C30662 Serie InGaAs Avalanche-Photodioden
Die Serie C30662 umfasst eine Vielzahl von großflächigen InGaAs-Avalanche-Photodioden (APDs) mit einer aktiven Fläche von 200 µm. Die InGaAs APDs von Excelitas bieten eine hohe Quanteneffizienz (QE), robuste Empfindlichkeit und geringes Rauschen über den Spektralbereich von 1000 nm bis 1700 nm. Diese Geräte sind in einem hermetisch verschlossenen TO-18-Gehäuse oder auf einem Keramikträger verfügbar. Das Keramikgehäuse für die Oberflächenmontage ermöglicht eine einfache Integration in Anwendungen mit hohen Stückzahlen.
Die Serie C30662 von Excelitas bietet hohe Bandbreite und geringes Rauschen, so dass OEMs und Systemhersteller fortschrittliche Rauschspezifikationen mit optimalen Signal-Rausch-Verhältnissen erreichen können. Die neue, verbesserte Option für geringes Rauschen optimiert die Reichweite und Leistung von LiDAR- und augensicheren Entfernungsmesssystemen bei gleicher Laserleistung. Darüber hinaus profitieren kohärente Anwendungen der optischen Zeitbereichsreflektometrie (OTDR) und der faseroptischen Abtastung, wie die verteilte Temperaturmessung (DTS) und die verteilte akustische Abtastung (DAS) von einer verbesserten Empfindlichkeit über größere Entfernungen bei der Detektion von Raman-Streuungen.
| Serienmodell Nr. | Verpackungsart | Fenstermaterial | Fensteröffnung | Anmerkungen |
| C30662ECERH | Keramischer Mitnehmer | N.z. | N.z. | |
| C30662ECERH-1 | ΔV > 4 V | |||
| C30662EH | TO-18, 2-Pin | Glas1 | Groß2 | |
| C30662EH-1 | ΔV > 4 V | |||
| C30662EH-2 | TO-46, 3-Pin | 3. Erdungsstift | ||
| C30662EH-137 | TO-18, 2-Pin | Klein | Geringes Rauschen, ΔV > 4 V | |
| C30662EH-3 | ||||
| C30662EH-5 | Silizium | Klein2 | ||
| C30662EH-7 | Glas1 | Groß2 | geringes Rauschen | |
| C30662EH-27 | TO-46, 3-Pin | Geringes Rauschen, 3. Erdungsstift | ||
| C30662L–200 | SMD | N.z. | ||
| C30662L-200-1 | Silizium | |||
| C30662L-200-7 | Glas1 | geringes Rauschen | ||
| C30662L-200-17 | Silizium |
Hinweis 1: Glas ist für sichtbare und IR-Wellenlängen durchlässig, während Silizium sichtbares Licht bis etwa 1,1 µm blockiert.
Hinweis 2: AR-beschichtetes Fenster.
| Parameter | Symbol | Minimal | Typisch | Maximal | Einheiten | |
| Anstiegszeit/Abfallzeit | tr/tf | 0,4 | ns | |||
| Bandbreite | f3 dB | 600 | 850 | MHz | ||
| Kapazität | Standard | C | 2,5 | pF | ||
| SMD | C | 2,7 | ||||
| Dunkelstrom | Standard | iD | 13 | 35 | nA | |
| Geringes Rauschen | iD | 7,5 | 15 | |||
| Dunkelrauschen | Standard | iN | 0,45 | 1 | pA/√(Hz) | |
| Geringes Rauschen | iN | 0,35 | 0,5 | |||
| Rauschäquivalente Leistung | Standard | NEP | 48 | 106 | fW/√(Hz) | |
| Rauschäquivalente Leistung | Geringes Rauschen | NEP | 37 | 53 | ||
| Verstärkung im Betrieb | M | 10 | 20 | |||
| Betriebspunkt nach Durchbruch | ΔV | 4 | V | |||
| Parameter | Symbol | Minimal | Typisch | Maximal | Einheiten |
| Durchbruchspannung | VBD | 45 | 50 | 70 | V |
| Spektralbereich | Δλ | 1000 | 1700 | nm | |
| Quantenausbeute | QE | 75 | % | ||
| Empfindlichkeit @1550 nm | R | 9,3 | A/W | ||
| Temperatur-Koeffizient von VBD | ΔV/ΔT | 0,14 | 0,2 | V/°C |
| Serienmodell Nr. | Verpackungsart | Fenstermaterial | Fensteröffnung | Anmerkungen |
| C30662ECERH | Keramischer Mitnehmer | N.z. | N.z. | |
| C30662ECERH-1 | ΔV > 4 V | |||
| C30662EH | TO-18, 2-Pin | Glas1 | Groß2 | |
| C30662EH-1 | ΔV > 4 V | |||
| C30662EH-2 | TO-46, 3-Pin | 3. Erdungsstift | ||
| C30662EH-137 | TO-18, 2-Pin | Klein | Geringes Rauschen, ΔV > 4 V | |
| C30662EH-3 | ||||
| C30662EH-5 | Silizium | Klein2 | ||
| C30662EH-7 | Glas1 | Groß2 | geringes Rauschen | |
| C30662EH-27 | TO-46, 3-Pin | Geringes Rauschen, 3. Erdungsstift | ||
| C30662L–200 | SMD | N.z. | ||
| C30662L-200-1 | Silizium | |||
| C30662L-200-7 | Glas1 | geringes Rauschen | ||
| C30662L-200-17 | Silizium |
Hinweis 1: Glas ist für sichtbare und IR-Wellenlängen durchlässig, während Silizium sichtbares Licht bis etwa 1,1 µm blockiert.
Hinweis 2: AR-beschichtetes Fenster.
| Parameter | Symbol | Minimal | Typisch | Maximal | Einheiten | |
| Anstiegszeit/Abfallzeit | tr/tf | 0,4 | ns | |||
| Bandbreite | f3 dB | 600 | 850 | MHz | ||
| Kapazität | Standard | C | 2,5 | pF | ||
| SMD | C | 2,7 | ||||
| Dunkelstrom | Standard | iD | 13 | 35 | nA | |
| Geringes Rauschen | iD | 7,5 | 15 | |||
| Dunkelrauschen | Standard | iN | 0,45 | 1 | pA/√(Hz) | |
| Geringes Rauschen | iN | 0,35 | 0,5 | |||
| Rauschäquivalente Leistung | Standard | NEP | 48 | 106 | fW/√(Hz) | |
| Rauschäquivalente Leistung | Geringes Rauschen | NEP | 37 | 53 | ||
| Verstärkung im Betrieb | M | 10 | 20 | |||
| Betriebspunkt nach Durchbruch | ΔV | 4 | V | |||
| Parameter | Symbol | Minimal | Typisch | Maximal | Einheiten |
| Durchbruchspannung | VBD | 45 | 50 | 70 | V |
| Spektralbereich | Δλ | 1000 | 1700 | nm | |
| Quantenausbeute | QE | 75 | % | ||
| Empfindlichkeit @1550 nm | R | 9,3 | A/W | ||
| Temperatur-Koeffizient von VBD | ΔV/ΔT | 0,14 | 0,2 | V/°C |