TEIL/ YAG-200-4 Series – Quadranten
YAG-200-4 Serie Quadranten-Photodioden Si PIN – 5,1 mm
Die Silizium-PIN-Quadrantendetektoren der YAG-Serie von Excelitas sind hochleistungsfähige Si-PIN-Photodioden vom Typ N oder S in hermetisch abgedichteten TO-Gehäusen.
Diese Photodioden sind hochempfindlich im Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1100 nm mit optimierter Empfindlichkeit für Anwendungen bei 1064 nm.
Ein Schutzring sammelt den Strom, der außerhalb der aktiven Fläche erzeugt wird, damit dieser Strom das Rauschen nicht verstärkt.
Aufgrund der großen Fläche ist die Photodiode geeignet um sowohl von fokussierten als auch von defokussierten Spots im gepulsten oder im CW Modus aus verschiedenen Positionen beleuchtet zu werden.
Hauptmerkmale:
- Hohe Quantenausbeute bei 1064 nm
- Übersprechen <1% zwischen Elementen
- Keine „Totbereiche“ zwischen Quadranten (P-Typ)
- Gehäuseart: hermetisch abgedichtetes TO-Gehäuse
- Verfügbar in N- und P-Typ-Anordnung mit optionaler Heizung und Antireflexbeschichtung
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| Anzahl der Elemente | 4 |
| Aktiver Durchmesser (mm) | 5,1 |
| Aktive Fläche pro Element (mm²) | 5,1 |
| Typische Kapazität pro Quadrant (pF) | 12 |
| Typische Empfindlichkeit bei 900 nm (A/W) | 0,60 |
| Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm (A/W) | 0,44 |
| Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm für -AR und -ARH (A/W) | 0,47 |
| Typische Anstiegszeit, 50Ω Lastwiderstand (ns) | 12 |
| Maximale Betriebsspannung (V) | 180 |
| Minimale Durchbruchspannung (V) | 200 |
| Typische Kapazität pro Element (pF) | 2 |
| Maximale Kapazität pro Element (pF) | 10 |
| Typischer Dunkelstrom pro Element (nA) | 10 |
| Maximaler Dunkelstrom pro Element (nA) | 50 |
| Typischer Rauschstrom pro Element (pA/ |
0,10 |
| Rauschäquivalente Leistungen (NEP) bei 900 nm pro Element (pW/ |
0,10 |
| Rauschäquivalente Leistungen (NEP) bei 1064 nm pro Element (pW/ |
0,15 |
| Heizkörperwiderstand bei 25℃ (-H-Suffix) (kΩ) | 0,10±0,2 |
| Spitzenleistung des Heizkörpers (Suffix -H) (W) | 4 |
| Maximale Gleichstromspannung des Heizkörpers (Suffix -H) (V) | 12 |
| Gehäuse | individuell angepasstes TO-8 |
| Lagerungs-Temperaturbereich (℃) | -55 bis +125 |
| Betriebstemperaturbereich (℃) | -55 bis +125 |
| Betriebstemperaturbereich für Suffix -H (℃) | -40 bis +85 |
| Maximale Spannung des Heizkörpers (V) | 12 |
| Anzahl der Elemente | 4 |
| Aktiver Durchmesser (mm) | 5,1 |
| Aktive Fläche pro Element (mm²) | 5,1 |
| Typische Kapazität pro Quadrant (pF) | 12 |
| Typische Empfindlichkeit bei 900 nm (A/W) | 0,60 |
| Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm (A/W) | 0,44 |
| Typische Empfindlichkeit bei 1064 nm für -AR und -ARH (A/W) | 0,47 |
| Typische Anstiegszeit, 50Ω Lastwiderstand (ns) | 12 |
| Maximale Betriebsspannung (V) | 180 |
| Minimale Durchbruchspannung (V) | 200 |
| Typische Kapazität pro Element (pF) | 2 |
| Maximale Kapazität pro Element (pF) | 10 |
| Typischer Dunkelstrom pro Element (nA) | 10 |
| Maximaler Dunkelstrom pro Element (nA) | 50 |
| Typischer Rauschstrom pro Element (pA/ |
0,10 |
| Rauschäquivalente Leistungen (NEP) bei 900 nm pro Element (pW/ |
0,10 |
| Rauschäquivalente Leistungen (NEP) bei 1064 nm pro Element (pW/ |
0,15 |
| Heizkörperwiderstand bei 25℃ (-H-Suffix) (kΩ) | 0,10±0,2 |
| Spitzenleistung des Heizkörpers (Suffix -H) (W) | 4 |
| Maximale Gleichstromspannung des Heizkörpers (Suffix -H) (V) | 12 |
| Gehäuse | individuell angepasstes TO-8 |
| Lagerungs-Temperaturbereich (℃) | -55 bis +125 |
| Betriebstemperaturbereich (℃) | -55 bis +125 |
| Betriebstemperaturbereich für Suffix -H (℃) | -40 bis +85 |
| Maximale Spannung des Heizkörpers (V) | 12 |