C30739ECERH-2 – Si APD auf Keramiksubstrat mit hoher Verstärkung
Die für den kurzwelligen Bereich optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30739ECERH-2 deckt den Spektralbereich von unter 400 nm bis über 700 nm ab. Mit geringem Rauschen, niedriger Kapazität und einer optimierten Empfindlichkeit im UV bei gleichzeitig hoher Verstärkung, bietet die Si APD eine Quantenausbeute von mehr als 70% bei 430 nm und ist für Anwendungen bei niedriger Lichtleistung, wie z. B. die molekulare Bildgebung, ausgelegt. Ihr keramisches Substrat ermöglicht eine einfache Handhabung und Kopplung an Szintillationskristalle wie LSO und BGO.
Hauptmerkmale:
- Si APD mit optimierter UV Empfindlichkeit
- Quantenausbeute von 70% bei 430 nm
- Flaches Keramiksubstrat – einfache Kopplung an Szintillatorkristalle
- Nichtmagnetisches Gehäuse
Anwendungen:
- Molekulare Bildgebung
- Nuklearmedizin
- Fluoreszenz-Erkennung
- Hochenergie Physik
- Sicherheit und Strahlungserkennung
- Umweltüberwachung
Aktive Fläche: 5,6 x 5,6 mm
Durchbruchspannung: 400, <450 V
Kapazität: 60 pF
Dunkelstrom: 1,5 nA
Verstärkung: >100
Rauschstrom:
Reaktionszeit: 2 ns
Empfindlichkeit: 26 A/W für C30739ECERH, 52 A/W für C30739ECERH-2 bei 430 nm und typischer Verstärkung
Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Rauschstrom: 0,3 pA/√Hz für C30739ECERH, 0,4 pA/√Hz für C30739ECERH-2
Wellenlänge: 400 nm – 700 nm
Aktive Fläche: 5,6 x 5,6 mm
Durchbruchspannung: 400, <450 V
Kapazität: 60 pF
Dunkelstrom: 1,5 nA
Verstärkung: >100
Rauschstrom:
Reaktionszeit: 2 ns
Empfindlichkeit: 26 A/W für C30739ECERH, 52 A/W für C30739ECERH-2 bei 430 nm und typischer Verstärkung
Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Rauschstrom: 0,3 pA/√Hz für C30739ECERH, 0,4 pA/√Hz für C30739ECERH-2
Wellenlänge: 400 nm – 700 nm