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pco.scheimpflug相机适配器供您轻松调整成像系统的焦平面。通过将镜头相对于图像传感器倾斜，此设置可以改变焦平面的角度，使您能够在单张图像中实现选择性对焦，并提升三维物体的清晰度。
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Enhance your imaging system with our liquid cooler pco.aquamatic III to lower sensor temperatures and minimize dark current noise for improved signal-to-noise ratio and image quality during extended exposures. Liquid cooling offers an elegant solution for applications sensitive to vibrations (originating from the fan for forced air cooling) by locally separating the pump system from the actual imaging equipment. The pco.aquamatic III ensures optimal cooling conditions for your demanding…
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埃赛力达提供全面的相机配件精选产品，使您的PCO成像系统适应您应用的特定需求。精选产品包括用于图像数据传输的外围设备、标准化镜头接口的可更换适配器或专用附件，比如我们的pco.aquamatic III液体冷却系统。点击下方产品页面了解详情，或联系我们探讨您的定制要求。
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超紧凑型nPAX-N2是一种2瓦特脉冲氙气光源，提供包含闪光灯、触发电路、电容器充电电源、安装法兰和精确电弧对准的集成解决方案。小尺寸和高稳定性使nPAX-N2系列成为即时分析仪器和环境分析的理想选择。
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集成金属陶瓷X射线管的高功率Omniblock® (180 kV @ 13.3 mA)系统。这种坚固的完整X射线发生器系统可在旋转机架设备中承受高达20 G（rms）的加速度力，可用于安全、食品检验、医疗和工业无损检测应用中。
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集成金属陶瓷X射线管的中等功率Omniblock® (160 kV @ 8 mA)系统。这种坚固的完整X射线发生器系统可在旋转机架设备中承受高达15 G（rms）的加速度力，可用于安全、食品检验、医疗和工业无损检测应用。
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-25 kV、10 mA 250瓦特电源采用高频准谐振开关模式设计，该设计采用基于绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电源逆变器，并具有完全空气绝缘的高压部分。该系统的容错设计提供了开路和短路保护。高频开关设计的优点之一是储存能量低，可快速响应瞬态变化，增强对负载与设备操作员的保护。
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高压电源通常由EMI（电磁干扰）滤波器、PFC（功率因数校正）电路、整流器、逆变器、高压变压器、乘法器/整流器滤波器、高压分压器和反馈控制系统组成。这些设计组件在电路中的配置方式取决于高压电源的类型以及设计工程师为满足规格所采用的拓扑方法。
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Excelitas’ modularly designed Switch Mode Capacitor Charging power supplies are power-efficient and thermally efficient designs with various schemes available for nearly every application. The switch-mode topology helps solve power dissipation and efficiency challenges often found in today’s demanding, innovative, and technologically advanced applications. There are multiple factors to consider when designing and sizing the appropriate power supply for your application. With a complete…
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The Cermax® ME1600D-13FHM and ME1600DFM are advanced, metal-body elliptical and parabolic Xenon lamps and modules for demanding, high-performance industrial applications. This family of Cermax Xenon lamps is the light engine of choice for a broad array of end-uses from rapid semiconductor wafer inspection, to lightweight, aircraft-mounted searchlights. Excelitas' patented Cermax Xenon lamps provide manufacturers and consumers with numerous advantages over conventional ultra-high…
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集成X射线玻璃球管的低功率Omniblock®(160kV @ ≤4mA)系统。这种坚固的完整X射线发生器系统可在旋转机架设备中承受高达20G（rms）的加速度力，可用于安全、食品检验、医疗和工业无损检测应用。
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埃赛力达的Axsun数据采集(DAQ)板产品线专为扫频光源OCT系统设计和优化，OCT系统由我们市场领先的扫频激光提供动力。无需在与第3方的通用数字转换器连接时采用昂贵的未知元件——Axsun的集成引擎解决方案解放了您的宝贵资源，让您专心改善应用和终端用户体验。
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Omniblock® X-ray generators from Excelitas integrate the high-voltage source and X-ray tube into one consolidated housing. This design configuration eliminates the high-voltage cables and connectors reducing cost while improving system design flexibility and streamlining integration. They are specifically designed for generating X-rays in static or rotating applications using proven designs of up to 180 kV and 2.4 kW. Typical applications for Omniblock X-ray generators include…
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Higher-voltage and Higher-power Supplies require more complex design solutions. The heat to be dissipated and installation infrastructure, plus choice of insulation system in a HVPS are driven by the output voltage and output power which ultimately dictates packaging. Typical insulation systems are based on air, dielectric oil, epoxy, RTV Silicone and even Sulfur Hexafluoride (SF6). The method of cooling is a factor as well, the choices often coming down to air, water or oil,…
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Excelitas Capacitor Chargers are tailored to meet your exact needs by configuring modular platforms based on proven designs. Single-phase AC input designs are capable of up to 6 kW of output power and our three-phase designs provide up to 35 kW of output power. A modular design approach results in lower cost, higher reliability, and faster time-to-market. Typical applications for capacitor charging power supplies include flashlamp pumped laser systems (Nd: YAG, pulsed lasers, dye lasers,…
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Cermax® VQ抛物面金属氙灯，是对性能和可靠性要求极高的医疗照明领域的首选解决方案。Cermax VQ金属灯体系列的色彩呈现无与伦比，这使得Cermax氙灯成为20年来的医疗行业标准。
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我们的Cermax® VQ和ME氙灯是一款拥有小巧金属主体的短弧氙灯，具有精密切割的内部反射镜，以及金属-蓝宝石和陶瓷密封结构。Cermax VQ和ME氙灯不仅安全，还非常小巧，可以替代传统石英气泡氙灯，是新氙灯照明设计的推荐用灯。
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Our Axsun™ Swept-Source Optical Coherence Tomography (SS-OCT) laser engines are known industry-wide for best-in-class performance and unmatched reliability. System developers, manufacturers, researchers, and entrepreneurs turn to Excelitas when they need a high-quality, reliable swept-source OCT laser engine that meets or exceeds requirements in applications ranging from medical diagnostics to industrial inspection and quality control. Axsun tunable lasers are deployed in…
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Cermax® Xenon is a trusted brand name that is virtually synonymous with medical lighting applications and high-intensity, perfect white, bright light, whether for endoscopic illumination, surgical headlamps, or robotic surgery equipment. Since the introduction of our short-arc Xenon lamps in the early 1980s, the Cermax Xenon brand can be found in over 90% of hospitals worldwide.Offered in both metal-body and ceramic-body designs, the Cermax Xenon short-arc lamp are uniquely…
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LQPGAU1S03是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。以100ns脉宽进行测试，它在通入10A的电流时提供24 W功率，并有多种封装形式。
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LTPGAU 1 S 09是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为225µm的单堆叠三腔芯片组成。以100 ns宽脉冲测得其在30 A电流条件下具有75 W功率，并具有多种其他包装。
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LTPGAU 1 S 03是采用金属封装的高效905 nm脉冲激光二极管，由条纹宽度为75µm的单堆叠三腔芯片组成。以100 ns宽脉冲测得其在10 A电流条件下具有24 W功率，并具有多种其他包装。
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Modularly designed switch-mode capacitor charging power supplies are power-efficient and thermally efficient designs with various schemes available for nearly every application. The switch-mode topology helps solve power dissipation and efficiency challenges often found in today’s demanding, innovative, and technologically advanced applications. There are multiple factors to consider when designing and sizing the appropriate power supply for your application. A complete understanding of all…
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感谢您选择埃赛力达SPCM来满足您的单光子探测需求。本产品支持页面旨在提供包含有用资源的材料，帮助您开始设置并使用您的SPCM。下载用户手册，获取全面指南，带您了解新SPCM的所有信息。我们将定期添加包括应用说明在内的其他资源，以进一步满足您的需求。
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埃赛力达LS-6是6瓦特脉冲氙灯光源，该光源设计封装了最先进的电路和元器件，可提供微秒级脉宽、具有出色的光弧稳定性的宽带光。紧凑的集成解决方案在EMI抑制外壳中封装了闪光灯、触发电路和电源。
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LLAM-1550E-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该APD接收器模块包含热电致冷器，可提供50 MHz的带宽和高损伤阈值。
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LLAM-1550-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该InGaAs APD接收器包含一个热电致冷器，并提供 50 MHz的带宽。
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LLAM-1550E-R08BH是一种高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器，其感光直径为 0.08mm，并配有热电致冷器。
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LLAM-1550-R08BH包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块，具有热电致冷器。
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包含1060 nm硅（Si）APD的LLAM-1060E-R8BH高速，低光模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。这款Si APD具有热电致冷器，可提供0.8 mm的感光直径和200 MHz的带宽。
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LLAM-1060-R8BH包含1060 nm Si APD的高速，低光探测模拟硅雪崩光电二极管（Si APD）接收器模块。该 (Si APD) 具有热电致冷器，可提供0.8感光直径和200 MHz带宽。
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LLAM-900-R5BH是具有0.5mm感光直径，采用气密封装的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器。该Si APD接收器具有一个热电致冷器，并提供200 MHz的带宽。
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Excelitas is committed to keeping our troops safe and secure. We provide a portfolio of detectors and emitters that can satisfy a variety of laser range finding applications, from man-portable and fire control systems to unmanned air vehicles. Our wide range of emitters and detectors can satisfy your laser range finding requirements for standard and mil-spec applications. We offer both standard off-the-shelf products and custom designs to meet your exacting specifications.We also offer a full…
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埃赛力达混合光电APD接收器模块在同一密封包装内同时封装PIN或APD光电检测器和跨阻放大器。将放大器和光电检测器都放在同一封装中，可以减少从周围环境中拾取噪声并减少互连寄生电容，从而实现较低噪声运行。
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埃赛力达基于LED的Kepri™紫外线上层空气消毒系统可对房间上层空气进行实时消毒，而不受房间占用情况的影响。我们的Kepri紫外线上层空气消毒系统具有真正独特的设计，能够安全有效地对室内空气进行消毒，而不会释放任何有害或不环保的臭氧气体。
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Excelitas specializes in the design and manufacture of flashlamps to meet the most demanding requirements for industrial applications. Available in quartz envelop materials, our industrial flashlamps are offered in electrode technologies to perfectly match with customer specifications. With decades of experience working with OEMs worldwide, Excelitas is well equipped to support and guide customers through the development process and ensure optimum flashlamp performance and reliability for…
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Excelitas offers flashlamps designed and manufactured specifically for the growing market of Intense pulsed light (IPL), hair removal, skin treatment and skin laser applications. Linear shaped lamps are most widely used in these applications. Our flashlamps are available in quartz envelope materials well suited for low to high power applications. The most common operating modes of these flashlamps are burst modes and normal free capacitor discharge. A range of trigger transformers and add-ons…
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Excelitas offers advanced, energy-efficient UVC LED systems to ensure safe and effective disinfection without producing harmful ozone gas. Our UVC LED solutions include real-time upper-air disinfection, and fully customized UVC LED disinfection systems designed to meet specific customer requirements. We specialize in LED assembly, optical design for optimized light delivery, thermal management, intelligent power controls, and mechanical enclosure design. Together, these elements create…
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埃赛力达为科研人员和系统设计工程师提供了一系列可调谐激光器解决方案，可提供最大的波长选择性、频率可调谐性、最宽的调谐带宽以及最大的输出控制。我们提供即用型和定制型激光引擎解决方案，以满足您最严格的单线或多线波长应用需求。
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kineFLEX®是用于精密测量应用的可靠激光束传输系统。该系统围绕预聚焦和集成光学组件进行设计，光纤可自动与您的激光参数进行模式匹配，从而实现高于60%的传输效率。
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kineMATIX®是我们的专利型光电机械耦合底座，用于将iFLEX®激光系统光束对准单模光纤。kineFLEX®光纤传输系统随附有一只kineMATIX机械调节器。
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kineFLEX-HPV™和kineFLEX-UV™都是可靠的激光束传输系统，适用于大功率、波长范围在405--640nm的单波长光，以及波长为355nm和375nm的UV光。这些光纤传输系统围绕预聚焦和集成光学组件进行设计。光纤会自动与您的激光器参数进行模式匹配，以实现高于65%的传输效率，并保证性能在大多数波长下能够达到500mW的大功率水平。
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kineFLEX®是一套坚固耐用的单模、保偏光纤传输系统，适用于大多数激光器。我们的产品拥有全球最佳的光束指向稳定性，使其成为许多成像和精密测量应用的行业标准。该光纤传输系统包括：集成有经过预先聚焦并针对激光器进行了优化的输入光学器件、输出光学器件或连接器，以及光纤耦合器。
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Excelitas pioneered the development of flashlamps to meet demanding high peak and average power conditions, such as those required by flashlamp pumped laser welders, medical lasers for dermatological and other surgical procedures, and weathering. By combining our proprietary Series 2000 cathode technology with the highest quality quartz envelopes, customized gas mixtures and impedance adjustments, our flashlamps are perfectly matched to our customer specifications while ensuring the longest…
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The process that effects the initial ionization within a Xenon flashlamp is known as "triggering.” Triggering creates a voltage gradient in the gas of sufficient magnitude to cause ionization of the lamps. Most flashlamp applications use a trigger coil, also referred to as a trigger transformer, to produce high-voltage pulses of short duration, usually a few microseconds or less. Excelitas offers a wide array of trigger coils, that come in a variety of sizes with a high voltage…
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埃赛力达FX-1100系列短弧氙气闪光灯是敞口式弧光闪光灯，可产生具有高辐射强度的微秒级脉宽的宽带光。FX-1100系列闪光灯具有出色的光弧稳定性和较长的使用寿命，因此成为精密光度学、辐射度学和分光辐射度学中不可或缺的组件。
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HPR-1100BGH是一款大面积硅PIN放大器模块，具有2.5毫米感光直径芯片，采用密闭式TO封装。HPR-1100光电二极管使用外部反馈电阻器来提高带宽灵活性。
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埃赛力达EXACTD®平台专为在激光预警接收器系统中使用而设计，用于从来自激光测距仪、目标指示器和有源激光电光(E.O.)系统的直接和间接散射光中探测和提供精确的到达角(AoA)信息。
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埃赛力达的Axsun扫频OCT激光器产品系列在调谐带宽、输出功率、扫频速度和相干长度方面实现了无与伦比的平衡，为下一代光学相干断层成像系统带来卓越性能。基于我们微光学集成能力和获得专利的MEMS可调谐滤光片的独特设计让高度可扩展的Axsun激光平台成为OCT系统厂商在众多医疗和非医疗市场中的首选。
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Excelitas’ line of Axsun IntegraSpec® XL NIR spectrometers offer an unmatched combination of fast measurement speed, high spectral resolution and signal-to-noise ratio (SNR) for process monitoring applications. Based on Axsun’s MEMs tunable laser technology, the IntegraSpec XL line addresses a wide range of NIR spectroscopic process applications in vapor, liquid and solid phase measurements. The IntegraSpec XL is designed for either single point, or multiplexed detector…
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FND-100GH是具有2.5mm感光直径的大面积硅PIN光电二极管，采用密封TO-5封装，带有玻璃窗口。该光电二极管提供从400 nm到1150 nm的高响应度，在920 nm处具有峰值响应度。它还具有超快的上升和下降时间、低NEP和低工作电压。
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FFD-200H是一种大面积硅PIN光电二极管，感光直径为5.0 mm，采用TO-8密封封装。这种光电二极管在400 nm至1150 nm之间提供高响应度，峰值响应度在850 nm处。它还具有超快的上升和下降时间、低NEP和低工作电压。
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FFD-100H是一种大面积硅PIN光电二极管，采用TO-5密封封装，感光直径为2.5 mm。这种光电二极管在400 nm至1150 nm之间产生高响应度，峰值响应度在920 nm处。它具有超快的上升和下降时间、低NEP和低工作电压。
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埃赛力达EXACTD®平台专为在激光预警接收器系统中使用而设计，用于从来自激光测距仪、目标指示器和有源激光电光(E.O.)系统的直接和间接散射光中探测和提供精确的到达角(AoA)信息。
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Silicon PIN photodiodes are available in a wide variety of active areas to accommodate various applications. The PIN structure allows high quantum efficiency and fast response for detection of photons in the 400 nm to 1100 nm range.Our YAG Series offers an exceptional 0.4 A/W at 1060 nm by using a thick silicon material.
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Excelitas is the world leader in laser warning detectors, including the Excelitas EXACTD series for ground vehicle, naval vessels, and fixed or rotary wing aircraft Laser Warning Systems. Excelitas Silicon and InGaAs photodiodes provide detection from 220 nm to 1700 nm. These devices are offered in a variety of sizes to meet customer sensitivity and speed requirements.
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Process control solution providers now have access to high performance micro-spectrometers designed to provide high resolution spectral data for Process Analytical Technology (PAT)/Pharmaceutical applications, real-time process control in Oil and Gas applications, and for general manufacturing process measurements with the IntegraSpec XL™. Excelitas' line of Axsun NIR Analyzers are designed to support methods development and provide for an easy conversion from the lab to the…
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Excelitas offers fully customized UVC LED disinfection solutions aligned with customer requirements to deliver an optimized germicidal solution. These UVC custom solutions can be uniquely designed and tailored for specific market applications while creating customer value. Our design engineering expertise includes chip-on board LED assembly, optical design for optimized light delivery, thermal management, power controls with intelligent monitoring and feedback, as well as…
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DPGAS1S09H是采用金属封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225 µm的单堆叠单腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为50W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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DPGEW1S09H是采用塑料封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为225 µm的单堆叠双腔芯片组成。经测试，在30A电流下，其输出功率为45W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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DPGEW1S03H是采用塑料封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75 µm的单堆叠双腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为13W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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埃赛力达CGA 0414 BO线性闪光灯采用B1外壳结构，阳极电压范围为250 - 600 V，标称工作电压为400 V。在250小时的使用寿命中，它能够达到5- 300 Hz的闪光频率。
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埃赛力达提供定制LED照明解决方案和集成，以在广泛的工业和安全要求方面满足客户的独特系统要求。通过我们富有经验的设计、工程和制造实力，我们与客户建立工程师直接对接的协作关系，帮助他们加快新产品的上市。
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CERLED®于1979年获得专利，成为世界上首款表面贴装器件（SMD）LED。埃赛力达提供广泛的标准CERLED产品，涵盖紫外、可见和红外光谱范围。除了在高导热性的陶瓷基片上提供LED产品外，CERLED系列还采用了CERLED光电晶体管、PIN型光电二极管和波长选择性光电二极管。
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DPGAS1S03H是采用金属封装的高效率905 nm脉冲激光二极管，由条带宽度为75 µm的单堆叠双腔芯片组成。经测试，在10A电流下，其输出功率为16W，脉冲宽度为100 ns，亦可提供多种其他封装。
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埃赛力达CIPRM系列平衡式光学接收器采用我们的高性能InGaAs光电二极管和低噪声、高增益跨阻放大器，提供实用的解决方案来探测入射光学信号中高于干扰本底噪声的微小变化。其优点在于抵消了常见光学噪声。
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PCO offers a variety of supporting documentation, software and drawings for all cameras and systems, including discontinued products. Please refer below to the relevant product to download applicable documentation and complimentary software.If you require technical support or have a specific request about our PCO cameras, please contact us using the PCO Support Request Form.
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C30950EH是一种50 MHz带宽的硅雪崩光电二极管(Si APD)放大器模块，并包括我们的C30817硅雪崩光电二极管(APD)。C30950EH的有效直径为0.8 mm，可在400至1100 nm之间提供良好的响应，并采用经过修改的12引脚TO-8封装。
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埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD，可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式（VOP < VBD）以检测单光子，或用于线性模式（VOP > VBD），增益高达250。
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埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD，可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式（VOP < VBD）以检测单光子，或用于线性模式（VOP > VBD），增益高达250。
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埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD，可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式（VOP < VBD）以检测单光子，或用于线性模式（VOP > VBD），增益高达250。
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埃赛力达的C30902SH雪崩光电二极管为高速、大面积的硅基APD，可保持较低的噪声水平并提供较高的响应度。其被特别选择用于盖革模式（VOP < VBD）以检测单光子，或用于线性模式（VOP > VBD），增益高达250。
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C30822EH是一种硅PIN光电二极管，芯片感光直径为5.0 mm，采用TO-8密封封装，专为300 nm至1100 nm波长范围而设计。此产品系列具有从0.8 mm²到100 mm²的广泛光敏表面积。
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C30808EH是一种硅PIN光电二极管，在TO-5密封封装中有一个2.5 mm感光直径芯片，专为300至1100 nm波长范围而设计。该产品系列具有0.8 mm²到100 mm²的广泛光敏表面积。
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C30807EH是高品质的N型硅PIN光电二极管，在气密TO-18封装中有一个1.0 mm感光直径芯片，专为300 nm至1100 nm波长范围而设计。此产品系列具有0.8 mm²到100 mm²的广泛光敏表面积。
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C30845EH是高品质的N型硅PIN象限光电二极管，采用气密TO-8封装，专为300至1100 nm波长范围而设计。由于面积大(50 mm²)，该器件可用于从脉冲或连续波模式下的聚焦和散焦点获得位置信息。
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C30956EH大面积、长波长、增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供3 mm感光面直径，在1060 nm具有高量子效率。这种Si APD采用TO-8封装设计，使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波长响应经过了增强，不会产生任何不良影响。
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C30955EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(APD)提供1.5 mm感光面直径和1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强，不会产生任何不良影响。
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The C30927EH-03 quadrant silicon avalanche photodiode with 1.55 mm useful diameter is designed with a double diffused "reach-through" structure. The quadrant structure has a common avalanche junction, with separation of the quadrants achieved by segmentation of the light-entry p+ surface opposite the junction. With this design, there is no dead space between the elements and therefore no loss of response at boresight.The C30927EH-03 is optimized for operating at 800 nm, providing high…
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The C30927EH-02 quadrant silicon avalanche photodiode with 1.55 mm useful diameter is designed with a double diffused "reach-through" structure. The quadrant structure has a common avalanche junction, with separation of the quadrants achieved by segmentation of the light-entry p+ surface opposite the junction. With this design, there is no dead space between the elements and therefore no loss of response at boresight.The C30927EH-02 is optimized for operating at 900 nm, providing high…
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C30927EH-01四象限硅雪崩光电二极管的有效直径为1.55 mm，其设计采用双扩散“直通”结构。
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埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD，在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的，提供多种TO-18封装配置，如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。
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埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD，在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的，提供多种TO-18封装配置，如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。
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埃赛力达的C30902EH 雪崩光电二极管是高速、大面积硅穿透式APD，在低噪声下提供高响应性。它们是专为要求典型增益大于100的低光应用而设计的，提供多种TO-18封装配置，如平板玻璃、球透镜、光管和905 nm滤光片。
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C30884EH硅雪崩光电二极管(Si APD)提供极高的调制能力，具有高响应度以及快速的上升和下降时间。由于下降时间特征没有“拖尾”，器件的响应度与最高约400 MHz的调制频率无关。这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成，针对1000 nm以下波长的高响应度进行了优化。
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通用C30817EH硅雪崩光电二极管采用双扩散“穿透式”结构设计。这种结构能够在400至1100nm之间提供高响应度，并能在所有波长下实现极快的上升和下降。由于下降时间特征没有“拖尾”，器件的响应度与最高约200 MHz的调制频率无关。
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利用我们的象限PIN和雪崩光电探测器可以实现精确的光束定位。它们采用4以掺杂工艺制成的扇形象限截面设计，从而将每个象限之间的“盲区”空间减少到几乎为零。他们的结构允许在400到1100nm范围内检测光子的高量子效率和快速响应。
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C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计，这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强，不会产生任何不良影响。
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使用双扩散“穿通”结构制作了1064nm长波长增强型硅APD (C30954EH、C30955EH和C30956EH)。这些光电二极管的设计增强了它们在长波的响应（即>900 nm），并且没有产生任何不良影响。这些APD在1060 nm处的量子效率高达40 %。
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埃赛力达C30927系列雪崩光电二极管（APD）阵列和象限探测器采用双扩散“穿透式”结构，从根本上消除了象限之间的盲区，以获得最佳性能。这种结构在400 nm到1000 nm范围内提供超高灵敏度。根据探测器不同的峰值工作波长（包括800、900和1060 nm），提供三种不同的产品型号。
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对于需要以高速和低噪声进行从400 nm到1100 nm的光子检测的应用，高性能的后入“穿透式”硅APD在成本和性能方面提供了最佳折衷方案。这些硅APD具有低噪声、高量子效率和高增益的特点，同时保持了相当低的工作电压。感光面积从0.5 mm到3 mm不等。
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C30733系列结合了多种高增益InGaAs雪崩光电二极管（APD）产品，具有30µm的有效感光面积。埃赛力达InGaAs APD可在1000nm至1700nm的光谱范围内提供高量子效率（QE）、高响应度和低噪声。这些器件以密封的TO-18封装形式或作为FC/ACP单模光纤尾纤提供。
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C30737LH-500-92N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供500 µm感光直径，以及增强的900 nm响应和905 nm光学滤光片。
产品
C30737MH-500-90N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚叠层载体(LLC)中提供500 µm的感光直径和增强的900 nm响应。
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C30737LH-500-90N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供500 µm感光直径和增强的900 nm响应。
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C30737PH-500-90N硅雪崩光电二极管(APD)在塑料T 1¾封装中提供500 µm的感光直径和增强的900 nm响应。
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C30737LH-500-83N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无铅陶瓷载体(LCC)中提供500µm的感光直径，以及增强的800nm响应和650 nm光滤光片。
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C30737LH-500-81N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供500µm的感光直径，以及增强的800 nm响应和635 nm光学带通滤光片。
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C30737MH-500-80N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚叠层载体(LLC)中提供500 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
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C30723GH是一款大面积InGaAs PIN光电二极管，配备5.0 mm的感光直径芯片，采用TO-8封装和平板玻璃窗口。该光电二极管提供从800 nm 到1700 nm的高量子效率。它具有高响应度、高分流电阻、弱暗电流、低电容特性以缩短响应时间，并在探测器感光面积内保持2%的均匀性。
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C30737LH-500-80N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供500µm的感光直径和增强的800 nm响应。
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C30737PH-500-80N硅雪崩光电二极管(APD)在塑料T 1¾封装中提供500 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
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C30737LH-300-73N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供300 µm的感光直径，以及增强的800 nm响应和650 nm的光学带通。
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C30737LH-300-72N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供300 µm的感光直径，以及增强的800nm响应和905 nm光学滤光片。
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C30737LH-300-71N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供300 µm的感光直径，以及增强的800 nm响应和635 nm光学带通滤光片。
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C30737LH-300-70N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供300µm的感光直径和增强的800 nm响应。
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C30737LH-230-83N硅雪崩光电二极管(Si APD)在无引脚陶瓷载体(LCC)中提供230µm的感光直径、增强的800 nm响应和650 nm光学带通滤光片。
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C30737LH-230-81N硅雪崩光电二极管（SI APD）在无引脚陶瓷载体（LCC）中提供230µm的感光直径，以及增强的800nm响应和635nm光学带通。
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C30737MH-230-80N硅雪崩光电二极管(APD)在无引脚叠层载体(LLC)中提供230µm的感光直径和增强的800 nm响应。
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C30737LH-230-80N硅雪崩光电二极管（Si APD）在无引脚陶瓷载体（LCC）中提供230 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
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C30737PH-230-80N硅雪崩光电二极管(Si APD)在塑料T 1¾插入式封装中提供230 µm感光直径和增强的800 nm响应。
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C30739ECERH-2短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应，并且在430 nm处的量子效率高于70%，专为低光度应用而设计，如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。
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C30737CH-300-70硅雪崩光电二极管（Si APD）采用无引脚叠层载体（LLC），提供300 µm的感光直径和增强的800 nm响应。
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C30739ECERH短波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)覆盖从小于400 nm到大于700 nm的光谱范围。这种Si APD具有低噪声、高增益、低电容和增强的紫外响应，并且在430 nm处的量子效率高于70%，专为低光度应用而设计，如分子成像。其陶瓷载体封装允许轻松处理和耦合到诸如LSO和BGO等闪烁晶体。
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C30703FH-200硅雪崩光电二极管（Si APD）的尺寸为10 mm x 10 mm，设计用于超大面积，并采用适用于辐射探测的扁平封装。C30703 Si APD具有增强的蓝光波长响应，以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。
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C30703FH系列硅雪崩光电二极管（Si APD）的尺寸为10 mm x 10 mm，设计用于超大面积，并采用适用于辐射探测的扁平封装。Si APD C30703具有增强的蓝光波长响应，以及在~ 530 nm处有峰值量子效率。
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大面积UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD），旨在用于光谱范围从400 nm以下到700 nm以上的各种宽泛的弱光检测应用。这些低噪声、低电容和高增益硅APD可采用扁平封装，用于直接检测或便于匹配闪烁晶体。
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The C30665GH-LC is a large-area InGaAs PIN Photodiode with a 3.0 mm active diameter chip in TO-5 package and a flat glass window. This photodiode provides high quantum efficiency from 800 nm to 1700 nm. It features a special ultra-low capacitance of only half of the standard type capacitance, therefore exhibiting twice the 3 dB bandwidth, high responsivity, high shunt resistance and low dark current. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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C30683系列将埃赛力达的雪崩光电二极管（APD）与高速跨阻放大器（TIA）集成在一个气密密封的TO-8封装中，用于极弱光环境的检测。该模块提供高达450 MHz带宽，使其成为要求苛刻的应用的理想选择。
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The C30642GH-LC is a large-area InGaAs PIN Photodiode with a 2.0 mm active diameter chip in TO-5 package and a flat glass window. This photodiode provides high quantum efficiency from 800 nm to 1700 nm. It features a special ultra-low capacitance of only half of the standard type capacitance, therefore exhibiting twice the 3 dB bandwidth, high responsivity, high shunt resistance and low dark current. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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The C30641GH-LC is a large-area InGaAs PIN Photodiode with a 1.0 mm active diameter chip in TO-18 package and flat glass window. This photodiode provides high quantum efficiency from 800 nm to 1700 nm. It features a special ultra-low capacitance of only half of the standard type capacitance, therefore exhibiting twice the 3 dB bandwidth, high responsivity, high shunt resistance and low dark current. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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The C30619GH-LC is a large-area InGaAs PIN photodiode with a 0.5 mm active diameter chip in TO-18 package and flat glass window. This photodiode provides high quantum efficiency from 800 nm to 1700 nm. It features a special ultra-low capacitance of only half of the standard type capacitance, therefore exhibiting twice the 3 dB bandwidth, high responsivity, high shunt resistance and low dark current. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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C30618L-350是一种感光直径为350 µm的高速InGaAs PIN光电二极管，其芯片封装在带窗口的陶瓷SMD基底上。该光电二极管提供从960 nm到1700 nm的高量子探测效率。其特点是具有可扩展带宽的低结电容、可实现高灵敏度的高电阻、高线性度，并在探测器感光面积内保持2％的均匀性。
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C30665GH是一款大面积InGaAs PIN光电二极管，配备3.0 mm的感光直径芯片，采用TO-5封装和平板玻璃窗口。该光电二极管提供从800 nm 到 1700 nm的高量子效率。它具有高响应度、高分流电阻、弱暗电流、低电容特性以缩短响应时间，并在探测器感光面积内保持2%的均匀性。
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C30642GH是一款大面积InGaAs PIN光电二极管，配备2.0 mm的感光直径芯片，采用TO-5封装和平板玻璃窗口。该光电二极管提供从800 nm 到 1700 nm的高量子效率。它具有高响应度、高分流电阻、弱暗电流、低电容特性，并在探测器感光面积内保持2%的均匀性。
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C30641GH是一款大面积InGaAs PIN光电二极管，配备1.0 mm的感光直径芯片，采用TO-18封装和平板玻璃窗口。该光电二极管提供从800 nm到1700 nm的高量子效率。它具有高响应度、高分流电阻、弱暗电流、低电容特性以缩短响应时间，并在探测器感光面积内保持2%的均匀性。
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C30619GH是一款大面积InGaAs PIN光电二极管，内置0.5 mm的感光直径芯片，采用TO-18封装和平板玻璃窗口。该光电二极管提供从800 nm 到 1700 nm的高量子效率。它具有高响应度、高分流电阻、小暗电流、低电容和快速响应的特性，并在探测器感光面内保持2%的均匀性。
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C30618GH是一种高速InGaAs PIN光电二极管，配备感光直径为350 µm的芯片，采用带平板玻璃窗口的TO-18封装。该光电二极管提供从800 nm到1700 nm的高量子效率。其特点是可扩展带宽的低电容、可实现高灵敏度的高电阻、高线性度，并在探测器感光面积内保持2％的均匀性。
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C30618BFCH是一种高速InGaAs PIN光电二极管，配备350 µm感光直径芯片，采用TO-18球面镜封装和FC接头。该光电二极管提供从800nm到1700nm的高量子效率。其特点是可扩展带宽的低电容、可实现高灵敏度的高电阻、高线性度，并在探测器感光面积内保持2%的均匀性。
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C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的埃赛力达C30662EH InGaAs APD。
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C30659系列包括带有混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装以实现超低噪声操作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30662EH InGaAs APD。
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C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550E-R08BH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30645EH InGaAs APD。
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C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的TO-8封装，以实现超低噪音工作。
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C30618ECERH是一种高速InGaAs PIN光电二极管，在矩形陶瓷载体上的有效感光直径为350 μm。该光电二极管可提供从800nm到1700nm的高量子效率。其特点是可扩展带宽的低电容、可实现高灵敏度的高电阻、高线性度，并在探测器感光面积内保持2％的均匀性。
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C30659-UV-1包含一个带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪声操作。
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C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060-R3AH装置采用C30956EH Si APD，后者经过1060 nm优化，感光直径为3 mm。