TEIL/ C30807EH
C30807EH – Silizium PIN-Photodiode, 1,0 mm
Die C30807EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 1,0 mm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse, welches für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Hauptmerkmale:
- Hohe Empfindlichkeit
- Schnelle Reaktionszeit
- Geringe Betriebsspannung
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Hermetisches Gehäuse
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Laser-Erkennungssysteme
- Photometrie
- Datentransmission
- Messinstrumente
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
| Durchbruchspannung | >100 V |
| Kapazität | 2,5 pF |
| Dunkelstrom | 10 nA/<50 nA |
| Rauschstrom | 60 fW/√Hz |
| Peak Wellenlänge | 900 nm |
| Empfindlichkeit | 0,6 A/W bei 900 nm |
| Anstiegs-/Abfallzeit | <5/<10 ns |
| Durchbruchspannung | >100 V |
| Kapazität | 2,5 pF |
| Dunkelstrom | 10 nA/<50 nA |
| Rauschstrom | 60 fW/√Hz |
| Peak Wellenlänge | 900 nm |
| Empfindlichkeit | 0,6 A/W bei 900 nm |
| Anstiegs-/Abfallzeit | <5/<10 ns |