C30645 Serie InGaAs Avalanche-Photodioden
Die C30645-Serie kombiniert verschiedene Produkte großflächiger InGaAs-Avalanche-Photodioden (APD) mit einer aktiven Fläche von 80 µm. Die InGaAs APDs von Excelitas bieten eine hohe Quanteneffizienz (QE), hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm. Sie werden in einem hermetisch verschlossenen TO-18-Gehäuse oder auf einem Keramikträger geliefert. Das oberflächenmontierbare Keramikgehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Anwendungen mit hohen Stückzahlen.
Mit ihrer hohen Bandbreite und ihrem geringen Rauschen unterstützt die Serie C30645 von Excelitas OEMs und Systemhersteller dabei, höchste Rauschwerte zu realisieren und optimale Signal-Rausch-Verhältnisse (SNR) zu erreichen. Insbesondere trägt die neue, verbesserte Low-Noise-Option dazu bei, Reichweite und Leistungsfähigkeit von LiDAR- und augensicheren Entfernungsmesssystemen bei gleicher Laserausgangsleistung zu erhöhen. Kohärente OTDR- und faseroptische Sensoranwendungen wie DTS und DAS profitieren von einer höheren Empfindlichkeit bei größeren Reichweiten bei der Detektion von Raman-Streuungen.
| Serienmodell Nr. | Verpackungsart | Fenstermaterial | Fensteröffnung | Anmerkungen |
| C30645ECERH | Keramischer Mitnehmer | N.z. | N.z. | |
| C30645EH | TO-18, 2-Pin | Silizium | Klein2 | |
| C30645EH-1 | Glas1 | Groß2 | ||
| C30645EH-2 | TO-46, 3-Pin | 3. Erdungsstift | ||
| C30645EH-7 | TO-18, 2-Pin | Silizium | Klein2 | geringes Rauschen |
| C30645EH-27 | TO-46, 3-Pin | Glas1 | Groß2 | Geringes Rauschen, 3. Erdungsstift |
| C30645L–080 | SMD | Glas1 | N.z. | |
| C30645L-080-1 | Silizium | |||
| C30645L-080-7 | Glas | geringes Rauschen | ||
| C30645L-080-17 | Silizium |
Hinweis 1: Glas ist für sichtbare und IR-Wellenlängen durchlässig, während Silizium sichtbares Licht bis etwa 1,1 µm blockiert.
Hinweis 2: AR-beschichtetes Fenster.
| Parameter | Symbol | Minimal | Typisch | Maximal | Einheiten | |
| Anstiegszeit/Abfallzeit | tr/tf | 0,3 | ns | |||
| Bandbreite | f3 dB | 1000 | MHz | |||
| Kapazität | Standard | C | 1,25 | pF | ||
| SMD | 1,45 | |||||
| Dunkelstrom | Standard | iD | 2,5 | 15 | nA | |
| SMD | 1 | 5 | ||||
| Dunkelrauschen | Standard | iN | 0,2 | 0,6 | pA/√(Hz) | |
| Geringes Rauschen | 0,1 | 0,25 | ||||
| Rauschäquivalente Leistung | Standard | NEP | 25 | 64 | fW/√(Hz) | |
| Geringes Rauschen | 11 | 26 | ||||
| Verstärkung im Betrieb | M | 10 | 20 | |||
| Parameter | Symbol | Minimal | Typisch | Maximal | Einheiten |
| Durchbruchspannung | VBD | 45 | 50 | 70 | V |
| Spektralbereich | Δλ | 1000 | 1700 | nm | |
| Quantenausbeute | QE | C | % | ||
| Empfindlichkeit @1550 nm | R | 9,3 | A/W | ||
| Temperatur-Koeffizient von VBD | ΔV/ΔT | 0,14 | 0,2 | V/°C |
| Serienmodell Nr. | Verpackungsart | Fenstermaterial | Fensteröffnung | Anmerkungen |
| C30645ECERH | Keramischer Mitnehmer | N.z. | N.z. | |
| C30645EH | TO-18, 2-Pin | Silizium | Klein2 | |
| C30645EH-1 | Glas1 | Groß2 | ||
| C30645EH-2 | TO-46, 3-Pin | 3. Erdungsstift | ||
| C30645EH-7 | TO-18, 2-Pin | Silizium | Klein2 | geringes Rauschen |
| C30645EH-27 | TO-46, 3-Pin | Glas1 | Groß2 | Geringes Rauschen, 3. Erdungsstift |
| C30645L–080 | SMD | Glas1 | N.z. | |
| C30645L-080-1 | Silizium | |||
| C30645L-080-7 | Glas | geringes Rauschen | ||
| C30645L-080-17 | Silizium |
Hinweis 1: Glas ist für sichtbare und IR-Wellenlängen durchlässig, während Silizium sichtbares Licht bis etwa 1,1 µm blockiert.
Hinweis 2: AR-beschichtetes Fenster.
| Parameter | Symbol | Minimal | Typisch | Maximal | Einheiten | |
| Anstiegszeit/Abfallzeit | tr/tf | 0,3 | ns | |||
| Bandbreite | f3 dB | 1000 | MHz | |||
| Kapazität | Standard | C | 1,25 | pF | ||
| SMD | 1,45 | |||||
| Dunkelstrom | Standard | iD | 2,5 | 15 | nA | |
| SMD | 1 | 5 | ||||
| Dunkelrauschen | Standard | iN | 0,2 | 0,6 | pA/√(Hz) | |
| Geringes Rauschen | 0,1 | 0,25 | ||||
| Rauschäquivalente Leistung | Standard | NEP | 25 | 64 | fW/√(Hz) | |
| Geringes Rauschen | 11 | 26 | ||||
| Verstärkung im Betrieb | M | 10 | 20 | |||
| Parameter | Symbol | Minimal | Typisch | Maximal | Einheiten |
| Durchbruchspannung | VBD | 45 | 50 | 70 | V |
| Spektralbereich | Δλ | 1000 | 1700 | nm | |
| Quantenausbeute | QE | C | % | ||
| Empfindlichkeit @1550 nm | R | 9,3 | A/W | ||
| Temperatur-Koeffizient von VBD | ΔV/ΔT | 0,14 | 0,2 | V/°C |