Détecteurs de télémétrie laser
Excelitas s'engage à assurer la sécurité de nos soldats. Nous disposons d'un portefeuille de détecteurs et d'émetteurs en mesure de répondre aux besoins de diverses applications de télémétrie laser allant des systèmes portables et de commande de tir aux véhicules aériens sans pilote. Notre vaste gamme d'émetteurs et de détecteurs peut répondre à vos besoins en matière de télémétrie laser pour des applications standards et de type militaire. Nous offrons des produits standards prêts à l’emploi et des modèles personnalisés afin de répondre parfaitement à vos exigences.
Nous offrons également une gamme complète de photodiodes à avalanche (APD) ainsi qu'un vaste choix de diodes laser haute puissance pour une utilisation commerciale de la télémétrie. Nos offres comprennent : ADP au Si et InGaAs, APD au SI améliorées à proche infrarouge de 1060 nm, modules ADP et Si PIN, modules ADP InGaAs et diodes laser à impulsion.
C30950EH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, 50 MHz, TO-8
Le C30950EH est un module amplificateur à photodiode à avalanche au silicium (Si APD) avec une largeur de bande de 50 MHz qui comprend notre photodiode à avalanche au silicium (APD) C30817. Fort d'un diamètre utile de 0,8 mm, le C30950EH offre une bonne réponse entre 400 et 1100 nm dans un boîtier TO-8 modifié à 12 broches.
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C30659-UV-1 – Récepteur Si APD, 1 x 1 mm, 50 MHz, TO-8, améliorée UV
Le modèle C30659-UV-1 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée UV avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement avec un bruit ultra-faible.
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C30683 - Modules préamplificateurs APD avec TIA haute vitesse, TO-8
La série C30683 combine les photodiodes à avalanche (APD) d’Excelitas avec un amplificateur transimpédance (TIA) haute vitesse dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour la détection en très faible luminosité. Les modules offrent une bande passante allant jusqu’à 450 MHz, ce qui les rend idéaux pour des applications exigeantes.
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C30659-900-R5BH – Récepteur Si APD, 0,5 mm, TO-8, 200 MHz
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement fermé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-900-R5BH comporte une Si APD C30902EH avec une réponse de pointe à 900 nm et un diamètre actif de 0,5 mm.
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C30659-900-R8AH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, TO-8, 50 MHz
Les récepteurs APD optiques hybrides de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-900-R8AH comporte un Si APD C30817EH avec une réponse de pointe à 900...
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C30659-1060-3AH – Récepteur Si APD, 3 mm, TO-8, 50 MHz
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement fermé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1060-3AH est doté d'une Si APD C30956EH, optimisée à 1060 nm avec un diamètre actif de 3 mm.
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C30659-1060-R8BH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, TO-8, 200 MHz
Les récepteurs APD optiques hybrides de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1060-R8BH comporte un Si APD C30954EH, optimisé à 1060 nm...
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Récepteur Si APD C30659-1060E-R8BH, 0,8 mm, TO-8, 200 MHz, seuil de résistance élevé aux dommages
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement fermé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre appareil C30659-1060E-R8BH est équipé d'une Si APD C30954EH optimisée à 1060 nm avec un diamètre actif de 0,8 mm.
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C30659-1550-R08BH – Récepteur InGaAs APD, 80 um, TO-8, 200 MHz
Les récepteurs InGaAs APD de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit.
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C30659-1550E-R08BH – Récepteur InGaAs APD, 80 um, TO-8, 200 MHz, seuil de résistance élevé aux dommages
Les récepteurs InGaAs APD de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1550-R08BH comprend une InGaAs APD C30645EH optimisée à 1550 nm.
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C30659-1550-R2AH – Récepteur InGaAs APD, 200 um, TO-8, 50 MHz
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1550-R2AH comporte une InGaAs APD C30662EH, optimisée à 1550 nm.
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C30659-1550E-R2AH – Récepteur InGaAs APD, 200 um, TO-8, 50 MHz, seuil de résistance élevé aux dommages
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1550-R2AH comprend une InGaAs APD Excelitas C30662EH optimisée à 1550 nm.
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LLAM-900-R5BH – Récepteur Si APD, 0,5 mm, TO-66, 200 MHz, refroidisseur
Le LLAM-900-R5BH est un récepteur à photodiodes à avalanche (APD) à faible luminosité et haute vitesse analogique avec un diamètre actif de 0,5 mm dans un boîtier hermétiquement scellé. Le récepteur Si APD est équipé d'un refroidisseur thermoélectrique et offre une largeur de bande de 200 MHz.
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LLAM-1060-R8BH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, TO-66, 200 MHz, refroidisseur
Le LLAM-1060-R8BH est un récepteur en silicium à photodiodes à avalanche (Si APD) à faible luminosité et haute vitesse analogique avec un récepteur Si APD de 1060 nm. Ce récepteur Si APD équipé d'un refroidisseur thermoélectrique possède un diamètre actif de 0,8 mm et une largeur de bande de 200 MHz.
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LLAM-1060E-R8BH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, TO-66, 200 MHz, refroidisseur, seuil de résistance élevé aux dommages
Le LLAM-1060E-R8BH est un récepteur à photodiodes à avalanche (APD) à faible luminosité et haute vitesse analogique avec un récepteur APD en silicium de 1060 nm. Ce récepteur Si APD équipé d'un refroidisseur thermoélectrique possède un diamètre actif de 0,8 mm et une largeur de bande de 200 MHz.
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LLAM-1550-R08BH – Récepteur InGaAs APD, 80um, TO-66, 200 MHz, refroidisseur
Le LLAM-1550-R08BH est un récepteur à photodiodes à avalanche (APD) à faible luminosité et grande vitesse analogique, avec un récepteur InGaAs APD de 1550 nm et un refroidisseur thermoélectrique.
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LLAM-1550E-R08BH – Récepteur InGaAs APD, 80 um, TO-66, 200 MHz, refroidisseur, seuil de résistance élevé aux dommages
Le LLAM-1550E-R08BH est un récepteur à photodiodes à avalanche (APD) à faible luminosité et grande vitesse analogique avec un diamètre actif de 0,08 mm. Il est doté d'un refroidisseur thermoélectrique.
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LLAM-1550-R2AH – Récepteur InGaAS APD, 200 um, TO-66, 50 MHz, refroidisseur
Le LLAM-1550-R2AH est un récepteur à photodiodes à avalanche (APD) à faible luminosité et grande vitesse analogique avec un récepteur InGaAs APD de 1550 nm. Le récepteur InGaAs APD est équipé d'un refroidisseur thermoélectrique et offre une largeur de bande de 50 MHz.
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LLAM-1550E-R2AH – Récepteur InGaAs APD, 200 um, TO-66, 50 MHz, refroidisseur, seuil de résistance aux dommages élevé.
Le LLAM-1550E-R2AH est un récepteur à photodiodes à avalanche (APD) à faible luminosité et grande vitesse analogique avec un récepteur InGaAs APD de 1550 nm. Ce récepteur APD équipé d'un refroidisseur thermoélectrique possède une largeur de bande de 50 MHz et un seuil de résistance élevé aux dommages.
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