VTT9814FH – Si-Phototransistor, 0,192 mm2, hohe Verstärkung
Der VTT9814FH ist ein Silizium-Phototransistor in einem infrarotblockierenden, flachen T 1 ¾ Kunststoffgehäuse. Dieser Phototransistor bietet eine hervorragende Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich.
Dieser Phototransistor ist Bestandteil unserer bewährte VTT-Silizium-Phototransistor-Produktreihe mit der zusätzlicher im Kunststoffgehäuse integrierten IR-Blockung. Damit bietet er im sichtbaren Spektralbereich (450 bis 700 nm) ein ausgezeichnetes Ansprechverhalten und stellt eine RoHS-konforme Alternative zu Cadmiumsulfid-Photozellen dar. Durch seinen geringen Streubereich eignet sich der VTT9814FH besonders für Umgebungslicht-Steuerungsanwendungen mit ca. 50 bis 100 fc (500 bis 1000 lux).
Hauptmerkmale:
- Empfindlichkeit an das sichtbare Sektrum angepasst; Kunststoffgehäuse mit IR-blockierenden
Eigenschaften - Niedriger Dunkelstrom
- RoHS-konforme Alternative zu Photozellen
Anwendungen:
- Straßenlichtschaltung
- Lichtsteuerung für Innen- und Außenbereiche (Dämmerungsschalter)
- Scheinwerfer-Dimmer für Kraftfahrzeuge
- Display-Kontraststeuerung
- Energieeinsparung
Aktive Fläche: 0,192 mm2
Kurzschlußstrom: min. 80 µA, max. 120 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 50 nA bei 5 V VCE
Spektralbereich: 450 nm bis 700 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 585 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 7 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)
Löt-Temperatur: max. 260°C
Aktive Fläche: 0,192 mm2
Kurzschlußstrom: min. 80 µA, max. 120 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 50 nA bei 5 V VCE
Spektralbereich: 450 nm bis 700 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 585 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 7 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)
Löt-Temperatur: max. 260°C