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Silizium PIN-Photodioden

Silizium PIN-Photodioden sind mit einer großen Auswahl an unterschiedlichen Sensorgrößen erhältlich, um ein breites Spektrum an verschiedenen Anwendungen abzudecken. Die PIN-Struktur ermöglicht eine hohe Quantenausbeute und kurze Reaktionszeit für die Photonendetektion im Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1100 nm.

Unsere YAG-Serie bietet eine außergewöhnliche Empfindlichkeit von 0,4 A/W bei 1060 nm durch Verwendung einer speziellen Siliziumschicht.

Zusätzliche Ressourcen
Why should you choose Excelitas as your provider of Silicon Pin Photodiodes?
Excelitas Technologies is a leading industrial technology manufacturer that delivers innovative, market-driven photonic solutions designed to meet the needs of our OEM and end-user customers worldwide. With a team of over 7,500+ working across North America, Europe and Asia, Excelitas is well-positioned to deliver industry-leading photonic products that enable our customers' success in various end markets. Excelitas' commitment to manufacturing industry-leading photonic products extends to our silicon PIN photodiodes, which are manufactured with efficiency and reliability in mind. These are available in various active areas to make way for applications in a wide range of industries. With decades of industry experience, Excelitas offers proven expertise in delivering solutions that meet customer requirements and goals.
What are the different uses of Silicon PIN Photodiodes?
PIN photodiodes are a type of photodiode that has an undoped region (referred to as the intrinsic layer) sandwiched between p- and n-doped regions. In these devices, the photons are absorbed by the intrinsic layer, which in turn creates an electric current induced by the action of light, known as the photocurrent. Silicon PIN photodiodes (Si PIN) are a specific type of semiconductor photodiode whose intrinsic layer is made from silicon. As a semiconductor, silicon PIN photodiodes have a higher sensitivity to low-spectrum light, such as UV light, while having faster response times and lower noise. These qualities are best applied in such applications as optical communication systems, industrial inspection components, medical and scientific instruments and environmental monitoring.
What types of Silicon PIN Photodiodes do you offer?
Excelitas offers Si PIN Photodiodes capable of performing at a broad wavelength spectrum from 400 nm to 1100 nm. These have a wide variety of active areas to accommodate a wide range of potential applications. Below, we go into further detail about Excelitas' comprehensive silicon PIN photodiode solutions:
  • C30741PFH-15S - provides fast response and high quantum efficiency in the 300 nm to 1100 nm spectral range. Their wavelength range of maximal sensitivity lies between 800 nm and 900 nm. The C30741PFH series of Si PIN photodiodes are optimized for high-speed, high-volume and low-cost applications and are available in plastic packaging.
  • C30741PH-15S Si PIN - similar to the C30741PH series, this type of Si photodiode offers the same functionalities as the previous type while providing a larger, 1.5 x 1.5 mm active area chip in a T 1 ¾ clear package.
  • C30807EH - Si PIN Photodiode - 1.0mm - comes with a 1.0 mm active diameter chip in a hermetically-sealed TO-18 package designed for optimal functionality at 300- to 1100 nm wavelength range. It also features a broad range of photosensitive areas from 0.8 mm2 to 100 mm2.
  • C30808EH - Si PIN Photodiode – 2.5mm - this Si PIN photodiode comes with a 2.5 mm active diameter chip hermetically sealed TO-5 package for complete functionality under the 300 to 1100 nm wavelength range and photosensitive areas from 0.8 mm2 to 100 mm2.
  • C30822EH - Si PIN Photodiode - 5mm - comes with a larger active diameter chip at 5.0 mm and a TO-8 package that’s hermetically sealed to ensure its efficient operation at the 300 nm to 1100 nm wavelength range.
  • C30845EH - Si PIN - 8mm- TO-8, Quadrant - features an N-type silicon PIN quadrant photodiode hermetically sealed in a TO-8 package, designed to detect light within the 300 to 1100 nm wavelength range. Among the entire series, this has the most extensive detection range, which lies at 50 mm2, making it useful for obtaining position information for forced and defocused spots in either pulsed or CW mode.
  • FFD-100H - Si PIN - 2.5mm- TO-5, PC, Ultrafast - has a peak sensitivity at 920 nm while featuring an ultra-fast rise and fall time, low NEP and a low operating voltage. It comprises a 2.5 mm shield with an active diameter that is hermetically sealed in a TO-5 package.
  • FFD-200H - Si PIN - 5mm- TO-8, PC, Ultrafast - the FFD-200H features an ultra-fast rise and fall time, low NEP and a low operating voltage. With this enhanced sensitivity, this type of Si photodiode has a higher active diameter at 5.0 mm in a hermetically-sealed TO-8 package.
  • FND-100GH - Si PIN - 2.5mm- TO-5, PC, Ultrafast, Glass Window - this 2.5 mm-active diameter chip comes in a TO-5 package that is hermetically sealed to ensure its performance and reliability across different systems. It has a high responsivity between 400 and 1150 nm, with peak responsivity at 920 nm.
  • HPR-1100BGH Si PIN Receiver - 2.5mm - PV, UV-100BG Rx, Glass Window - has an external feedback resistor that enhances the photodiode’s sensitivity and improves bandwidth flexibility.
 
What are the applications of Silicon PIN Photodiodes?
Silicon PIN photodiodes are excellent pieces of technology that can be applied in a wide range of potential applications. Dazu gehören die folgenden:
  • Entfernungsmessung
  • Messinstrumente
  • Datentransmission
  • Hochgeschwindigkeits-Schaltung
  • Laser-Erkennungssysteme
  • Photometrie
  • Systeme zur Steuerung der Laserleistung
  • Optische Kommunikation
  • Schnelle Pulserfassung in Halbleiter-Inspektionssystemen
Do you offer custom Silicon PIN Photodiodes?
Excelitas takes pride in the quality of the products we manufacture and our commitment to our customer's success. As part of this commitment, we provide industry-leading off-the-shelf photodiodes designed to meet the needs and requirements of our OEM and end-user customers. Our most significant offering lies in our ability to bring your vision to life and produce top-of-the-line photonic solutions based on your custom specifications. Should you have any special requirements, communicate them to us so we can accommodate your requests during product design and manufacturing.
Excelitas-Katalog: Photon Detection Solutions
DTS

Produktliste

Teilenummer
C30741PFH-15S

C30741PFH-15S

Die C30741PFH-15S ist eine Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Photodiode mit einer 1,5 x 1,5 mm aktiven Fläche in einem T1 ¾ Kunstoffgehäuse, wahlweise transparent oder blockierend für den sichtbaren Spektralbereich.
Teilenummer
C30741PH-15S

C30741PH-15S Si PIN

Die C30741PH-15S ist eine Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Photodiode mit einer 1,5 x 1,5 mm aktiven Fläche in einem transparenten T1¾-Kunststoffgehäuse.
Teilenummer
C30807EH

C30807EH – Silizium PIN-Photodiode, 1,0 mm

Die C30807EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 1,0 mm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse, welches für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Teilenummer
C30808EH

C30808EH – Silizium PIN-Photodiode, 2,5 mm

Die C30808EH ist eine Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 2,5 mm in einem hermetischen TO-5 Gehäuse, das für den Wellenlängenbereich von 300 bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Teilenummer
C30822EH

C30822EH – Si PIN-Photodiode, 5 mm

Die C30822EH ist eine Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 5,0 mm in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, das für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Teilenummer
C30845EH

C30845EH – Si PIN, 8 mm, TO-8 Gehäuse, Quadranten-Detektor

Die C30845EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN Quadranten-Photodiode in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, die für einen Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Mit ihrer großen aktiven Fläche (50 mm²) ist die Diode dazu geeignet, Positionsinformationen sowohl von fokussierten als auch von nicht-fokussierten Punkten im gepulsten oder CW-Modus aufzunehmen.
Teilenummer
FFD-100H

FFD-100H – Si-PIN, 2,5 mm, TO-5, PC, ultraschnell

Die FFD-100H ist eine großflächige Silizium PIN-Photodiode mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 2,5 mm in einem hermetischen TO-5 Gehäuse. Diese Photodiode weist eine hohe Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm auf, mit einem Maximum bei 920 nm. Sie zeichnet sich durch eine ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit, eine niedrige NEP und eine niedrige Betriebsspannung aus.
Teilenummer
FFD-200H

FFD-200H, Si PIN, 5 mm, TO-8, PC, ultraschnell

Die FFD-200H ist eine großflächige Silizium PIN-Photodiode mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 5,0 mm in einem hermetischen TO-8 Gehäuse. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm, mit einer Spitzenempfindlichkeit bei 850 nm. Sie zeichnet sich außerdem durch eine ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit, eine niedrige NEP und eine niedrige Betriebsspannung aus.
Teilenummer
FND-100GH

FND-100GH – Si PIN, 2,5 mm, TO-5, PC, ultraschnell, Glasfenster

Die FND-100GH ist eine großflächige Silizium PIN-Photodiode mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 2,5 mm in einem hermetischen TO-5 Gehäuse mit Glasfenster. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm, mit einer Spitzenempfindlichkeit bei 920 nm. Sie zeichnet sich außerdem durch eine ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit, eine niedrige NEP und eine geringe Betriebsspannung aus.
Teilenummer
HPR-1100BGH

HPR-1100BGH Si PIN-Empfänger – 2,5 mm PV, UV-100BG Rx, Glasfenster

HPR-1100BGH ist ein großflächiges Silizium-PIN-Verstärkermodul mit einem Chip mit 2,5 mm aktivem Durchmesser in einem hermetischen TO-Gehäuse. Die HPR-1100 Photodiode verwendet einen externen Rückkopplungswiderstand, um flexible Bandbreiten zu ermöglichen.