TEIL/ C30822EH
C30822EH – Si PIN-Photodiode, 5 mm
Die C30822EH ist eine Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 5,0 mm in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, das für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Hauptmerkmale:
- Silizium (Si) PIN-Photodiode
- Hermetisches TO-8 Gehäuse
- Chip mit 5,0 mm aktivem Durchmesser
- Antireflexbeschichtung zur Verbesserung der Reaktionsfähigkeit bei 900 nm
- Hohe Empfindlichkeit
- Schnelle Reaktionszeit
- Geringe Betriebsspannung
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Hermetisches Gehäuse
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Laser-Erkennungssysteme
- Photometrie
- Datentransmission
- Messinstrumente
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
Durchbruchspannung: >100 V
Kapazität: 12 pF
Dunkelstrom: 50 nA/<250 nA
Rauschstrom: 130 fW/√Hz
Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 900 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: <20/<20 ns
Durchbruchspannung: >100 V
Kapazität: 12 pF
Dunkelstrom: 50 nA/<250 nA
Rauschstrom: 130 fW/√Hz
Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 900 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: <20/<20 ns