VTP1232H – Si PD, T1 3/4 Kunststoffgehäuse mit integrierter Line, 2,326 mm2
Das Modell VTP1232H ist eine Silizium-Photodiode in einem transparenten T1¾-Gehäuse mit Linse und erhöhter Empfindlichkeit im sichtbaren und nahen IR-Spektralbereich. Diese Photodiode weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom sowie eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
Diese schnell ansprechende Silizium-Photodiode bietet eine aktive Fläche von 2,326 mm2 und ist auf eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm optimiert.
Die niedrige Sperrschichtkapazität dieser Serie von Photodioden ermöglicht ein schnelles Ansprechverhalten. Der Betrieb der Dioden unter Sperrvorspannung erlaubt die weitere Reduzierung der Ansprechzeit. Diese Photodioden können auch im Photovoltaik Modus betrieben werden, wenn die Ansprechgeschwindigkeit nicht kritisch für die Anwendung ist, in der sie eingesetzt werden.
Diese Photodioden weisen im IR-Spektralbereich hervorragende Reaktionszeiten auf und sind sehr gut auf die Infrarot-LED-VTE-Serie von Excelitas abgestimmt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer Bereich bis naher IR-Bereich
- 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Niedriger Dunkelstrom
- Hoher Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Schnelle Ansprechzeit
- Hohe Sperrspannung
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Rauchmelder
- Barcode-Scanner
- Lichtmessung
- Puls-Oximeter
Aktive Fläche: 2,326 mm2
Kurzschlußstrom: min. 100 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: min. 0,06 A/(W/cm2), 880 nm
Dunkelstrom: max. 25 nA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 0,3 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,60 A/W
Erfassungsbereich: ±20 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)
Aktive Fläche: 2,326 mm2
Kurzschlußstrom: min. 100 µA bei 100 fc, 2850 K
Responsivity: min. 0,06 A/(W/cm2), 880 nm
Dunkelstrom: max. 25 nA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 0,3 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,60 A/W
Erfassungsbereich: ±20 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)