InGaAs PIN-Photodioden

Die C30617BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit einem aktiven Durchmesser von 100 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse und FC Faserkupplung. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Das Modell C30617BH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit aktivem Durchmesser von 100 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Das Modell C30617ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 100 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Die C30617L-100 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 100 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Das Modell C30618BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit aktivem Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse und FC Faserkupplung. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von 2% über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Das Modell C30618ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 350 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Die C30618GH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode. Sie verfügt über einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Die C30618L-350 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 350 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.

Die C30619GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm in einem TO-18 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.

Die C30619GH-LC ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm in einem TO-18- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typische Geräte weisen weniger als 1% Nichtlinearität und eine Homogenität innerhalb von 2% über die aktive Fläche des Detektors auf.

Die C30641GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm in einem TO-18 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.

Die C30641GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typische Geräte weisen weniger als 1% Nichtlinearität und eine Homogenität innerhalb von 2% über die aktive Fläche des Detektors auf.

Die C30642GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.

Die C30642GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typische Geräte weisen weniger als 1% Nichtlinearität und eine Homogenität innerhalb von 2% über die aktive Fläche des Detektors auf.

Die C30665GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 3,0 mm in einem TO-5 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, hohen Nebenwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, niedrige Kapazität für schnelle Reaktionszeit und eine Homogenität im 2%-Bereich über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.

Die C30665GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 3,0 mm in einem TO-5- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typische Geräte weisen weniger als 1% Nichtlinearität und eine Homogenität innerhalb von 2% über die aktive Fläche des Detektors auf.

Das Modell C30723GH ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit aktivem Durchmesser von 5,0 mm in einem TO-8-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Diese Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.