Excelitas Infrarot-Leuchtdioden der VTE Series
TEIL/ FFD-200H

FFD-200H, Si PIN, 5 mm, TO-8, PC, ultraschnell

Die FFD-200H ist eine großflächige Silizium PIN-Photodiode mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 5,0 mm in einem hermetischen TO-8 Gehäuse. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm, mit einer Spitzenempfindlichkeit bei 850 nm. Sie zeichnet sich außerdem durch eine ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit, eine niedrige NEP und eine niedrige Betriebsspannung aus.

Hauptmerkmale:

  • Großflächige Silizium PIN-Photodiode
  • Hermetisches TO-8 Gehäuse
  • Chip mit 5,0 mm aktivem Durchmesser
  • Ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit
  • Isolierter Photodiodenchip

Anwendungen:

  • Entfernungsmessung
  • Messinstrumente
  • Datentransmission
  • Optische Kommunikation

Durchbruchspannung: >125 V

Kapazität: 30 pF

Dunkelstrom: 10 nA

Gehäuse: TO-8, 3 Pins, 0,6 Zoll Durchmesser

Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 850 nm

Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 850 nm

Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns

Durchbruchspannung: >125 V

Kapazität: 30 pF

Dunkelstrom: 10 nA

Gehäuse: TO-8, 3 Pins, 0,6 Zoll Durchmesser

Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 850 nm

Empfindlichkeit: 0,6 A/W bei 850 nm

Anstiegs-/Abfallzeit: 5 ns

Schließen