VTP9812FH – Si-PD, T-1 3/4, 1,5 mm2
Das Modell VTP9812FH ist eine Silizium-Photodiode in einem flachen T1¾-Gehäuse mit Infrarot-Sperrfilter, die ein hervorragende Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich bietet. Diese Si-Photodiode weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom und eine niedrige Kapazität auf.
Das Modell VTP9812FH ist eine schnell ansprechende Silizium-Photodiode in einem flachen T1¾-Gehäuse mit Infrarot-Sperrfilter, die eine aktive Fläche von 1,548 mm2 bietet und auf eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 700 nm ausgelegt ist.
Unsere Serie von Photodioden wurde entwickelt, um bei einer geringen Sperrschichtkapazität schnelle Ansprechzeiten zu erzielen. Die Dioden können unter Sperrvorspannung betrieben werden, um die Kapazität zu verringern und so die Ansprechgeschwindigkeit weiter zu erhöhen. Diese Photodioden können auch im Photovoltaik-Modus betrieben werden, wenn die Ansprechzeit keine wesentliche Rolle spielt.
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich ähnlich dem menschlichen Auge
- 1 bis 2% Linearität über 7 bis 9 Dimensionen (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Niedriger Dunkelstrom
- Hoher Shuntwiderstand
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Schnelle Ansprechzeit
- Hohe Sperrspannung
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Lichtsteuerung und Lichtschaltung für Innen- und Außenbereiche
- Scheinwerfer-Dimmer für Kraftfahrzeuge
- Display-Kontraststeuerung
- Energieeinsparung
Aktive Fläche: 1,548 mm2
Kurzschlußstrom: min. 0,7 µA bei 100 fc, 2850K
Dunkelstrom: max. 10 nA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 150 pF bei 10 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 700 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 580 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,034 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Löt-Temperatur: max. 260°C
Aktive Fläche: 1,548 mm2
Kurzschlußstrom: min. 0,7 µA bei 100 fc, 2850K
Dunkelstrom: max. 10 nA bei 10 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 150 pF bei 10 V Sperrvorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 700 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 580 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,034 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Löt-Temperatur: max. 260°C