Numéro de pièce
C30724EH
C30724EH – PDA Si, 500 um, TO
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30724EH se caractérise par une sensibilité de pointe de 920 nm et un faible coefficient de température dans un boîtier TO en métal.
Nos photodiodes à avalanche (PDA) de la série C30724 offrent une grande sensibilité dans la gamme de longueur d'onde de 800 à 950 nm et sont conçues pour répondre aux besoins d'applications peu coûteuses et à volume élevé. Le C30724EH est dans un boîtier TO-18 hermétique. Le C30724EH-2 est un TO-18 modifié avec un filtre passe-bande étroite de 905 nm intégré. Et pour finir, le C30724PH est encapsulé dans un boîtier plastique TO-18.