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SUCHERGEBNISSE (769)
Produkt
C30737LH-500-81N – Si APD, 500 µm, LCC Gehäuse, 635 nm Filter
Die C30737LH-500-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Produkt
C30737LH-230-92N – Si APD, 230 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter
Die C30737LH-230-92N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit einem 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm.
Produkt
C30737CH-300-70 – Si APD, 300 µm, side-looking LLC SMD Gehäuse
Die C30737CH-300-70 Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm und hat einen aktiven Durchmesser von 300 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse
Produkt
C30737LH-300-73N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 650 nm Filter
Die C30737LH-300-73N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert, und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
Produkt
C30737LH-300-72N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 905 nm Filter
Die C30737LH-300-72N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD)wird in einem Keramikgehäuse mit 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
Produkt
C30737LH-300-71N – Si APD, 300 µm, LCC Gehäuse, 635 nm Filter
Die C30737LH-300-71N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert und bietet einen 300 µm aktiven Durchmesser.
Produkt
C30617BH – InGaAs-PIN, 100 µm, TO-18, Kugellinse
Das Modell C30617BH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit aktivem Durchmesser von 100 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
C30822EH – Si PIN-Photodiode, 5 mm
Die C30822EH ist eine Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 5,0 mm in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, das für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Produkt
Näherungszünder
Das Angebot von Excelitas umfasst eine breite Palette von gepulsten Lasern und Detektoren für Annäherungszünder. Wir bieten sowohl Standard- als auch kundenspezifische Designs an, um Ihren Spezifikationen gerecht zu werden.
Produkt
C30741PFH-15S
Die C30741PFH-15S ist eine Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Photodiode mit einer 1,5 x 1,5 mm aktiven Fläche in einem T1 ¾ Kunstoffgehäuse, wahlweise transparent oder blockierend für den sichtbaren Spektralbereich.
Produkt
C30741PH-15S Si PIN
Die C30741PH-15S ist eine Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Photodiode mit einer 1,5 x 1,5 mm aktiven Fläche in einem transparenten T1¾-Kunststoffgehäuse.
Product Category
Avalanche-Photodioden
Excelitas bietet Avalanche-Photodioden (APD) aus Silizium- (Si) und IndiumGalliumArsenid (InGaAs) Materialien an. Si-APDs decken den Spektralbereich von 400 nm bis 1100 nm ab, während die InGaAs-APDs den Bereich von 950 nm bis 1550 nm abdecken. An Avalanche Photodiode (APD) provides higher sensitivity than a standard photodiode and is for extreme low-level light (LLL) detection and photon counting.The use of APDs instead of PIN photodetectors will result in improved sensitivity in many applications. In general, APDs are useful in…
Produkt
Phoseon FireJet ONE UV-LED-Härtungssystem für große Flächen
Das FireJet™ ONE UV-LED-Härtungssystem bietet eine enorme Leistung von 20 W/cm² und ist für die Aushärtung von Druckfarben, Beschichtungen und Klebstoffen konzipiert, bei der eine hohe Leistung und ein kompaktes Design unerlässlich sind. FireJet-ONE-Lampen sind mit Brennweiten von 75 mm bis 375 mm erhältlich und können durch Aneinanderreihen und Verbinden mehrerer Einheiten einfach skaliert werden.
Produkt
VTP8740STRH – Si-PD, SMT-Seitenmontage, 5,269 mm2
Die VTP8740STRH ist eine Silizium-Photodiode in einem transparenten oberflächenmontierbaren Kunststoffgehäuse mit einer integrierten Linse. Diese Photodiode bietet einen weiten Erfassungsbereich bei schneller Reaktionszeit und niedrigem Dunkelstrom.
Produkt
OmniCure S1500 Pro UV Aushärtungssystem
OmniCure® S1500 Pro ist ein revolutionäres UV-Punkthärtungssystem, das für die automatisierte Fertigung entwickelt wurde. Das S1500 Pro bietet eine maximale Kontrolle, eine außerordentliche Zuverlässigkeit und eine hohe Strahlungsintensität. Mit seinen vielseitigen Funktionen ist dieses UV-Aushärtungssystem auf die Anforderungen unterschiedlichster Anwendungen in der Fertigung zugeschnitten und gewährleistet optimale Leistung ohne Kompromisse. Erleben Sie mit dem S1500 Pro die nächste Evolution der Präzisionshärtung.
Produkt
C30739ECERH – Si APD auf Keramiksubstrat
Die für den kurzwelligen Bereich optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30739ECERH deckt den Spektralbereich von unter 400 nm bis über 700 nm ab. Mit geringem Rauschen, niedriger Kapazität und einer optimierten Empfindlichkeit im UV bei gleichzeitig hoher Verstärkung, bietet die Si APD eine Quantenausbeute von mehr als 70% bei 430 nm und ist für Anwendungen bei niedriger Lichtleistung, wie z. B. molekulare Bildgebung, konzipiert. Ihr keramisches Substrat ermöglicht eine einfache Handhabung und Kopplung an Szintillationskristalle wie LSO und BGO.
Produkt
C30618GH – InGaAs PIN, 350 µm, TO-18
Die C30618GH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode. Sie verfügt über einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
C30618BFCH – InGaAs-PIN, 350 µm, TO-18,
FC Faserkupplung
Das Modell C30618BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit aktivem Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse und FC Faserkupplung. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von 2% über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
C30617BFCH – InGaAs-PIN, 100 µm, TO-18,
FC Faserkupplung
Die C30617BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit einem aktiven Durchmesser von 100 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse und FC Faserkupplung. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
OmniCure CV300 Förderbandsystem für Kleinserienproduktion
Das OmniCure® CV300 ist ein vielseitiges Förderbandsystem, das die OmniCure-AC-Serie leistungsfähiger UV-LED-Härtungssysteme ergänzt und Verwendung sowohl in Produktionsumgebungen als auch in Labor-, Forschungs- und Entwicklungsanwendungen findet. Das CV300 transportiert auf einem grobmaschigen, Teflon®-beschichteten Glasfaserband Substrate mit bis zu 310 mm (12,2") Breite und erlaubt einen effektiven Härtungsbereich von bis zu 300 mm (12"), abhängig vom verwendeten OmniCure-LED-System.
ACHTUNG: Das CV300 ist innerhalb der EU nicht erhältlich!
Produkt
SharpDot Punktstrahl-LEDs und LEDs mit Fadenkreuzmuster
Die hocheffizienten SharpDot™ Punktstrahl-LEDs und LEDs mit Fadenkreuzmuster eignen sich ideal für eine Vielzahl an Red-Dot-Anwendungen. Die SharpDot LED-Familie nutzt die Resonant Cavity LED (RCLED)-Technologie und zeichnet sich durch gestochen scharfe, klare Punkte und Fadenkreuzmuster sowie eine hohe elektro-optische Effizienz aus, die eine längere Batterielebensdauer gewährleistet. Diese LEDs mit RCLED-Technologie können mit sehr geringem Strom betrieben werden und sind daher ideal für Nachtsichtanwendungen. The matte black design minimizes stray light, increasing…
Application
Unterhaltungselektronik
Die marktführenden OmniCure-UV-Spot- und Flächenhärtungssysteme von Excelitas werden bei der Montage und Herstellung von elektronischen Komponenten wie ICs, Leiterplatten und Mikrolautsprechern in unseren wachsenden Märkten für Unterhaltungs- und Geschäftselektronik in großem Umfang eingesetzt.
Product Category
Hochspannungs-Gleichstromversorgungen
Stromversorgungen mit höherer Spannung und höherer Leistung erfordern komplexere Designlösungen. Die abzuführende Wärme und die Installationsinfrastruktur sowie die Wahl des Isolationssystems in einem HVPS werden durch die Ausgangsspannung und die Ausgangsleistung bestimmt, welche letztlich die Verpackung bestimmen. Typische Isolationssysteme basieren auf Luft, dielektrischem Öl, Epoxid, RTV-Silikon und sogar Schwefelhexafluorid (SF6). The method of cooling is a factor as well, the choices often coming down to air, water or oil,…
Produkt
VTT9814FH – Si-Phototransistor, 0,192 mm2, hohe Verstärkung
Der VTT9814FH ist ein Silizium-Phototransistor in einem infrarotblockierenden, flachen T 1¾-Gehäuse. Dieser Phototransistor bietet eine hervorragende Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich.
Application
Glasfaserherstellung
Angesichts des wachsenden Bedarfs an Glasfaserkabeln, insbesondere in der Telekommunikationsbranche, sind die Hersteller ständig bemüht, die Fertigungseffizienz zu steigern und gleichzeitig hohe Standards bei der Produktqualität und Haltbarkeit einzuhalten. Die Nutzung der UV-Härtung bei der Glasfaserherstellung bietet zahlreiche Vorteile wie Produktivitätssteigerung, Qualitätsverbesserung und Abfallreduzierung und ist damit eine attraktive Technologie für die Branche.
Produkt
PYD 1388, PYD 1398 Doppelelement-Pyrodetektoren
Diese Pyrodetektor-Reihe repräsentiert das Standardangebot für analoge Pyrodetektoren von Excelitas. Unsere PYD 1388 (Ersatz für LHi 878) und PYD 1398 (Ersatz für LHi 968) Doppelelement-Pyrodetektoren verfügen über zwei Elemente, die in einer Reihenschaltung mit einem FET in Quellfolgeschaltung konfiguriert sind. Sie sind in ein robustes TO-5-Metallgehäuse mit optischem Filter integriert.
Produkt
FFD-200H, Si PIN, 5 mm, TO-8, PC, ultraschnell
Die FFD-200H ist eine großflächige Silizium PIN-Photodiode mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 5,0 mm in einem hermetischen TO-8 Gehäuse. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm, mit einer Spitzenempfindlichkeit bei 850 nm. Sie zeichnet sich außerdem durch eine ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit, eine niedrige NEP und eine niedrige Betriebsspannung aus.
Product Category
Gepulste 905 nm Halbleiter-Laserdioden
Die PGA-Serie gepulster Hochleistungslaserdioden bietet eine Vielzahl von Konfigurationen für anspruchsvollste Anwendungen. Verfügbar in verschiedenen hermetischen Metallgehäusen sind diese gepulsten Laserdioden (PLD) so konstruiert, dass sie unter rauen Umgebungsbedingungen hervorragende Leistungen liefern. Mit Streifenbreiten ab 75 µm und Leistungen bis 300 W offeriert Excelitas für jede Anwendung die passende gepulste Laserdiode.
Produkt
ACULED Adressierbare Quad-Chip-LED-Arrays
Die ACULED®-Plattform ist ein Chip-on-Board (COB)-LED-Gehäuse mit vier separat adressierbaren LED-Chips. Wir bieten eine große Auswahl an Standard- oder individuell angepassten Wellenlängen und verschiedene CCT-Weißtöne mit hoher Farbwiedergabe. Das ACULED-Paket ist ideal für medizinische Beleuchtungsanwendungen, die eine abstimmbare weiße CCT-Beleuchtung mit hohem CRI erfordern.
Product Category
Detektionsmodule für geringste Lichtleistungen
From single photons to mW, from 400nm to 1.7µm, the Excelitas family of Low-Light-Level Detection (L3D) Modules offers industry-leading performance in compact, easy-to-use packages operating from a single 5V DC power supply.The L3D Modules are ideal for laboratory and OEM use in supporting applications including astronomy, flow cytometry, particle characterization, quantum cryptography, wind LiDAR, and many more.
Product Category
Unsere Marken
Excelitas Technologies verfügt über ein umfassendes und reiches photonisches Erbe, das einige der bekanntesten und anerkanntesten Marken der Branche zusammengeführt hat. Unser Engagement für Innovation und bewährtes Branchen-Fachwissen stärkt unsere Fähigkeit, technologische Fortschritte voranzutreiben und unsere Kunden durch ein stetig wachsendes Photoniktechnologie-Portfolio auch in Zukunft erfolgreich zu unterstützen.
Produkt
FFD-100H – Si-PIN, 2,5 mm, TO-5, PC, ultraschnell
Die FFD-100H ist eine großflächige Silizium PIN-Photodiode mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 2,5 mm in einem hermetischen TO-5 Gehäuse. Diese Photodiode weist eine hohe Empfindlichkeit von 400 nm bis 1150 nm auf, mit einem Maximum bei 920 nm. Sie zeichnet sich durch eine ultraschnelle Anstiegs- und Abfallzeit, eine niedrige NEP und eine niedrige Betriebsspannung aus.
Produkt
HPR-1100BGH Si PIN-Empfänger – 2,5 mm PV, UV-100BG Rx, Glasfenster
HPR-1100BGH ist ein großflächiges Silizium-PIN-Verstärkermodul mit einem Chip mit 2,5 mm aktivem Durchmesser in einem hermetischen TO-Gehäuse. Die HPR-1100 Photodiode verwendet einen externen Rückkopplungswiderstand, um flexible Bandbreiten zu ermöglichen.
Produkt
TPG2EW1S09 – 905 nm Generation 2 Dreifach-Kavität 225 µm Kunststoff-PLD
Der gepulste „Generation 2“-Halbleiterlaser von Excelitas, der bei 905 nm im nahen IR emittiert, nutzt ein mehrschichtiges monolithisches Chipdesign. Die verbesserte GaAs-Struktur bietet 85 W gepulste Spitzenleistung bei Betrieb mit 30 A. Das mehrschichtige Chipdesign weist eine emittierende Fläche von (225 x 10) μm mit Emission von drei Laserlinien auf und bietet eine hohe Ausgangsleistung auf einer kleinen emittierenden Fläche. The T1¾ (TO-like) plastic encapsulated package complements Excelitas' PGA series epi-cavity lasers in hermetic metal or…
Produkt
TPGAD1S09H – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im SMD-Gehäuse
Die TPGAD1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Produkt
C30807EH – Silizium PIN-Photodiode, 1,0 mm
Die C30807EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 1,0 mm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse, welches für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Produkt
C30808EH – Silizium PIN-Photodiode, 2,5 mm
Die C30808EH ist eine Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 2,5 mm in einem hermetischen TO-5 Gehäuse, das für den Wellenlängenbereich von 300 bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
Product Category
Förderbandsysteme für die UV-Härtung
Excelitas bietet bodenstehende und Benchtop-Förderbandsysteme für chemische Formulierungen sowie für kurze Produktionsläufe und Produktionsläufe mit geringem Volumen. Eine Kombination aus UV-Härtungssystemen mit einem Förderbandsystem von Excelitas ermöglicht eine Beschleunigung von Laborprüfungen UV-härtender Klebstoffe, Druckfarben und Beschichtungen sowie der Entwicklung neuer Formulierungen.
Produkt
Unterstützung für Produkte zur Detektion von geringem Lichtpegel
Vielen Dank, dass Sie sich für ein Excelitas SPCM entschieden haben, um Ihre Anforderungen im Bereich der Einzelphotonen-Detektion zu erfüllen.  Auf dieser Seite finden Sie nützliche Informationen und Ressourcen, die Ihnen bei der Einrichtung und Verwendung Ihres SPCM helfen.  Laden Sie das Benutzerhandbuch herunter, um einen umfassenden Leitfaden zu erhalten, der Ihnen alles Wissenswerte über Ihr neues SPCM vermittelt. Weitere Ressourcen, wie z. B. Anwendungshinweise, werden regelmäßig hinzugefügt, damit Ihnen alle aktuellen Informationen zur Verfügung stehen.
Produkt
C30618ECERH – InGaAs-PIN, 350 µm, Keramikträger
Das Modell C30618ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 350 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
C30617ECERH – InGaAs-PIN, 100 µm, Keramikträger
Das Modell C30617ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 100 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
C30665GH-LC InGaAs PIN, 3 mm, TO-5
Die C30665GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 3,0 mm in einem TO-5- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
Produkt
C30642GH-LC InGaAs PIN, 2 mm, TO-5
Die C30642GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
Produkt
C30618L-350 InGaAs-PIN, 350 µm, Keramik-SMD
Die C30618L-350 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 350 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
C30617L-100 – InGaAs-PIN, 100 µm, Keramik-SMD
Die C30617L-100 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 100 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
C30641GH-LC InGaAs PIN, 1 mm, TO-18
Die C30641GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
Produkt
C30619GH-LC InGaAs PIN, 0,5 mm, TO-18
Die C30619GH-LC ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm in einem TO-18- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
Produkt
C30723GH – InGaAs PIN, 5 mm, TO-8
Das Modell C30723GH ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit aktivem Durchmesser von 5,0 mm in einem TO-8-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Diese Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
Produkt
C30665GH – InGaAs PIN, 3 mm, TO-5
Die C30665GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 3,0 mm in einem TO-5 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, hohen Nebenwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, niedrige Kapazität für schnelle Reaktionszeit und eine Homogenität im 2%-Bereich über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
Produkt
C30642GH – InGaAs PIN, 2 mm, TO-5
Die C30642GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
Produkt
DPGAS1S09H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite
Die DPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, bestehend aus einem Chip mit einer 225 µm Streifenbreite. Die Ausgangsleistung beträgt 50 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPiA 4.4T 4766 CoolEYE 4x4 Pixel-Array
Das Basis-CoolEYE-2D-Array ist ein kleines Infrarot-Array mit 4x4 Pixeln, darunter eine kleine IR-durchlässige Linse und ein Thermopile-Sensor mit einer digitalen I2C-Schnittstelle.
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C30641GH – InGaAs PIN, 1 mm, TO-18
Die C30641GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm in einem TO-18 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
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C30619GH – InGaAs PIN, 0,5 mm, TO-18
Die C30619GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm in einem TO-18 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
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PGAS1S09H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 9 mil Streifenbreite
Die PGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 22 W bei 22 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S06H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite
Die PGAS1S06H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 150 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 15 W bei 15 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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DPGAS1S03H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite
Die DPGAS1S03H ist eine hocheffiziente gepulste Laserdiode in einem Metallgehäuse mit einer Wellenlänge von 905 nm, bestehend aus einem Chip mit Zweifach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 16 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGAS3S09H – 905 nm PLD, dreifach gestapelter Chip, mit Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite
Die QPGAS3S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, die aus einem dreifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 300 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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QPGAS3S03H – 905 nm PLD, dreifach gestapelter Chip, mit Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite
Die QPGAS3S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, die aus einem dreifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 90 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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QPGAS2S09H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite
Die QPGAS2S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 200 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGAS2S03H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite
Die QPGAS2S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 62 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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TPGAS2S09H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite
Die TPGAS2S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905-nm-Laserdiode im Metallgehäuse, die zwei gestapelte Chips mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 150 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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TPGAS2S03H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite
Die TPGAS2S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die zwei gestapelte Chips mit jeweils 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 45 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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TPGAS1S09H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite
Die TPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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TPGAS1S03H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite
Die TPGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGAS1S09H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite
Die QPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse. Sie besteht aus einem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 100 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGAS1S03H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite
Die QPGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse. Sie besteht aus einem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 31 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S24H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 24 mil Streifenbreite
Die PGAS1S24H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 600 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 60 W bei 60 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S12H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 12 mil Streifenbreite
Die PGAS1S12H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 300 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 30 W bei 30 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S03H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 3 mil Streifenbreite
Die PGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 8 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPiL 8T 2566 CoolEYE 8-Pixel-Zeilen-Array
Die Excelitas CoolEYE™ IR-Array-Familie umfasst einen Zeilen-Array-Sensor mit 8 Pixeln und kalibrierter Temperaturausgabe über eine I2C-Schnittstelle.
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PGAS1S16H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 16 mil Streifenbreite
Die PGAS1S16H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 400 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 40 W bei 40 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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LQPGAU1S03 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Metallgehäuse
Die LQPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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LTPGAU1S09 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im Metallgehäuse
Die LTPGAU1S09 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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LTPGAU1S03 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Metallgehäuse
Die LTPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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880 nm Infrarot emittierende Dioden
Diese Serie von Infrarot-Leuchtdioden (IREDs) besteht aus drei Standardchips in neun verschiedenen Gehäusen, die eine breite Palette von Fassungs-, Linsen- und Ausgangsleistungsoptionen bieten. Aus dieser Serie sind sowohl vertikal und horizontal abstrahlende Bauformen  mit unterschiedlichen Abstrahlwinkeln verfügbar. Alle IREDs verwenden hocheffiziente GaAs Flüssigphasen-Epitaxie Halbleiter, die in "N"-on-"P"-Konfiguration ausgeführt sind, um die höchste Leistung bei 880 nm zu erzielen.
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PGAD1S03H – 905 nm Einzelkavität, 3 mil, SMD PLD
Die PGAD1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 8 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGEW1S09H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die QPGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 85 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGEW1S03H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die QPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 25 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPGAD1S03H – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im SMD-Gehäuse
Die TPGAD1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPGEW1S09H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die TPGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPGEW1S03H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die TPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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DPGEW1S09H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die DPGEW1S09H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 225 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 45 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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DPGEW1S03H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die DPGEW1S03H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 13 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGEW1S09H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die PGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 23 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGEW1S03H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die PGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 6,5 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGEW1S1.5H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 1,5 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die QPGEW1S01.5H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 37.5 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 10 W bei 5 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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LINOS UV-Strahlaufweiter 1x–4x mit niedrigen Ausgasungseigenschaften
Die LINOS Strahlaufweitung 1x–4x für UV mit niedrigen Ausgasungseigenschaften ist das erste Standardprodukt, das sich durch ein ausgasungsarmes Edelstahldesign auszeichnet. Diese Bauweise ermöglicht es potenzielle Verunreinigungen zu minimieren und die Produktlebensdauer zu verlängern. Perfectly matched with our UV F-Theta-Ronar Lens, this product combination offers higher durability compared to conventional products to enable higher UV pulse energies and shorter laser pulses that are essential for laser material processing…
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Testzentren für UV- und IR-Anwendungen
Excelitas betreibt weltweit Anwendungs-Kompetenzzentren, in denen Infrarot-, Ultraviolett-, Lichtbogen- und Blitzlampen für Anwendungen getestet und optimiert werden. Unser erfahrenes Team nutzt technisches Fachwissen und spezialisierte Lichtquellen, um effiziente Lösungen für anspruchsvolle Anforderungen zu entwickeln. Wir arbeiten eng mit unseren Kunden zusammen und schützen vertrauliche Informationen, um die Validierung und Umsetzung kundenspezifischer Lösungen an ihren Standorten und Produktionsstätten zu unterstützen.
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VTH2110 Silizium-Photodiode, Chipform
Die VTH2110 ist eine 25 mm2 Silizium-Photodiode in Chipform für die optimale Erkennung von Alphateilchen, z. B. für Anwendungen zur Detektion von Radongas. Diese Photodiode bietet ein verbessertes Ansprechen auf die zu untersuchende Strahlung, ein strahlungsfestes Chipdesign und eine große aktive Fläche von 5x5 mm. Diese Silizium-Fotodiode mit geringer Sperrschichtkapazität bietet eine 25 mm2 große aktive Fläche und eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm.
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VTB1013BH – Si PD, TO-46, 1,6 mm2, niedriger Dunkelstrom, IR-Filter
Die VTB1013BH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-46-Gehäuse ohne Linse. Die Photodiode verfügt über einen integrierten IR-Sperrfilter zur Anpassung der spektralen Empfindlichkeit auf den sichtbaren Teil des Spektrums und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem geringem Dunkelstrom auf.
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TPiS 1S 1385 CaliPile Sensor SMD
Der erste und einzige Multifunktions-Thermopile-Sensor seiner Art, der Excelitas CaliPile® Sensor (TPiS 1S 1385), repräsentiert eine neue Generation intelligenter IR-Sensoren, die Bewegungserkennung, Anwesenheitsüberwachung und Temperaturmessung ermöglichen … und all das in einem einzigen, kompakten Sensorpaket. Featuring a thermopile sensor chip connected to internal circuitry and housed in an ultra-compact housing, the Calipile SMD is suited for highly effective, near-distance sensing (up to 3 m)…
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VTB1112BH – Si PD, TO-46 mit integrierter Linse, 1,6 mm2, IR-Filter
Die VTB1112BH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-46-Gehäuse mit integrierter Linse und schmalen Erfassungsbereich. Die Photodiode verfügt über einen integrierten IR-Sperrfilter zur Anpassung der spektralen Empfindlichkeit auf den sichtbaren Teil des Spektrums und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei geringem Dunkelstrom auf.
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VTH2120 Silizium-Photodiode, Chipform
Die VTH2120 Silizium-Photodiode in Chipform mit einer aktiven Fläche von 100 mm2 ermöglicht eine optimale Erkennung von Alphateilchen, z. B. für Anwendungen zur Detektion von Radongas. Diese Photodiode bietet ein verbessertes Ansprechen auf die zu untersuchende Strahlung, ein strahlungsfestes Chipdesign und eine große aktive Fläche von 10x10 mm.
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VTB5051UVH – Si-PD, TO-5, 14,8 mm2, UV-Fenster
Das Modell VTB5051UVH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen, UV-durchlässigen  TO-5-Gehäuse mit flachem Eintrittsfenster. Diese Photodiode bietet ein erhöhte Empfindlichkeit im UV-Spektralbereich und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei niedrigem Dunkelstrom auf.
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VTT9814FH – Si-Phototransistor, 0,192 mm2, hohe Verstärkung
Der VTT9814FH ist ein Silizium-Phototransistor in einem infrarotblockierenden, flachen T 1 ¾ Kunststoffgehäuse. Dieser Phototransistor bietet eine hervorragende Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich.
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VTB8341H – Si-PD, Keramik, 5,16 mm2
Die VTB8341H ist eine blau-verstärkte Silizium-Photodiode in einem Keramikgehäuse, das mit einer klarem Epoxidverkapselung geschützt ist. Diese Photodiode bietet eine höhere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem niedrigem Dunkelstrom.
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VTB5051JH – Si-PD, TO-5, 14,8 mm2, isoliertes Gehäuse
Das Modell VTB5051JH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5-Gehäuse mit flachem Fenster, bei dem der Photodiodenchip vom Gehäuse isoliert ist. Diese Photodiode bietet eine höhere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem niedrigem Dunkelstrom.
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VTB1012BH – Si PD, TO-46, 1,6 mm2, IR-Filter
Die VTB1012BH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-46-Gehäuse ohne Linse. Sie verfügt über einen integrierten IR-Sperrfilter zur Anpassung der spektralen Empfindlichkeit auf den sichtbaren Teil des Spektrums und weist einen sehr hohen Shuntwiderstand bei niedrigem Dunkelstrom auf.
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VTB5051H – Si-PD, TO-5, 14,8 mm2
Die VTB5051H ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-5-Gehäuse mit flachem Fenster. Diese Photodiode bietet eine höhere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem niedrigem Dunkelstrom.
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TPiS 1S 1051, TPiS 1S 1252 DigiPile-Sensoren SMD
Die TPiS 1S 1051/1252 der DigiPile-Sensor-Baureihe von Excelitas sind in einem kompakten SMD-Gehäuse mit optischem Fenster untergebracht. Sie verfügen über Thermopile-Sensorchips, die zur Verstärkung und Signalwandlung mit einem internen ADC verbunden sind.
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kineFLEX UV/HPV Faseroptiksystem (355 nm, 375 nm, 405 nm bis 640 nm)
Die kineFLEX-HPV™ und kineFLEX-UV™ sind robuste Laserstrahlführungssysteme für High-Power Anwendungen für Wellenlängen von 405 bis 640 nm und für die UV-Wellenlängen 355 nm und 375 nm. Dieses Faseroptiksystem wurde speziell für vorfokussierte und integrierte optische Baugruppen entwickelt. Die Faser überträgt vollständig die grundlegende TEM00-Lasermode, um eine Transmissionseffizienz von mehr als 65% und eine garantierte Laserleistung von bis zu 500 mW für die meisten Wellenlängen zu erreichen.
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X-Cite TETREM 4-Kanal-LED-Beleuchtungssystem
Das neue X-Cite TETREM™ ist ein 4-Kanal-LED-Beleuchtungssystem für Fluoreszenz-Imaging Anwendungen. Entwickelt für einfache Handhabung, Leistung und Flexibilität, bietet es zuverlässige Anregung für die am häufigsten verwendeten Fluorophore in der Mikroskopie. TETREM's compact and cost-effective design makes it an ideal choice for researchers performing live cell imaging or upgrading from a lamp-based system for routine applications.The unit is equipped with the all-new   X-Cite smartDIAL™ controller,…
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Wassergekühltes Phoseon Nexus II UV-LED-Härtungssystem für große Flächen
Das wassergekühlte Nexus II™ UV-LED-Härtungssystem eignet sich ideal für Flexodruck-Anwendungen und ist die branchenweit leistungsstärkste Lösung. Das Nexus II UV-Härtungssystem verfügt über patentierte Wärmemanagement-Techniken und die ValidCure™-Technologie. Es liefert die höchste Gesamt-UV-Leistung für höhere Druckgeschwindigkeiten, gesteigerte Betriebszeiten der Presse und eine doppelt so lange Lebensdauer. ValidCure Technology validates the curing power supplied to the material surface, ensuring process…
Application
Lebensmittelverarbeitung
In der Lebensmittelverarbeitung sind exakte Temperaturen von entscheidender Bedeutung, um ein Überhitzen zu verhindern, insbesondere bei der Verarbeitung von Schokolade, dem Füllen von Pralinen, dem Vorbräunen von Fertiggerichten oder dem Erhitzen von Oberflächen. Infrarot-Strahler liefern Wärme ohne direkte Berührung, genau so lange wie benötigt. Die Wärme wird ohne Vorheizen und mit effizientem Energieeinsatz genau dann geliefert, wenn sie benötigt wird. Furthermore, infrared emitters have a rapid response time, allowing for better control-an essential…
Produkt
kineFLEX-Faseroptiksystem
Das kineFLEX® Faseroptiksystem ist ein robustes, äußerst stabiles Laserstrahlführungssystem für Präzisionsmessanwendungen. Die Fasern wurden speziell für vorfokussierte und integrierte optische Baugruppen entwickelt. Die single mode Faser überträgt automatisch die grundlegende TEM00-Lasermode, und erreicht eine Transmissionseffizienz von mehr als 60%.
Application
Kabelbaugruppen-Herstellung
Kabelbaugruppen werden in verschiedenen Branchen eingesetzt, um elektrische Signale, Strom und Daten zwischen Geräten zu übertragen. Typische Kabelbaugruppen bestehen aus einer Reihe von Drähten, die zu einem einzigen Kabel mit einem Steckverbinder an mindestens einem Ende kombiniert werden. Diese können von einfachen Kabelbäumen bis hin zu anspruchsvollen Glasfaser-Kabelbaugruppen reichen.
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TPiS 1T 1386 L5.5 H CaliPile Sensor für medizinische Anwendungen
Der Excelitas TPiS 1T 1386 L5.5 H ist ein Thermopile-Sensor mit integrierter Signalverarbeitung, der speziell für die Anforderungen der medizinischen Temperaturmessung entwickelt wurde. Als Teil der CaliPile®-Serie ist der TPiS 1T 1386 L5.5 H werksseitig mit Kalibrierungsdaten ausgestattet, die im EEPROM des Sensors gespeichert sind. Ausgestattet mit einem begrenzten Sichtfeld in einem isothermen TO-39-Gehäuse gewährleistet der CaliPile TPiS 1T 1386 L5.5 H eine schnelle Anpassung an Veränderungen in der Umgebungstemperatur.  
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Luftgekühltes Nexus II UV-LED-Härtungssystem
Das luftgekühlte Nexus II™ UV-LED-Härtungssystem eignet sich ideal für Flexodruck-Anwendungen und ist die branchenweit leistungsstärkste Lösung. Das Nexus II UV-LED-Härtungssystem verfügt über patentierte Wärmemanagement-Techniken und die ValidCure™-Technologie. Es liefert die höchste UV-Gesamtleistung für erhöhte Druckgeschwindigkeiten, eine erhöhte Betriebszeit der Presse und eine doppelt so lange Lebensdauer. ValidCure Technology validates the curing power delivered to the material surface, ensuring…
Application
UV-Druck
Die zwischen den Tintenstrahlköpfen eingesetzte UV-Drucktechnologie liefert genau die richtige Menge an UV-Energie, die erforderlich ist, um die Tonwertzunahme zu steuern und eine Vielzahl von Druckeffekten bei höheren Geschwindigkeiten zu erzielen. UV-LEDs können auch für die vollständige Durchhärtung von Digitaldruckfarben in bidirektionalen Single-Pass- und 3D-Druckern verwendet werden, um Produkte wie Poster, Etiketten, Beschilderungen, Verpackungen und 3D-Objekte herzustellen.
Product Category
Pyroelektrische IR-Detektoren und -Sensoren
 Die pyroelektrischen Infrarot-Detektoren von Excelitas sind führend in der Bewegungserkennungstechnologie und bieten eine breite Palette von sowohl digitalen als auch analogen Detektorvarianten für eine Vielzahl von Anwendungen in Smart Home-, Smart City-, IoT-, Einbruchmelde- und Sicherheitssystemen. With Pyroelectrics available in Single-, Dual- and Quad-Element configurations we offer you a wider range of different sized infrared sensor surfaces, which directly translates to enhanced performance and…
Produkt
OmniCure LS200 UV LED Radiometrie- und Kalibrierungssystem
Das OmniCure LS200 UV LED Radiometrie und Kalibrierungssystem ermöglicht eine präzise Messung und Kalibrierung der UV LED Leistung oder Bestrahlungsstärke direkt am Ort der Aushärtung. Auf diese Weise können Hersteller die Lichtleistung für einen zuverlässigen und wiederholbaren Aushärtungsprozess steuern. The LS200 features seamless integration with the LX500 UV LED Spot Curing System for calibration, and offers optional accessories, wide measurement range (1mW to 2000mW or 50mW/cm2 – 40 W/cm2), exceptional precision, and…
Product Category
Test pco sCMOS-Kameras
Die pco.panda-Serie repräsentiert unsere Produktfamilie kompakter scientific CMOS (sCMOS)-Kameras. Diese Kameras verfügen über ein optimiertes passives Wärmemanagement-Gehäuse, das eine hohe Leistung des sCMOS-Bildsensors in einem absolut kompakten Formfaktor ermöglicht. Darüber hinaus sind weitere optionale Funktionen wie Low-Light Mode, Lightsheet-Scannermodus oder Double-Shutter-Technologie verfügbar, um die Leistung und Vielseitigkeit der Kameras weiter zu erhöhen.
Application
Halbleiterausrüstung
Die immer kleiner werdenden Abmaße integrierter Schaltkreise erfordern eine immer höher auflösende Beleuchtung und Abbildung zur Herstellung von Silizium-Halbleitern und verschieben optische Systeme in extreme, ultraviolette Wellenlängenbereiche mit außergewöhnlichen Leistungsanforderungen und setzen eine strikte Kontaminationskontrolle voraus.
Application
LiDAR und Entfernungsmessung
Excelitas kann auf eine lange und erfolgreiche Geschichte auf dem Gebiet von LiDAR und Entfernungsmessung zurückblicken. Diese reicht von den frühen bahnbrechenden Arbeiten von Dr. McIntyre zu Avalanche-Photodioden (APD) bis hin zu den heutigen hochmodernen firmeneigenen Fertigungsanlagen. Unsere Kompetenz und unsere Erfolge bei der Entwicklung von Designs der nächsten Generation sprechen nachweislich für sich.
Application
Holzbeschichtungen
Die Ultraviolett (UV)-Härtung von Holzbeschichtungen ist eine effektive und effiziente Alternative zu herkömmlichen luft-, feuchtigkeits- und thermisch gehärteten Beschichtungen. UV-Härtung ermöglicht schnellere Aushärtungszeiten, geringeren Energieverbrauch und eine bessere Beschichtungsleistung.
Produkt
X-Cite NOVEM Leistungsstarkes, 9-Kanal-LED-Beleuchtungssystem
Die preisgekrönten X-Cite NOVEM™ sind unsere neueste Generation an LED-Lichtquellen. Sie liefern eine bisher nicht erreichbar extrem helle und leistungsstarke LED-Beleuchtung. Dieses neun Wellenlängen umfassende, schnell umschaltende System deckt den gesamten Spektralbereich von Fura-2 bis IR800 ab. Leveraging our patented LaserLED Hybrid Drive® to effortlessly fill the green gap in the challenging 500 – 600nm range, X-Cite NOVEM features high excitation power for fluorescence applications across the UV-visible-NIR spectrum.…
Product Category
Präzisionsoptik
Excelitas bietet Präzisionsoptiken in nahezu jeder Form an und deckt damit das gesamte Spektrum ab. Sie können aus mehr als 4.800 optischen Standardprodukten wählen! Our selection includes plano-convex lenses, biconvex lenses, aspheres and achromats with individual coatings, as well as plano optics, mirrors, polarization optics, electro-optics and optical design software and of course our optical assemblies and systems, such as objective lenses, optronics modules, and complex custom sub-assemblies and…
Produktfamilie
Thermopile-Module
 Unser Angebot an Sensormodulen umfasst eine Vielzahl von Thermopile-Sensoren und -Detektoren, die für optimierte Plug-and-Play-Integration bereits auf einer Leiterplatte mit einem Steckeranschluss vormontiert sind. Die TPMI-Sensormodule sind Umgebungstemperatur-kompensiert und für verschiedene Objekttemperaturbereiche kalibriert.
Product Category
IR-Licht-emittierende Dioden
IR-emittierende Dioden (IRED) sind Festkörper-Lichtquellen, deren Emissionspektrum im Nahinfrarotbereich bei Wellenlängen von 770 nm - 950 nm liegt. Die Emissionswellenlänge ist eng an der maximalen spektralen Empfindlichkeit von Silizium-basierten Photodioden und -Phototransistoren orientiert. Diese Produktlinie bietet eine umfassende Auswahl an Bauformen mit unterschiedlichen optischen Charakteristika und Ausgangsleistungen. Es stehen sowohl Gehäusetypen mit vertikaler und horizontalter Abstrahlcharakteristik sowie eine breite Palette von Emissionsstrahlprofilen (Abstrahlwinkel) zur Verfügung. These IREDs may be operated in either CW or pulsed operating modes.IREDs…
Produkt
OmniCure AC9-UV-LED-Härtungssystem für große Flächen
Die OmniCure® AC9-Reihe besteht aus luftgekühlten UV-LED-Härtungssystemen mit einer Peak-Bestrahlungsleistung von über 14 W/cm2 für schnelles Aushärten von Druckfarben, Klebstoffen und Beschichtungen. Unsere AC9150, AC9150P, AC9225, AC9225P, AC9300 und AC9300P der AC9-UV-Module liefern eine hohe Performance über die gesamte Bestrahlungsbreite und erlauben schnelle Aushärtung bei kleinem Formfaktor.
Produkt
TPM 1T 0134 M kalibriertes Thermopile-Spiegel-Modul
TPMI Sensormodul: Dieser Typ ist für einfaches Plug-and-Play mit dem TPMI-Sensor auf einer Leiterplatte mit Steckverbinder ausgestattet. Der Sensor enthält einen Thermopilechip, sowie einen elektronischen Schaltkreis zur Umgebungstemperaturkompensation und Berechnung eines temperaturbezogenen Ausgangssignals.
Produkt
VTA2516H-H-SC-01-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 2,5 mm Teilung, CsI HE-Kristall
Das VTA2516H-H-SC-01-0 ist ein Photodioden-Array mit 2,5 mm Teilung und 16 Elementen, das für die Röntgenerkennung entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für die Hochenergie-Erkennung erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA2516H-L-Reihe für die Niedrigenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA2516H-L-NC-00-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 2,5 mm Teilung
Das VTA2516H-L-NC-00-0 ist ein Photodioden-Array mit 16 Elementen in jeweils 2,5 mm Teilung, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für den Niedrigenergie-Bereich erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA2516H-H-Reihe für die Hochenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA2516H-H-NC-00-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 2,5 mm Teilung
VTA2516H-H-NC-00-0 ist ein Photodioden-Array mit 2,5 mm Teilung und 16 Elementen, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für die Hochenergie-Erkennung erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA2516H-L-Reihe für die Niedrigenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA1616H-L-NC-00-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 1,6 mm Teilung
Das VTA1616H-L-NC-00-0 ist ein Photodioden-Array mit 16 Elementen in jeweils 1,6 mm Teilung, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für den Niedrigenergie-Bereich erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA1616H-H-Reihe für die Hochenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA1616H-H-NC-00-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 1,6 mm Teilung
VTA1616H-H-NC-00-0 ist ein Photodioden-Array mit 1,6 mm Teilung und 16 Elementen, das für die Röntgenerkennung konzipiert wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für die Hochenergie-Erkennung erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA1616H-L-Reihe für die Niedrigenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA2516H-L-SC-03-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 2,5 mm Teilung – GOS LE-Scintillator
Das VTA2516H-L-SC-03-0 ist ein Photodioden-Array mit 16 Elementen in jeweils 2,5 mm Teilung, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für den Niedrigenergie-Bereich erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA2516H-H-Reihe für die Hochenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA1616H-L-SC-03 – Si-PDA, 16-Elemente, 1,6 mm Abstand, GOS LE-Schirm
Das VTA1616H-L-SC-03-0 ist ein Photodioden-Array mit 16 Elementen in jeweils 1,6 mm Teilung, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für den Niedrigenergie-Bereich erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA1616H-H-Reihe für die Hochenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA1616H-H-SC-01-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 1,6 mm Teilung, CsI HE-Kristall
VTA1616H-H-NC-00-0 ist ein Photodioden-Array mit 1,6 mm Teilung und 16 Elementen, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für die Hochenergie-Erkennung erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA1616H-L-Reihe für die Niedrigenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA1216H-L-NC-00-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 1,2 mm Teilung
Das VTA1216H-L-NC-00-0 ist ein Photodioden-Array mit 16 Elementen in jeweils 1,2 mm Teilung, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für den Niedrigenergie-Bereich erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA1216H-H-Reihe für die Hochenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA1216H-H-NC-00-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 1,2 mm Teilung
VTA1216H-H-NC-00-0 ist ein Photodioden-Array mit 1,2 mm Teilung und 16 Elementen, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für die Hochenergie-Erkennung erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA1216H-L-Reihe für die Niedrigenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA1216H-L-SC-03-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 1,2 mm Teilung, GOS LE-Schirm
Das VTA1216H-L-SC-03-0 ist ein Photodioden-Array mit 1,2 mm Teilung und 16 Elementen, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für den Niedrigenergie-Bereich erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA1216H-H-Reihe für die Hochenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
VTA1216H-H-SC-01-0 – Si-PDA, 16 Elemente, 1,2 mm Teilung, CsI HE-Kristall
VTA1216H-H-SC-01-0 ist ein Photodioden-Array mit 1,2 mm Teilung und 16 Elementen, das für die Detektion von Röntgenstrahlung durch Konversion in sichtbares Licht entwickelt wurde. Es ist optional mit verschiedenen Szintillatorkristallen für die Hochenergie-Erkennung erhältlich. In Dualenergie-Systemen kann es mit unseren Photodioden-Arrays der VTA1216H-L-Reihe für die Niedrigenergiedetektion kombiniert werden.
Produkt
TPiM 1T 0134 und TPiM 1T 0234 kalibrierte Thermopile-Module
TPMI Sensormodul: Dieser Typ ist für einfaches Plug-and-Play mit dem TPMI-Sensor auf einer Leiterplatte mit Steckverbinder ausgestattet. Der Sensor enthält einen Thermopilechip, sowie einen elektronischen Schaltkreis zur Umgebungstemperaturkompensation und Berechnung eines temperaturbezogenen Ausgangssignals.
Produkt
Mag.x 125 Weitwinkel-Mikroskopsystem
Das Optem® mag.x System 125 repräsentiert eine neue Klasse optischer Systeme, die mikroskopähnliche Auflösungen mit großen Sichtfeldern ermöglichen und moderne hochauflösende Sensoren mit bis zu 57 mm Durchmesser unterstützen. Das extrem variable System ist vollständig modular aufgebaut und ist ideal einsetzbar im sub-Mikrometerbereich bei Inspektions- und Messanwendungen. The modular approach enables adaptation of the system to many applications ranging from a straightforward optical system without illumination to a full…
Application
Zahnmedizin
Die ergonomischen Intraoralkameras von Excelitas ermöglichen eine Interaktion mit dem Patienten durch hochauflösende Bilder und Videos. Diese Bilder werden durch eine automatische, schnell fokussierende Flüssiglinse scharf gehalten.
Product Category
Detektoren und Sensoren
Excelitas bietet photonische Detektionslösungen an, die von Silizium- und InGaAS-PINs und Avalanche-Photodioden zu Hybridempfängern und Photon-Counting Modulen reichen, um Hochleistungsanwendungen in der Großserienfertigung in einem breiten Spektrum von Märkten zu adressieren. Die thermischen IR-Sensoren von Excelitas repräsentieren eine breite Palette von pyroelektrischen Detektoren, Thermopile-Detektoren und IR-Sensormodulen, die zur Bewegungserkennung, Anwesenheitsüberwachung, Temperaturmessung und Gasdetektion eingesetzt werden.
Product Category
Photodioden und Arrays
Excelitas verwendet Silizium und IndiumGalliumArsenid Materialien für Photodioden zur Detektion im Wellenlängenbereich von 220 nm bis 1700 nm. Diese Photodioden werden in unterschiedlichen Chipgrößen angeboten, um den Kundenanforderungen hinsichtlich Empfindlichkeit, Geschwindigkeit und Bauform gerecht zu werden.  Many different types of photodiodes are available to serve various unique applications.Our photodiode arrays are used to generate an X-ray image by scanning an object line by line. Die Röntgenstrahlen werden mit Hilfe eines geeigneten Szintillatorkristalls in sichtbares Licht umgewandelt. The light…
Application
Physik und Materialwissenschaft
Excelitas-Laser, -Lampen, -Optik und -Detektion werden für eine Vielzahl von Anwendungen in der Physik und den Materialwissenschaften eingesetzt.
Product Category
Gepulste Xenon-Lichtquellenmodule
Excelitas PAX-Lichtquellen sind kompakte Systeme ausgestattet mit einer Blitzlampe, einer Triggerschaltung und einer Stromversorgung in einem EMI-abgeschirmten Gehäuse. The PAX family of compact, precision-aligned Xenon light engine modules is the ideal choice for clinical diagnostic, in-vitro diagnostics, life sciences, drug discovery, proteomics, and analytical instrumentation applications.Excelitas takes pride in providing specialty lighting products and solutions that help to…
Application
Thermometrie
Excelitas Technologies entwickelt und fertigt Infrarot (IR)-Thermopile-Sensoren für die medizinische Ohr- und Körpertemperatur-Thermometrie. Unsere IR-Thermopile-Sensoren reichen von analogen Standard-Detektoren über innovative thermoschockbeständige Lösungen und Varianten mit integrierter Optik bis hin zu „intelligenten“ Sensorlösungen einschließlich vorkalibrierter Sensoren mit integrierter Signalverarbeitung und digitaler Schnittstelle zur optimierten Integration.
Application
UV-Wasseraufbereitung
Die UV-Systeme von Excelitas nutzen hochenergetische ultraviolette (UV) Strahlung, um Wasser ohne chemische Zusätze zu desinfizieren. Dieses energieeffiziente und umweltfreundliche Behandlungsverfahren inaktiviert Mikroorganismen wie Bakterien, Viren und Parasiten und trägt gleichzeitig zum Abbau schädlicher organischer Verunreinigungen bei.
Product Category
UV-LED-Punkthärtungssysteme
Die OmniCure® LX-Serie an UV-LED-Punktstrahlern umfasst unseren kompakten LX500-Systemcontroller und die UV-LED MAX-Köpfe. Beides bildet ein komplettes UV-Härtungssystem mit hervorragender optischer Stabilität und Prozesskontrolle. Kombinieren Sie dieses mit unserem UV-LED-Radiometer und einer Auswahl an Fokussierungslinsen, Verlängerungskabeln und Montageklemmen für mehr Flexibilität.
Product Category
Blitzlampenkomponenten
Excelitas Xenon- oder Krypton-Blitzlampen erzeugen breitbandige Lichtpulse mit einer Dauer von Mikrosekunden bis Millisekunden, hohen Strahlungsintensitäten und Wiederholungsraten. Für Hochleistungs- und UV-Anwendungen werden unsere robusten Quarzgläser empfohlen. For lower-intensity applications, hard glass or borosilicate offer better economy without sacrificing performance.Excelitas offers an extensive assortment of lamp shapes for a range of applications and integrations. Comprehensive plug-in…
Product Category
Laser und Systeme mit SS-OCT
 Unsere Axsun™ Swept-Source Lasermodule für die optische Kohärenztomografie (SS-OCT) sind branchenweit für ihre erstklassige Leistungsfähigkeit und unübertroffene Zuverlässigkeit bekannt.  Systementwickler, Hersteller, Forscher und Unternehmer vertrauen bei der Auswahl eines hochwertigen und zuverlässigen Swept-Source-OCT-Lasermoduls auf Excelitas, um die Anforderungen in Bereichen wie der medizinischen Diagnostik, der industriellen Inspektion und der Qualitätskontrolle zu erfüllen oder zu übertreffen. Axsun tunable lasers are deployed in…
Product Category
Axsun
Axsun Technologies wurde 1998 gegründet und Anfang 2019 von Excelitas Technologies übernommen. Excelitas' Axsun product line utilizes an array of microelectromechanical systems (MEMS) and other micro-scale optical devices to manufacture industry-leading technology.Our Axsun optical integration technology is leading the way toward higher performance, more compact, more reliable, and more cost-effective subsystems and solutions in a variety of applications - from guidance…
Produkt
LightHammer 6 Mark II UV-Härtungssystem
Das Fusion UV LightHammer® 6 MARK II ist ein smartes Mikrowellen-UV-Härtungssystem mit einem 150-mm- (6 Zoll) Strahler und einer Leistungsklasse von 200 W/cm (500 W/Zoll).
Produkt
YAG-444 – Si PIN – 11,3 mm
Die YAG Serie an Silizium PIN-Detektoren von Excelitas Technologies sind hochleistungsfähige N- oder P-Typ-Si PIN-Photodioden in hermetischen TO-Gehäusen.
Produkt
YAG-200 – Si PIN – 5,1 mm
Die YAG Serie an Silizium PIN-Detektoren von Excelitas Technologies sind hochleistungsfähige N- oder P-Typ-Si PIN-Photodioden in hermetischen TO-Gehäusen.

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