VTT9814FH – Si-Phototransistor, 0,192 mm2, hohe Verstärkung
Der VTT9814FH ist ein Silizium-Phototransistor in einem infrarotblockierenden, flachen T 1¾-Gehäuse. Dieser Phototransistor bietet eine hervorragende Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich.
Der VTT9814FH ist ein Silizium-Phototransistor in einem flachen T 1¾ Kunststoffgehäuse. Er ist Bestandteil der bewährten VTT-Silizium-Phototransistor-Baureihe. Mit einer zusätzlichen im Kunststoffgehäuse integrierten IR-Blockung bietet dieser Phototransistor ein ausgezeichnetes Ansprechverhalten im sichtbaren Spektralbereich (450 bis 700 nm) und stellt eine RoHS-konforme Alternative zu Cadmiumsulfid-Photozellen dar. Der VTT9814FH bietet eine geringe Streuung, die besonders für Umgebungslicht-Steuerungsanwendungen mit 50 bis 100 fc (500 bis 1000 lux) geeignet ist.
Hauptmerkmale:
- Empfindlichkeit an das sichtbare Sektrum angepasst ; Kunststoffgehäuse mit IR-blockierendenEigenschaften
- Niedriger Dunkelstrom
- RoHS-konforme Alternative zu Photozellen
Anwendungen:
- Straßenlichtschaltung
- Lichtsteuerung für Innen- und Außenbereiche (Dämmerungsschalter)
- Scheinwerfer-Dimmer für Kraftfahrzeuge
- Display-Kontraststeuerung
- Energieeinsparung
Aktive Fläche: 0,192 mm2
Kurzschlußstrom: min. 80 µA, max. 120 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 50 nA bei 5 V VCE
Spektralbereich: 450 nm bis 700 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 585 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 7 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Löt-Temperatur: max. 260°C
Aktive Fläche: 0,192 mm2
Kurzschlußstrom: min. 80 µA, max. 120 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom: max. 50 nA bei 5 V VCE
Spektralbereich: 450 nm bis 700 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 585 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 7 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Löt-Temperatur: max. 260°C