Teilenummer
C30724EH
C30724EH – Si APD, 500 µm, TO Gehäuse
Die C30724EH Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem metallischen TO Gehäuse.
Unsere APDs der Serie C30724 bieten eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 800 nm bis 950 nm und sind so konzipiert, dass sie die Anforderungen in der Großserienfertigung bei gutem Preis-/Leistungsverhältnis erfüllen. Die C30724EH wird in einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert. Die C30724EH-2 verwendet ein modifiziertes TO-18 Gehäuse mit einem eingebauten 905 nm Bandpassfilter. Das Modell C30724PH ist in Kunstoff gekapselt, ähnlich der Größe eines TO-18 Gehäuses.