InGaAs PIN-Photodioden

Unsere InGaAs PIN-Detektoren bieten eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weisen eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite, hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und Gleichförmigkeit innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Katalog der Sensorlösungen für Verteidigungs-, Raumfahrt- und Sicherheitsanwendungen

C30617BFCH – InGaAs-PIN, 100 µm, TO-18,
FC Faserkupplung

Die C30617BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit einem aktiven Durchmesser von 100 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse und FC Faserkupplung. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe ...

C30617BH – InGaAs-PIN, 100 µm, TO-18, Kugellinse

Das Modell C30617BH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit aktivem Durchmesser von 100 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe ...

C30617ECERH – InGaAs-PIN, 100 µm, Keramikträger

Das Modell C30617ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 100 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, ...

C30617L-100 – InGaAs-PIN, 100 µm, Keramik-SMD

Die C30617L-100 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 100 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, ...

C30618BFCH – InGaAs-PIN, 350 µm, TO-18,
FC Faserkupplung

Das Modell C30618BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit aktivem Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse und FC Faserkupplung. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe ...

C30618ECERH – InGaAs-PIN, 350 µm, Keramikträger

Das Modell C30618ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 350 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, ...

C30618GH – InGaAs PIN, 350 µm, TO-18

Die C30618GH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode. Sie verfügt über einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, ...

C30618L-350 InGaAs-PIN, 350 µm, Keramik-SMD

Die C30618L-350 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 350 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, ...

C30619GH – InGaAs PIN, 0,5 mm, TO-18

Die C30619GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm in einem TO-18 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller ...

C30619GH-LC InGaAs PIN, 0,5 mm, TO-18

Die C30619GH-LC ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm in einem TO-18- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt ...

C30641GH – InGaAs PIN, 1 mm, TO-18

Die C30641GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm in einem TO-18 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller ...

C30641GH-LC InGaAs PIN, 1 mm, TO-18

Die C30641GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt ...

C30642GH – InGaAs PIN, 2 mm, TO-5

Die C30642GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller ...

C30642GH-LC InGaAs PIN, 2 mm, TO-5

Die C30642GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt ...

C30665GH – InGaAs PIN, 3 mm, TO-5

Die C30665GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 3,0 mm in einem TO-5 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller ...

C30665GH-LC InGaAs PIN, 3 mm, TO-5

Die C30665GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 3,0 mm in einem TO-5- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt ...

C30723GH – InGaAs PIN, 5 mm, TO-8

Das Modell C30723GH ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit aktivem Durchmesser von 5,0 mm in einem TO-8-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Diese Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller ...