120 pF bei 20 V Sperrvorspannung |
| Spektralbereich | 400 nm bis 1100 nm |
| Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit | 940 nm |
| Maximale spektrale Empfindlichkeit | Typ. 0,70 A/W |
| Durchbruchspannung | > 100 V |
- Optimiert für die Detektion von Alphateilchen
- Lieferung in Chip-Form
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Niedriger Dunkelstrom
- Strahlungsbeständig
- RoHS-konform
- Radon-Detektion
- Detektion von Alphateilchen
- Umgebungslichtsensorik