FFD-200H, Si PIN, 5 mm, TO-8, PC, ultraschnell
Die FFD-200H ist eine großflächige Silizium PIN-Photodiode mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 5,0 mm in einem hermetischen TO-8 Gehäuse. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm, mit einer Spitzenempfindlichkeit bei 850 nm. Sie zeichnet sich außerdem durch eine ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit, eine niedrige NEP und eine niedrige Betriebsspannung aus.
Hauptmerkmale:
- Großflächige Silizium PIN-Photodiode
- Hermetisches TO-8 Gehäuse
- Chip mit 5,0 mm aktivem Durchmesser
- Ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit
- Isolierter Photodiodenchip
Anwendungen:
- Entfernungsmessung
- Messinstrumente
- Datentransmission
- Optische Kommunikation
Durchbruchspannung: >125 V
Kapazität: 30 pF
Dunkelstrom: 10 nA
Gehäuse: TO-8, 3 Pins, 0,6 Zoll Durchmesser
Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 850 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 850 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns
Durchbruchspannung: >125 V
Kapazität: 30 pF
Dunkelstrom: 10 nA
Gehäuse: TO-8, 3 Pins, 0,6 Zoll Durchmesser
Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 850 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 850 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns