C30807EH – Silizium PIN-Photodiode, 1,0 mm
Die C30807EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 1,0 mm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse, welches für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit
- Schnelle Reaktionszeit
- Geringe Betriebsspannung
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Hermetisches Gehäuse
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Laser-Erkennungssysteme
- Photometrie
- Datentransmission
- Messinstrumente
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
Durchbruchspannung: >100 V
Kapazität: 2,5 pF
Dunkelstrom: 10 nA/<50 nA
Rauschstrom: 60 fW/√Hz
Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W, at 900 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: <5/<10 ns
Durchbruchspannung: >100 V
Kapazität: 2,5 pF
Dunkelstrom: 10 nA/<50 nA
Rauschstrom: 60 fW/√Hz
Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W, at 900 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: <5/<10 ns