C30954EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 Gehäuse
Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30954EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 0,8 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.
Hauptmerkmale:
- Aktiver Durchmesser 0,8 mm
- Hohe Quantenausbeute bei 1060 nm
- Schnelle Reaktionszeit
- Weiter Betriebstemperaturbereich
- Geringe Sperrschichtkapazität
- Hermetisches Gehäuse
- RoHS-konform
- Peltier Kühler als Option verfügbar
Anwendungen:
- Entfernungsmessung
- LiDAR
- YAG-Laser Erkennung
Aktive Fläche: 0,5 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,8 mm
Durchbruchspannung: >300 V, 375 V, <475 V
Kapazität: 2 pF
Dunkelstrom: 50 nA
Verstärkungsfaktor: 120
Rauschstrom: 1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-5
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit:
- 75 A/W bei 900 nm,
- 36 A/W bei 1050 nm,
- 5 A/W bei 1150 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2,4 V/°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V – 450 V
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm
Aktive Fläche: 0,5 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,8 mm
Durchbruchspannung: >300 V, 375 V, <475 V
Kapazität: 2 pF
Dunkelstrom: 50 nA
Verstärkungsfaktor: 120
Rauschstrom: 1 pA/√Hz
Gehäuse: TO-5
Maximum der spektralen Empfindlichkeit: 900 nm
Empfindlichkeit:
- 75 A/W bei 900 nm,
- 36 A/W bei 1050 nm,
- 5 A/W bei 1150 nm
Anstiegs-/Abfallzeit: 2 ns
Temperaturkoeffizient: 2,4 V/°C
Betriebsspannnungsbereich: 275 V – 450 V
Wellenlänge: 400 nm – 1100 nm