C30617ECERH – InGaAs-PIN, 100 µm, Keramikträger
Das Modell C30617ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 100 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Hauptmerkmale:
- Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode
- Standardgehäuse: Keramik in rechteckiger Form
- Aktiver Durchmesser von 100 µm
- Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
- Geringe Kapazität für hohe Bandbreiten: (bis 3,5 GHz)
Anwendungen:
- Telekommunikation
- Messinstrumente
- Datentransmission
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
- Datenverbindungen und faseroptische Kommunikation
Durchbruchspannung: 100 V
Betriebsspannung: 5 V
Kapazität: 0,45 pF
Dunkelstrom: 1 nA
Rauschstrom: 0,02 pA/√Hz
Gehäuse: Keramikträger
Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
Empfindlichkeit: 0,90 A/W
Anstiegs-/Abfallzeit: <0,5 ps
Durchbruchspannung: 100 V
Betriebsspannung: 5 V
Kapazität: 0,45 pF
Dunkelstrom: 1 nA
Rauschstrom: 0,02 pA/√Hz
Gehäuse: Keramikträger
Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
Empfindlichkeit: 0,90 A/W
Anstiegs-/Abfallzeit: <0,5 ps