FFD-100H – Si-PIN, 2,5 mm, TO-5, PC, ultraschnell
Die FFD-100H ist eine großflächige Silizium PIN-Photodiode mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 2,5 mm in einem hermetischen TO-5 Gehäuse. Diese Photodiode weist eine hohe Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm auf, mit einem Maximum bei 920 nm. Sie zeichnet sich durch eine ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit, eine niedrige NEP und eine niedrige Betriebsspannung aus.
Hauptmerkmale:
- Großflächige Silizium (Si) PIN-Photodiode
- Hermetisches TO-5 Gehäuse
- Chip mit 2,5 mm aktivem Durchmesser
- Ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit
- Isolierter Photodiodenchip
Anwendungen:
- Laser-Erkennungssysteme
- Systeme zur Steuerung der Laserleistung
- Schnelle Pulserfassung in Halbleiter-Inspektionssystemen
- Messinstrumente
- Hochgeschwindigkeits-Schaltung
Durchbruchspannung: 150 V
Kapazität: 8,5 pF
Dunkelstrom: < 25 nA
Rauschstrom: < 90 fA/√Hz
Gehäuse: TO-5
Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 850 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W
Anstiegs-/Abfallzeit: 1 ns
Spektralbereich: 400 nm bis 1150 nm
Durchbruchspannung: 150 V
Kapazität: 8,5 pF
Dunkelstrom: < 25 nA
Rauschstrom: < 90 fA/√Hz
Gehäuse: TO-5
Wellenlänge höchster Empfindlichkeit: 850 nm
Empfindlichkeit: 0,6 A/W
Anstiegs-/Abfallzeit: 1 ns
Spektralbereich: 400 nm bis 1150 nm