VTD31AH – Si PD, CLD31AA-äquivalent, Keramik, 16,73 mm2
Die VTD31AAH ist eine Silizium-Photodiode auf Keramiksubstrat, die mit klarem Epoxidharz beschichtet ist und ein CLD31AA-Industrieäquivalent darstellt. Diese Photodiode bietet einen niedrigen Dunkelstrom, schnelle Reaktion und einen weiten Erfassungsbereich.
Diese Silizium-Photodiode bietet eine aktive Fläche von 16,73 mm2 und ist für eine Spektralempfindlichkeit zwischen 400 nm und 1150 nm ausgelegt.
Bei unserer VTD-Serie handelt es sich um Photodioden, die in vielen Anwendungen als Industriestandard eingesetzt werden. Diese Photodioden weisen einen niedrigen Dunkelstrom bei Sperrvorspannung und ein schnelles Ansprechverhalten auf.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer bis IR-Spektralbereich
- Wellenlänge maximaler Intensität: 925 nm
- Mittelgroße aktive Fläche
- Niedriger Dunkelstrom
- Schnelle Ansprechzeit
- RoHS-konform
Anwendungen:
Pulsoxymetrie, Münzzähler, Automobil
Aktive Fläche: 16,73 mm2
Kurzschlussstrom: min. 150 µA bei 5 mW/cm2, 2850 K
Dunkelstrom: max. 50 nA bei 15 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 500 pF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1150 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 860 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±60 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)
Aktive Fläche: 16,73 mm2
Kurzschlussstrom: min. 150 µA bei 5 mW/cm2, 2850 K
Dunkelstrom: max. 50 nA bei 15 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: max. 500 pF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 400 nm bis 1150 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 860 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,55 A/W
Erfassungsbereich: ±60 Grad bei 50 % Empfindlichkeit (FWHM)