Detektoren zur Laserentfernungsmessung

Excelitas hat sich der Sicherheit und dem Schutz unserer Truppen verpflichtet. Wir bieten ein Portfolio von Detektoren und Emittern an, die eine Vielzahl von Laser-Entfernungsmessungsanwendungen über tragbare und Feuerleitsysteme bis hin zu unbemannten Luftfahrzeugen abdecken. Unser breites Angebot an Emittern und Detektoren kann Ihre Anforderungen an die Laser-Entfernungsmessung für Standard- und militärspezifizierte Anwendungen bedienen. Wir bieten sowohl Standardprodukte als auch individuell angepasste Ausführungen an, um Ihr anspruchsvolles Lastenheft zu erfüllen.

Wir bieten auch ein vollständiges Sortiment an APD und Hochleistungslaserdioden für kommerzielle Entfernungsmessungsanwendungen an. Unser Angebot umfasst: Si- und InGaAs-APDs, 1060 nm NIR-verstärkte Si-APDs, Si-PIN- und APD-Module – InGaAs-APD-Module und gepulste Laserdioden.

Sensorlösungen für Verteidigungs-, Luft- und Raumfahrt- und Sicherheitsanwendungen – Katalog

C30950EH – Si APD-Empfänger, 0,8 mm, 50 MHz, TO-8 Gehäuse

Das C30950EH ist ein Silizium Avalanche-Photodioden (Si APD) Verstärkermodul mit 50 MHz Bandbreite und beinhaltet unsere C30817 Silizium Avalanche-Photodiode. Mit einem aktiven Durchmesser von 0,8 mm bietet das C30950EH ein gutes Reaktionsverhalten zwischen 400 nm und 1100 nm und wird in einem modifizierten TO-12-Gehäuse mit 8 Pins geliefert.

Detektoren zur Laserentfernungsmessung

C30950EH – Si APD-Empfänger, 0,8 mm, 50 MHz, TO-8 Gehäuse

C30659-UV-1 – Si APD Empfänger, 1x1 mm, 50 MHz, TO-8 Gehäuse, UV optimiert

C30683 – APD-Vorverstärkermodule mit Hochgeschwindigkeits-TIA, TO-8

C30659-900-R5BH – Si-APD Empfänger, 0,5 mm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz

C30659-900-R8AH – Si-APD Empfänger, 0,8 mm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz

C30659-1060-3AH – Si-APD Empfänger, 3 mm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz

C30659-1060-R8BH – Si-APD Empfänger, 0,8 mm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz

C30659-1060E-R8BH – Si-APD Empfänger, 0,8 mm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz, hohe Zerstörschwelle

C30659-1550-R08BH – InGaAs-APD Empfänger, 80 µm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz

C30659-1550E-R08BH- InGaAs APD-Empfänger, 80 µm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz, hohe Zerstörschwelle

C30659-1550-R2AH –InGaAs APD-Empfänger, 200 µm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz

C30659-1550E-R2AH – InGaAs APD-Empfänger, 200 µm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz, hohe Zerstörschwelle

LLAM-900-R5BH – Si APD-Empfänger, 0,5 mm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement

LLAM-1060-R8BH – Si APD-Empfänger, 0,8 mm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement

LLAM-1060E-R8BH – Si APD-Empfänger, 0,8 mm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement, hohe Zerstörschwelle

LLAM-1550-R08BH – InGaAs APD-Empfänger, 80 um, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement

LLAM-1550E-R08BH – InGaAs APD-Empfänger, 80 µm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement, hohe Zerstörschwelle

LLAM-1550-R2AH – InGaAs APD-Empfänger, 200 um, TO-66 Gehäuse, 50 MHz, Peltier Kühlelement

LLAM-1550E-R2AH – InGaAs APD-Empfänger, 200 um, TO-66 Gehäuse, 50 MHz, Peltier Kühlelement, hohe Zerstörschwelle

C30659-1550-R2AH –
InGaAs APD-Empfänger, 200 µm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz

C30659-1550E-R2AH –
InGaAs APD-Empfänger, 200 µm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz, hohe Zerstörschwelle