C30618GH – InGaAs PIN, 350 µm, TO-18
Die C30618GH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode. Sie verfügt über einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Hauptmerkmale:
- Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode
- Standardgehäuse: T0-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster
- Aktiver Durchmesser von 350 µm
- Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
- Geringe Kapazität für hohe Bandbreiten: (bis 750 MHz)
Anwendungen:
- Telekommunikation
- Messinstrumente
- Datentransmission
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
- Datenverbindungen und faseroptische Kommunikation
Durchbruchspannung: 80 V
Betriebsspannung: 5 V
Kapazität: 3,7 pF
Dunkelstrom: 1 nA
Rauschstrom: 0,02 pA/√Hz
Gehäuse: TO-18 Kugellinse
Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
Empfindlichkeit: 0,90 A/W
Anstiegs-/Abfallzeit: < 1 ns
Durchbruchspannung: 80 V
Betriebsspannung: 5 V
Kapazität: 3,7 pF
Dunkelstrom: 1 nA
Rauschstrom: 0,02 pA/√Hz
Gehäuse: TO-18 Kugellinse
Hohe Empfindlichkeit bei 1300 nm und 1550 nm
Empfindlichkeit: 0,90 A/W
Anstiegs-/Abfallzeit: < 1 ns