C30617L-100 – InGaAs-PIN, 100 µm, Keramik-SMD
Die C30617L-100 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 100 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Anwendungen:
- Großvolumige Verbraucheranwendungen
- Telekommunikation
- Messinstrumente
- Hochgeschwindigkeits-Schalter
- Optische Zeitreferenz für Laser-Entfernungsmesser
- LiDAR
Hauptmerkmale:
- Hohe Bandbreite, bis zu 3,5 GHz
- Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
- Durchmesser der aktiven Fläche 100 μm
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Kompaktes, robustes Keramik-SMT-Gehäuse
- Kundenspezifische Anpassungen (z. B. Filter) möglich
- RoHS-konform
Durchbruchspannung: 60 V
Betriebsspannung: 5 V
Kapazität: Typ. 0,6 pF
Dunkelstrom: Typ. <1,0 nA
Dunkles Rauschen: Typ. <0,03 pA/√Hz
Gehäuse: Keramik-SMD mit Fenster
Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
Empfindlichkeit: Typ. 1,05 A/W @ 1550 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: Typ. 0,07 ns
Durchbruchspannung: 60 V
Betriebsspannung: 5 V
Kapazität: Typ. 0,6 pF
Dunkelstrom: Typ. <1,0 nA
Dunkles Rauschen: Typ. <0,03 pA/√Hz
Gehäuse: Keramik-SMD mit Fenster
Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
Empfindlichkeit: Typ. 1,05 A/W @ 1550 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: Typ. 0,07 ns