C30723GH – InGaAs PIN, 5 mm, TO-8
Das Modell C30723GH ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit aktivem Durchmesser von 5,0 mm in einem TO-8-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Diese Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
Hauptmerkmale:
- Version mit extrem niedriger Kapazität verfügbar
- Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
- Durchmesser der aktiven Fläche: 5,0 mm
- Hohe Linearität über einen großen dynamischen Bereich
- Erhältlich in verschiedenen robusten TO-Paketen
- Anpassungen (z. B. TEC) möglich
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Optische Leistungsmessgeräte
- Glasfaser-Prüfkommunikation
- Nah-IR-Spektroskopie
- Laserstrahlprofil Stationen
- Messinstrumente
- LiDAR
Durchbruchspannung: >10 V
Betriebsspannung: 5 V
Photovoltaische Kapazität: 950 pF
Dunkelstrom (bei 1V): 20,0 nA
Gehäuse: TO-8
Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
Empfindlichkeit:
- 0,20 A/W bei 850 nm
- 0,90 A/W bei 1300 nm
- 0,95 A/W bei 1550 nm
Durchbruchspannung: >10 V
Betriebsspannung: 5 V
Photovoltaische Kapazität: 950 pF
Dunkelstrom (bei 1V): 20,0 nA
Gehäuse: TO-8
Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
Empfindlichkeit:
- 0,20 A/W bei 850 nm
- 0,90 A/W bei 1300 nm
- 0,95 A/W bei 1550 nm