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RÉSULTATS DE LA RECHERCHE (2072)
Produit
Caméras haute vitesse PCO de fin de série
Excelitas continue de fournir un soutien technique pour les caméras PCO qui ne sont plus fabriquées, y compris la possibilité de télécharger les logiciels et les guides d'utilisation correspondants. Vous trouverez ci-dessous une liste des caméras haute vitesse PCO de fin de série, ainsi que les logiciels et guides d'utilisation correspondants pouvant être téléchargés.
Produit
Blocs d'alimentation Cermax Xenon
Les blocs d'alimentation pour lampes au xénon à arc Cermax® sont des produits avancés et novateurs conçus pour l'industrie de l'éclairage spécialisé. Ils sont utilisés dans une grande variété d'applications de haute performance, notamment dans les domaines de la médecine, des soins dentaires, de l'endoscopie, du secteur industriel et de la projection d'images.
Product Category
Soutien pour les produits PCO
PCO offre une variété de documentation, de logiciels et de schémas pour toutes les caméras et tous les systèmes, y compris pour les produits discontinués. Please refer below to the relevant product to download applicable documentation and complimentary software.If you require technical support or have a specific request about our PCO cameras, please contact us using the PCO Support Request Form.
Produit
C30822EH – Photodiode Si PIN – 5 mm
La Photodiode PIN au silicium C30822EH avec puce de 5,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé est conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Produit
C30950EH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, 50 MHz, TO-8
Le C30950EH est un module amplificateur à photodiode à avalanche au silicium (Si APD) avec une largeur de bande de 50 MHz qui comprend notre photodiode à avalanche au silicium (APD) C30817. Fort d'un diamètre utile de 0,8 mm, le C30950EH offre une bonne réponse entre 400 et 1100 nm dans un boîtier TO-8 modifié à 12 broches.
Produit
C30916EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 bas profil
La photodiode à avalanche au silicium de grande surface C30916EH offre un diamètre de surface active de 1,5 mm dans un boîtier TO-5.
Produit
C30902SH-DTC – PDA Si, 0,5 mm, TO-66, comptage photonique, refroidisseur thermoélectrique à deux étages
Les photodiodes à avalanche C30902SH d'Excelitas sont des PDA au silicium à grande surface et à haute vitesse qui offrent une excellente responsivité et un faible bruit. Elles sont spécialement choisies pour une utilisation en mode Geiger (VOP > VBD) pour la détection de photons uniques ou en mode linéaire (VOP < VBD) avec des gains allant jusqu'à 250.
Produit
C30902SH-TC – PDA Si, 0,5 mm, TO-66, comptage photonique, refroidisseur thermoélectrique à un étage
Les photodiodes à avalanche C30902SH d'Excelitas sont des PDA au silicium à grande surface et à haute vitesse qui offrent une excellente responsivité et un faible bruit. Elles sont spécialement choisies pour une utilisation en mode Geiger (VOP > VBD) pour la détection de photons uniques ou en mode linéaire (VOP < VBD) avec des gains allant jusqu'à 250.
Produit
Photodiode à avalanche (PDA Si) au silicium C30902SH-2, 0,5 mm, TO-18, comptage de photons, filtre de 905 nm
Les photodiodes à avalanche C30902SH d'Excelitas sont des PDA au silicium à grande surface et à haute vitesse qui offrent une excellente responsivité et un faible bruit. Elles sont spécialement choisies pour une utilisation en mode Geiger (VOP > VBD) pour la détection de photons uniques ou en mode linéaire (VOP < VBD) avec des gains allant jusqu'à 250.
Produit
C30808EH – Photodiode Si PIN – 2,5 mm
La photodiode PIN au silicium C30808EH comporte une puce au diamètre actif de 2,5 mm dans un boîtier TO-5 hermétiquement scellé. Elle est conçue pour une plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Produit
C30956EH – Si APD, 3 mm, boîtier TO-8
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) à grande surface et à grande longueur d'onde C30956EH se caractérise par une surface active de 3 mm et un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-8 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Produit
C30927EH-03 – Quadrants Si APD 1,5 mm – 800 nm
La photodiode à avalanche au silicium à quadrants C30927EH-03 avec un diamètre utile de 1,55 mm est conçue avec une structure « reach-through » à double diffusion. La structure en quadrants comporte une jonction d'avalanche commune, la séparation des quadrants étant réalisée par segmentation de la surface p+ d'entrée de lumière opposée à la jonction. With this design, there is no dead space between the elements and therefore no loss of response at boresight.The C30927EH-03 is optimized for operating at 800 nm, providing high…
Produit
C30902SH – PDA Si, 0,5 mm, TO-18, comptage photonique
Les photodiodes à avalanche C30902SH d'Excelitas sont des PDA au silicium à grande surface et à haute vitesse qui offrent une excellente responsivité et un faible bruit. Elles sont spécialement choisies pour une utilisation en mode Geiger (VOP > VBD) pour la détection de photons uniques ou en mode linéaire (VOP < VBD) avec des gains allant jusqu'à 250.
Produit
C30902EH-2 – PDA Si, 0,5 mm, TO-18, filtre de 905 nm
Les photodiodes à avalanche C30902EH d'Excelitas sont des PDA en silicium à structure « reach-through » à haute vitesse et à grande surface qui offrent une grande responsivité et un faible bruit. Elles sont spécialement conçues pour les applications à faible luminosité qui nécessitent des gains types supérieurs à 100 et sont proposées dans plusieurs configurations de boîtiers TO-18 sous forme de verre plat, de lentille sphérique, de conduit de lumière et de filtre de 905 nm.  
Produit
C30902EH – PDA Si, 0,5 mm, TO-18
Les photodiodes à avalanche C30902EH d'Excelitas sont des PDA en silicium à structure « reach-through » à haute vitesse et à grande surface qui offrent une grande responsivité et un faible bruit. Elles sont spécialement conçues pour les applications à faible luminosité qui nécessitent des gains types supérieurs à 100 et sont proposées dans plusieurs configurations de boîtiers TO-18 sous forme de verre plat, de lentille sphérique, de conduit de lumière et de filtre de 905 nm. 
Produit
C30902BH – PDA Si, 0,5 mm, lentille sphérique TO-18
Les photodiodes à avalanche C30902EH d'Excelitas sont des PDA en silicium à structure « reach-through » à haute vitesse et à grande surface qui offrent une grande responsivité et un faible bruit. Elles sont spécialement conçues pour les applications à faible luminosité qui nécessitent des gains types supérieurs à 100 et sont proposées dans plusieurs configurations de boîtiers TO-18 sous forme de verre plat, de lentille sphérique, de conduit de lumière et de filtre de 905 nm.  
Produit
C30807EH – Photodiode Si PIN – 1,0 mm
La C30807EH est une photodiode PIN au silicium de haute qualité de type N avec puce de 1,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Produit
C30845EH – Si PIN – 8 mm – TO-8, quadrant
La C30845EH est une photodiode PIN de silicium de type N à quadrants de haute qualité dans un boîtier TO-8 hermétique, conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. En raison de sa grande surface (50 mm²), il est utile pour obtenir la position des points focalisés et défocalisés en mode pulsé ou onde continue.
Produit
C30955EH – Si APD, 1,5 mm, boîtier TO-5
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée à grande longueur d'onde C30955EH présente un diamètre de surface active de 1,5 mm et un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-5 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Produit
C30927EH-02 – Si APD à quadrant 1,5 mm – 900 nm
La photodiode à avalanche au silicium à quadrants C30927EH-02 avec un diamètre utile de 1,55 mm est conçue avec une structure « reach-through » à double diffusion. La structure en quadrants comporte une jonction d'avalanche commune, la séparation des quadrants étant réalisée par segmentation de la surface p+ d'entrée de lumière opposée à la jonction. With this design, there is no dead space between the elements and therefore no loss of response at boresight.The C30927EH-02 is optimized for operating at 900 nm, providing high…
Produit
C30927EH-01 – Si APD à quadrants 1,5 mm – 1060 nm
La photodiode à avalanche au silicium à quadrants C30927EH-01 avec un diamètre utile de 1,55 mm est conçue avec une structure « reach-through » à double diffusion.
Produit
C30884EH – PDA Si, 1 mm, TO-5
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30884EH se caractérise par une très grande capacité de modulation avec une grande sensibilité de photodétection et des temps de montée et de descente rapides. Comme la caractéristique du temps de chute n'a pas de « queue », la sensibilité de photodétection de l'appareil est indépendante de la fréquence de modulation jusqu'à environ 400 MHz. Cette Si APD, fabriquée à l'aide d'une structure « reach-through » à double diffusion, est optimisée pour une grande sensibilité de photodétection aux longueurs d'onde inférieures à 1000 nm.
Product Category
Détecteurs à quadrants
Nos photodétecteurs à avalanche et PIN à quadrants sont destinés au centrage et à l'alignement de faisceau. Les quadrants sont réalisés par dopage dans le matériau homogène pour supprimer les zones mortes. La structure offre un rendement quantique élevé et une réponse rapide pour la détection de photons dans la plage de 400 nm à 1100 nm.
Produit
C30954EH – Si APD, 0,8 mm, boîtier TO-5
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée à grande longueur d'onde C30954EH présente une surface active de 0,8 mm avec un rendement quantique élevé à 1060 nm. Elle comporte un boîtier TO-5 et une structure « reach-through » à double diffusion. Sa réponse aux grandes longueurs d'onde (>900 nm) a été améliorée sans ajout de propriétés indésirables.
Produit
C30817EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 bas profil
La photodiode à avalanche au silicium C30817EH à usage général est conçue à l'aide d'une structure à double diffusion « reach through ». Cette structure offre une grande sensibilité de photodétection entre 400 et 1100 nm, ainsi que des temps de montée et de descente rapides à toutes les longueurs d'onde. Comme la caractéristique du temps de chute n'a pas de « queue », la sensibilité de photodétection de l'appareil est indépendante de la fréquence de modulation jusqu'à environ 200 MHz.
Product Category
Quadrants APD
La famille de matrices et de quadrants de photodiodes à avalanche (APD) C30927 d'Excelitas utilise une structure « reach-through » à double diffusion qui élimine essentiellement l'espace mort entre les pixels pour assurer un rendement optimal. Cette structure procure une sensibilité très élevée de 400 à 1000 nm. Trois variantes sont proposées, en fonction de la longueur d'onde maximale recherchée, soit 800, 900 et 1060 nm.
Product Category
Photodiodes à avalanche au silicium améliorées à grande longueur d'onde de 1064 nm
Les photodiodes à avalanche silicium optimisées pour 1064 nm (C30954EH, C30955EH, C30956EH) sont fabriquées avec une structure « reach-through » à double diffusion. La conception de ces photodiodes a permis l'amélioration de leur réponse aux grandes longueurs d'onde (c.-à-d. >900 nm) sans perte de performances. Le rendement quantique de ces photodiodes à avalanche peut atteindre 40 % à 1060 nm.
Product Category
APD Si de haute performance
Les APD Silicium illuminées par l'arrière de haute performance « reach-through » offrent le meilleur compromis en matière de coût et de performance pour les applications nécessitant une détection de photons à grande vitesse et à faible bruit de 400 nm à 1100 nm. Ces ADP Si se caractérisent par un faible bruit, un rendement quantique et un gain élevés tout en maintenant une tension de fonctionnement raisonnablement basse. La zone active varie de 0,5 mm à 3 mm.
Produit
C30741PFH-15S
La C30741PFH-15S est une photodiode PIN au silicium à haute vitesse avec une puce à surface active de 1,5 x 1,5 mm dans un boîtier T1 ¾ en plastique qui bloque la lumière visible.
Produit
Photodiodes à avalanche InGaAs C30733
La série C30733 regroupe divers produits de photodiodes à avalanche (APD) InGaAs à gain élevé avec une région active de 30 µm. Les APD InGaAs d’Excelitas offrent un rendement quantique élevé, une grande responsivité et peu de bruit dans la plage spectrale comprise entre 1000 nm et 1700 nm. Ils sont fournis dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé, ou en tant que fibre amorce monomode FC/APC.
Produit
C30737LH-500-92N – PDA Si, 500 um, LCC, filtre 905 nm, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-500-92N présente un diamètre actif de 500 µm avec une réponse améliorée à 900 nm et une bande passante optique de 905 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737MH-500-90N – PDA Si, 500 um, LLC, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737MH-500-90N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-500-90N – PDA Si, 500 um, LCC, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-500-90N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737PH-500-90N – PDA Si, 500 um, plastique, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-500-90N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un boîtier en plastique T-1¾.
Produit
Si PIN C30741PH-15S
La C30741PH-15S est une photodiode PIN au silicium à haute vitesse avec une puce à surface active de 1,5 x 1,5 mm dans un boîtier en plastique transparent T 1¾.
Produit
C30737LH-230-92N – PDA Si, 230 um, LCC, filtre 905 nm, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-230-92N présente un diamètre actif de 230 µm avec une réponse améliorée à 900 nm et une bande passante optique de 905 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737MH-230-90N – PDA Si, 230 um, LLC, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737MH-230-90N présente un diamètre actif de 230 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-230-90N – PDA Si, 230 um, LCC, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-230-90N présente un diamètre actif de 230 µm avec une réponse améliorée à 900 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737PH-230-90N – PDA Si, 230 um, plastique, 900 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-230-90N présente un diamètre actif de 230 µm et une réponse améliorée à 900 nm dans un boîtier en plastique T-1¾.
Produit
C30737LH-500-83N – PDA Si, 500 um, LCC, filtre 650 nm, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-500-83N présente un diamètre actif de 500 µm avec une réponse améliorée à 800 nm et une bande passante optique de 650 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-500-81N – PDA Si, 500 um, LCC, filtre 635 nm, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-500-81N présente un diamètre actif de 500 µm avec une réponse améliorée à 800 nm et une bande passante optique de 635 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30723GH – InGaAs PIN, 5 mm, TO-8
La C30723GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 5,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-8 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodétection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la région active du détecteur.
Produit
C30737MH-500-80N – PDA Si, 500 um, LLC, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737MH-500-80N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-500-80N – PDA Si, 500 um, LCC, 800 nm amélioré
La photodiode au silicium C30737LH-500-80N Silicon Avalanche Photodiode (Si APD) offre un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737PH-500-80N – PDA Si, 500 um, plastique, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-500-80N présente un diamètre actif de 500 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un boîtier en plastique T1¾.
Produit
C30737LH-300-73N – PDA Si, 300 um, LCC, filtre 650 nm
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-300-73N présente un diamètre actif de 300 µm avec une réponse améliorée à 800 nm et une bande passante optique de 650 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-300-72N – PDA Si, 300 um, LCC, filtre 905 nm
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-300-72N présente un diamètre actif de 300 µm avec une réponse améliorée à 800 nm et une bande passante optique de 905 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-300-71N – PDA Si, 300 um, LCC, filtre 635 nm
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) 30737LH-300-71N présente un diamètre actif de 300 µm avec une réponse améliorée à 800 nm et une bande passante optique de 635 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-300-70N – Si APD, 300 um, LCC
La photodiode au silicium C30737LH-300-70N Silicon Avalanche Photodiode (Si APD) offre un diamètre actif de 300 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-230-83N – Si APD, 230 um, LCC, 800 nm amélioré, Filtre 650 nm
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-230-83N présente un diamètre actif de 230 µm avec une réponse améliorée à 800 nm et une bande passante optique de 650 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737LH-230-81N – Si APD, 230 um, LCC, 800 nm amélioré, Filtre 635 nm
La photodiode C30737LH-230-81N Silicon Avalanche Photodiode (SI APD) offre une réponse améliorée de 800 nm avec un diamètre actif de 230 µm et une bande passante optique de 635 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30737MH-230-80N – PDA Si, 230 um, LLC, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737MH-230-80N a un diamètre actif de 800 µm et une réponse améliorée à 230 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC). 
Produit
C30737LH-230-80N – PDA Si, 230 um, LCC, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737LH-230-80N présente un diamètre actif de 800 µm et une réponse améliorée à 230 nm dans un support en céramique sans plomb (LCC).
Produit
C30739ECERH-2 - Si APD, support en céramique, gain élevé
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée et à courte longueur d'onde C30739ECERH-2 couvre la plage spectrale allant de moins de 400 nm à plus de 700 nm. Cette Si APD, qui présente un faible bruit, un gain élevé et une réponse UV améliorée avec un rendement quantique supérieur à 70 % à 430 nm, est conçue pour des applications à faible luminosité, comme l'imagerie moléculaire. Son boîtier de support en céramique permet de faciliter la manipulation et le couplage aux cristaux à scintillation tels que le LSO et le BGO.
Produit
C30737PH-230-80N – PDA Si, 230 um, plastique, 800 nm amélioré
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737PH-230-80N présente un diamètre actif de 230 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un boîtier en plastique T 1¾ avec trou.
Produit
C30737CH-300-70 – PDA Si, 300 um, LLC à détection latérale
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30737CH-300-70 se caractérise par un diamètre actif de 300 µm et une réponse améliorée à 800 nm dans un support laminé sans plomb (LCC).
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C30724PH – PDA Si, 500 um, plastique
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30724PH se caractérise par une sensibilité de pointe de 920 nm et avec un faible coefficient de température dans un boîtier TO en plastique.
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C30724EH-2 – Si APD, 500um, TO, Filtre 905 nm
La photodiode C30724EH-2 Silicon Avalanche (Si APD) comprend un filtre de 905 nm avec un faible coefficient de température dans un boîtier métallique TO.
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C30739ECERH – Si APD, support en céramique
La photodiode C30739ECERH à avalanche au silicium (Si APD) améliorée et à courte longueur d'onde couvre la plage spectrale allant de moins de 400 nm à plus de 700 nm. Elle offre un faible bruit, un gain élevé et une réponse UV améliorée avec un rendement quantique supérieur à 70 % à 430 nm et elle est conçue pour des applications à faible luminosité, comme l'imagerie moléculaire. Son boîtier de support en céramique permet de faciliter la manipulation et le couplage aux cristaux à scintillation tels que le LSO et le BGO.
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C30703FH-200 – Si APD à boîtier plat sans fenêtre collée de 10 x 10 mm
La photodiode à avalanche au silicium C30703FH-200 (Si APD) de 10 x 10 mm est conçue pour de très grandes surfaces et est offerte dans un boîtier plat adapté à la détection de rayonnement. La Si APD C30703 est améliorée pour la réponse en longueur d'onde bleue avec une efficacité quantique de pointe à ~530 nm.
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C30703FH – Si APD, 10 x 10 mm, boîtier plat
Les photodiodes à avalanche au silicium (Si APD) de la série C30703FH de 10 x 10 mm sont conçues pour des zones extrêmement vastes et elles sont offertes dans un boîtier plat adapté à la détection de rayonnement. La Si APD C30703 est améliorée pour la réponse à la longueur d'onde bleue avec un rendement quantique maximal à ~530 nm.
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Photodiodes InGaAs PIN
Les détecteurs InGaAs PIN offrent un rendement quantique élevé de 800 nm à 1700 nm. Ils ont une faible capacitance pour des largeurs de bande étendues, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
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C30724EH – PDA Si, 500 um, TO
La photodiode à avalanche au silicium (Si APD) C30724EH se caractérise par une sensibilité de pointe de 920 nm et un faible coefficient de température dans un boîtier TO en métal.
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Les InGaAs à haute performance (APD)
La gamme de produits de photodiode à avalanche InGaAs d’Excelitas permet des régions actives allant de 30 µm à 200 µm qui conviennent à de nombreuses applications nécessitant une détection photonique entre 1000 nm et 1700 nm. The C30645, C30662, and C30733 series of avalanche photodiodes (APDs) are high-speed, high-gain devices made from InGaAs/InP. They offer high quantum efficiency (QE), high responsivity, and low noise within the 1000 nm to 1700 nm spectral range, with optimization at 1300 nm and 1550 nm…
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Si APD en volume élevé et rentables
Nos photodiodes à avalanche (PDA) de la série C30724 offrent une grande sensibilité dans la gamme de longueur d'onde de 800 à 950 nm et sont conçues pour répondre aux besoins d'applications peu coûteuses et à volume élevé. Le C30724EH est dans un boîtier TO-18 hermétique. Le C30724EH-2 est un TO-18 modifié avec un filtre passe-bande étroite de 905 nm intégré. Et pour finir, le C30724PH est encapsulé dans un boîtier plastique TO-18.
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APD améliorées UV à grande surface
Les photodiodes à avalanche au silicium (Si APD) améliorées UV à grande surface sont conçues pour une grande variétés d'applications à faible luminosité et à large bande couvrant un domaine spectral de moins de 400 nm à plus de 700 nm. Ces APD Si à faible bruit, à faible capacitance et à gain élevé sont offertes dans un boîtier plat pour une détection directe ou un couplage facile aux cristaux scintillateurs.
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Photodiodes à avalanche InGaAs C30662
La série C30662 propose diverses photodiodes à avalanche (APD) InGaAs de grande surface avec une région active de 200 µm. Les APD InGaAs d'Excelitas offrent un rendement quantique élevé, une grande responsivité et peu de bruit dans la plage spectrale comprise entre 1000 nm et 1700 nm. Ces appareils sont fournis dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé ou sur un support en céramique. Le boîtier céramique pour montage en surface facilite l’intégration dans les applications à grand volume.
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C30683 - Modules préamplificateurs APD avec TIA haute vitesse, TO-8
La série C30683 combine les photodiodes à avalanche (APD) d’Excelitas avec un amplificateur transimpédance (TIA) haute vitesse dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour la détection en très faible luminosité. Les modules offrent une bande passante allant jusqu’à 450 MHz, ce qui les rend idéaux pour des applications exigeantes.
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InGaAs PIN C30665GH-LC, 3 mm, TO-5
La C30665GH-LC est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 3,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-5 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle se caractérise par une très faible capacité, égale à la moitié de la capacité standard, ce qui lui confère une bande passante à 3 dB deux fois supérieure, une grande responsivité, une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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InGaAs PIN C30642GH-LC, 2 mm, TO-5
La C30642GH-LC est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 2,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-5 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle se caractérise par une très faible capacité, égale à la moitié de la capacité standard, ce qui lui confère une bande passante à 3 dB deux fois supérieure, une grande responsivité, une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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InGaAs PIN C30641GH-LC, 1 mm, TO-18
La C30641GH-LC est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 1,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle se caractérise par une très faible capacité, égale à la moitié de la capacité standard, ce qui lui confère une bande passante à 3 dB deux fois supérieure, une grande responsivité, une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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InGaAs PIN C30619GH-LC, 0,5 mm, TO-18
La C30619GH-LC est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 0,5 mm de diamètre dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle se caractérise par une très faible capacité, égale à la moitié de la capacité standard, ce qui lui confère une bande passante à 3 dB deux fois supérieure, une grande responsivité, une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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C30618L-350 InGaAs PIN, 350 um, CMS en céramique
Le C30618L-350 est une photodiode InGaAs PIN à grande vitesse avec une puce de 350 µm de diamètre actif dans un boîtier CMS céramique avec fenêtre. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 960 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
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C30617L-100 – InGaAs PIN, 100 um, CMS en céramique
Le C30617L-100 est une photodiode InGaAs PIN à grande vitesse avec une puce de 100 µm de diamètre actif dans un boîtier CMS céramique avec fenêtre. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 960 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
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Photodiodes à avalanche InGaAs C30645
La série C30645 combine divers produits de photodiodes à avalanche (APD) InGaAs de grande surface avec une région active de 80 µm. Les APD InGaAs d’Excelitas offrent un rendement quantique élevé, une grande responsivité et peu de bruit dans la plage spectrale comprise entre 1000 nm et 1700 nm. Ils sont fournis dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé ou sur un support en céramique. Le boîtier céramique pour montage en surface permet une intégration facile dans les applications à grand volume.
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C30665GH – InGaAs PIN, 3 mm, TO-5
La C30665GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 3,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-5 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodetection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les 2 % dans la région active du détecteur.
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C30642GH – InGaAs PIN, 2 mm, TO-5
La C30642GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 2,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-5 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodétection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la région active du détecteur.
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C30641GH – InGaAs PIN, 1 mm, TO-18
La C30641GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 1,0 mm de diamètre dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodétection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la région active du détecteur.
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C30659-1550E-R2AH – Récepteur InGaAs APD, 200 um, TO-8, 50 MHz, seuil de résistance élevé aux dommages
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1550-R2AH comprend une InGaAs APD Excelitas C30662EH optimisée à 1550 nm.
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C30659-1550-R2AH – Récepteur InGaAs APD, 200 um, TO-8, 50 MHz
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1550-R2AH comporte une InGaAs APD C30662EH, optimisée à 1550 nm.
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C30659-1550E-R08BH – Récepteur InGaAs APD, 80 um, TO-8, 200 MHz, seuil de résistance élevé aux dommages
Les récepteurs InGaAs APD de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1550-R08BH comprend une InGaAs APD C30645EH optimisée à 1550 nm.
Produit
C30659-1550-R08BH – Récepteur InGaAs APD, 80 um, TO-8, 200 MHz
Les récepteurs InGaAs APD de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit.
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C30619GH – InGaAs PIN, 0,5 mm, TO-18
La C30619GH est une photodiode InGaAS PIN de grande surface avec une puce ayant une région active de 0,5 mm de diamètre dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une grande sensibilité de photodétection, une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité, une faible capacitance pour un temps de réponse rapide et une uniformité dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la région active du détecteur.
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C30618GH – InGaAs PIN, 350 um, TO-18
La C30618GH est une photodiode InGaAS PIN à haute vitesse avec une puce de 350 µm de diamètre actif dans un boîtier TO-18 avec une fenêtre en verre plat. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
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C30618BFCH – InGaAs PIN, 350 um, TO-18, réceptacle FC
La C30618BFCH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une puce de 350 µm de diamètre actif dans un boîtier à lentille sphérique TO-18 et un réceptacle FC. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les 2 % d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
Produit
C30617BFCH – InGaAs PIN, 100 um, TO-18, réceptacle FC
La C30617BFCH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une puce de 100 µm de diamètre actif dans un boîtier à lentille sphérique TO-18 et un réceptacle FC. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
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C30617BH – InGaAs PIN, 100 um, TO-18 à lentille shpérique
La C30617BH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une puce de 100 µm de diamètre actif dans un boîtier à lentille sphérique TO-18. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
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C30659-UV-1 – Récepteur Si APD, 1 x 1 mm, 50 MHz, TO-8, améliorée UV
Le modèle C30659-UV-1 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si APD) améliorée UV avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement avec un bruit ultra-faible.
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C30659-1060-3AH – Récepteur Si APD, 3 mm, TO-8, 50 MHz
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement fermé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1060-3AH est doté d'une Si APD C30956EH, optimisée à 1060 nm avec un diamètre actif de 3 mm.
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Récepteur Si APD C30659-1060E-R8BH, 0,8 mm, TO-8, 200 MHz, seuil de résistance élevé aux dommages
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement fermé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre appareil C30659-1060E-R8BH est équipé d'une Si APD C30954EH optimisée à 1060 nm avec un diamètre actif de 0,8 mm.
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C30618ECERH – InGaAs PIN, 350 um, support en céramique
La C30618ECERH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une surface active de 350 µm de diamètre sur un support céramique rectangulaire. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
Produit
C30617ECERH – InGaAs PIN, 100 um, support en céramique
La C30617ECERH est une photodiode InGaAs PIN à haute vitesse avec une surface active de 100 µm de diamètre sur un support céramique rectangulaire. Cette photodiode offre un rendement quantique élevé de 800 à 1700 nm. Elle a une faible capacitance pour une largeur de bande étendue, une haute résistance pour une sensibilité élevée ainsi qu'une linéarité et une uniformité élevées dans les deux pour cent d'un bout à l'autre de la surface active du détecteur.
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C30659-1060-R8BH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, TO-8, 200 MHz
Les récepteurs APD optiques hybrides de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-1060-R8BH comporte une Si APD C30954EH, optimisée à 1060 nm avec un diamètre actif de 0,8 mm.
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C30659-900-R8AH – Récepteur Si APD, 0,8 mm, TO-8, 50 MHz
Les récepteurs APD optiques hybrides de la série C30659 comprennent une photodiode à avalanche (APD) au silicium (Si) ou InGaAs avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-900-R8AH comporte une Si APD C30817EH avec une réponse de pointe à 900 nm et un diamètre actif de 0,8 mm.
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C30659-900-R5BH – Récepteur Si APD, 0,5 mm, TO-8, 200 MHz
La série C30659 comprend une photodiode à avalanche au silicium (Si) ou InGaAs (APD) avec un préamplificateur hybride dans le même boîtier TO-8 hermétiquement fermé pour permettre un fonctionnement à très faible bruit. Notre dispositif C30659-900-R5BH comporte une Si APD C30902EH avec une réponse de pointe à 900 nm et un diamètre actif de 0,5 mm.
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C30626FH – Si APD, 5 x 5 mm, boîtier plat
Les photodiodes à avalanche au silicium (Si APD) de grande surface de la série C30626FH de 4,7 x 4,7 mm sont offertes dans un boîtier plat pour une détection directe ou un couplage facile aux cristaux scintillateurs.
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Système de désinfection éclair UVC BlueLight Dairy
Le système de désinfection éclair UVC BlueLight® Dairy est conçu pour s’intégrer parfaitement aux machines de remplissage et de scellage. Ses modules puissants assurent une irradiation efficace de diverses configurations de supports de pots et de plaques cellulaires. La conception modulaire de ce système minimise les temps d’arrêt et simplifie la maintenance. Son empreinte compacte le rend idéal pour les applications où l’espace est limité. 
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Système de désinfection BlueLight SteriBelt UVC
Le BlueLight® SteriBelt est un système UVC haute performance conçu spécialement pour la désinfection des surfaces de convoyeurs dans l’industrie de la transformation de la viande. Les producteurs alimentaires doivent relever de nombreux défis liés aux règlements HACCP en matière d’hygiène, notamment en ce qui concerne la désinfection des bandes transporteuses. Le système UVC Steribelt BlueLight relève parfaitement ces défis, ce qui en fait une solution idéale pour la sécurité alimentaire.
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Système de désinfection UVC BlueLight Premium
Les systèmes UV BlueLight® Premium assurent une désinfection efficace de divers types d’emballages alimentaires, notamment les feuilles de scellage, les coupes, les contenants, les sachets et les cartons à dessus en pignon. Ces systèmes sont reconnus comme étant parmi les options à basse pression les plus fiables sur le marché et sont utilisés depuis de nombreuses années par des entreprises de premier plan dans l’industrie laitière.
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Système de désinfection hygiénique UVC BlueLight
Le système hygiénique BlueLight® est spécialement conçu pour assurer une désinfection fiable des surfaces d’emballages alimentaires. Il élimine les germes et réduit considérablement les coûts énergétiques, atteignant une réduction logarithmique exceptionnelle de Log 3 et des économies allant jusqu’à 90 %. Ce système de désinfection UVC offre une intensité UV élevée et un rayonnement à froid, sans nécessiter de refroidissement par eau, le tout à un coût d’investissement faible, ce qui le rend adapté à un environnement prêt pour l’industrie 4.0.
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Système de désinfection UVC Air D
Le système UVC Air D permet une désinfection rapide et facile sans recours à des produits chimiques, grâce au rayonnement ultraviolet, également appelé irradiation germicide par ultraviolet (UVGI). Cette méthode de désinfection de l’air réduit considérablement les risques d’infection et améliore le bien-être des occupants. Les modules de désinfection Air D sont conçus pour s’intégrer facilement dans tout système de conduits d’air de ventilation. Its UV-C (UVGI) lamps are highly effective, require minimal maintenance, are ozone-free,…
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Bloc d'alimentation pour rayons X 125 kV, 250 mA 1102502
Les blocs d'alimentation de série 1102502 CT X-Ray PS de 125 kV/250 mA sont très réglementés avec une technologie de conversion de puissance à haute fréquence utilisée pour toutes les fonctions d'alimentation électrique. Cette série, conçue pour un tube à rayons X à anode tournante de grande puissance, produit -125 kV à 250 mA en mode opérationnel standard, -130 kV à 10 mA en mode opérationnel de conditionnement du tube.
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Modules infrarouges à lame d’air
Les modules infrarouges à lame d’aire sont équipés d’un système de flux d’air optimisé pour secher les surfaces de produit dans un large éventail d’applications industrielles. Ces modules présentent un échange d’air uniforme et de haute intensité qui raccourcit la procédure de séchage et assure un rendement par unité plus efficace d’énergie.
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Bloc d'alimentation pour rayons X 180 kV, 16 mA 1101339
Le bloc d'alimentation de 180 kV, 16 mA est hautement réglementé et il est conçu pour les systèmes de tomographie par ordinateur à rayons X. Le dispositif est conçu pour fonctionner en continu à pleine puissance tout en étant monté sur un portique rotatif à des vitesses allant de 120 tr/min à 25 G. L'ensemble du réservoir haute tension est rempli d'huile à des fins d'isolation électrique et de refroidissement. De nombreux dispositifs de verrouillage et de diagnostic internes sont intégrés pour assurer un fonctionnement fiable et sécuritaire.
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Bloc d'alimentation pour rayons X 160 kV, 25 mA 1101682
Le XRSE est un bloc d'alimentation à haute tension hautement réglementé conçu pour les systèmes à rayons X. Il génère une haute tension pour les tubes à rayons X, la puissance du filament et le contrôle du courant d'émission en boucle fermée. Cet appareil est conçu pour fonctionner en continu à pleine puissance. La technologie de conversion de puissance à haute fréquence est utilisée pour toutes les fonctions d'alimentation électrique. De nombreux systèmes de verrouillage et de diagnostic internes sont intégrés pour assurer un fonctionnement fiable et sécuritaire. Excelitas also designs and…
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Alimentation de faisceau électronique, grande puissance, 100 mA
Bloc d'alimentation HVPS pour faisceau électronique de -150 kV, 100 mA d'Excelitas avec circuit d'attaque de filament c.a. intégré de 25 VCA, 50 Hz, < 20 A efficace et circuit d'attaque de réseau de -30 à +170 VCC, 200 mA. Les blocs d'alimentation à circuit d'attaque de réseau sont des blocs d'alimentation négatifs fortement régulés, conçus pour être utilisés dans les systèmes à faisceau électronique, qui sont capables de générer de 0 à -150 kVCC, 100 mA de puissance c.c. Ils sont conçus pour fonctionner en continu à pleine puissance.
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Dispositif d'alimentation de faisceau électronique, puissance moyenne, 70 mA
Ce bloc d'alimentation haute tension (HVPS) Excelitas est conçu pour alimenter un pistolet de faisceau électronique. Les blocs d'alimentation haute tension de la série 1102710 disposent de deux sorties, l'alimentation du faisceau HT et une alimentation auxiliaire flottante à la tension de sortie HT de l'alimentation du faisceau. La sortie haute tension est nominalement de -180 kilovolts à 70 mA pour une capacité de puissance d'environ 13 kilowatts. L'alimentation auxiliaire est destinée à alimenter la commande et l'électronique des filaments du pistolet à faisceau électronique qui contrôle le courant d'émission du faisceau électronique tiré du bloc d'alimentation haute tension.
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Alimentation de faisceau électronique, faible puissance, 50mA
Le bloc d'alimentation haute tension à canon à électrons Excelitas est fortement régulé et conçu pour un système de faisceau électronique. Il génère une haute tension pour l'émetteur de faisceau d'électrons, la puissance de filament et le contrôle du courant d'émission en boucle fermée. La technologie de conversion de puissance à haute fréquence est utilisée pour toutes les fonctions d'alimentation électrique. Cet appareil est conçu pour fonctionner en continu à pleine puissance.
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-Bloc d'alimentation haute tension en courant continu 150 kV, 15 kW 1102680
Bloc d'alimentation HVPS pour faisceau électronique de -150 kV, 100 mA d'Excelitas avec circuit d'attaque de filament c.a. intégré de 25 VCA, 50 Hz, <20 A efficace et circuit d'attaque de réseau de -30 - +170 VCC, 200 mA. Les blocs d'alimentation à circuit d'attaque de réseau des blocs d'alimentation négatifs hautement réglementés sont conçus pour être utilisés dans les systèmes à faisceau électronique capables de générer de 0 à -150 kVCC, 100 mA. Ils sont conçus pour fonctionner en continu à pleine puissance.
Produit
-Bloc d'alimentation haute tension en courant continu 150 kV, 9 kW 1101310
Ce bloc d'alimentation à haute fréquence est très réglementé. Il génère une haute tension et comprend un émetteur de faisceau d'électrons avec une puissance de filament et un contrôle du courant d'émission en boucle fermée lorsqu'il est utilisé pour alimenter un canon à électrons. La technologie de conversion de puissance à haute fréquence est utilisée pour toutes les fonctions d'alimentation électrique. Cet appareil est conçu pour fonctionner en continu à pleine puissance.
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Barrettes LED à puce unique APOLED
Les barrettes APOLED sont constituées d'une seule puce de haute qualité avec d'excellentes propriétés thermiques et un flux élevé. Excelitas propose des températures de couleur blanches personnalisées avec des valeurs d'IRC élevées ou d'autres matrices de longueur d'onde. Nous garantissons des spécifications minimales, des exigences strictes en matière de regroupement de données et des essais personnalisés pour nos lots de production, y compris des valeurs IRC minimales garanties en Ra, R9 et R13. Nos minuscules APOLED sont suffisamment petites pour permettre un mélange de couleurs supérieur et une masse volumique importante.
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Barrettes LED à quatre puces adressables ACULED
La barrette ACULED® est un ensemble de puces à LED sur plaque (COB) composée de quatre puces adressables séparément. Nous proposons un vaste choix de longueurs d'onde standards ou personnalisées et diverses températures de couleur blanches avec un rendu des couleurs élevé. L'ensemble ACULED est idéal pour l'éclairage médical nécessitant une température de couleur blanche réglable avec un IRC élevé.
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Blocs d'alimentation pour rayons X
Les blocs d'alimentation haute tension pour rayons X de la gamme Excelitas sont des modèles hautement réglementés créés pour répondre aux exigences élevées des systèmes à rayons X.  Ces blocs d'alimentation génèrent une haute tension pour le tube à rayons X, la puissance du filament et le contrôle du courant d'émission en boucle fermée.  Certains appareils fonctionnent en continu à pleine puissance et d'autres sont conçus pour des applications à faible cycle d'utilisation qui nécessitent une puissance de pointe élevée. 
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Blocs d'alimentation pour faisceau électronique
Le bloc d'alimentation haute tension à canon à électrons Excelitas est un bloc d'alimentation hautement réglementé conçu pour les systèmes à faisceau électronique. Il génère une haute tension pour l'émetteur de faisceau d'électrons, la puissance de filament et le contrôle du courant d'émission en boucle fermée. La technologie de conversion de puissance à haute fréquence est utilisée pour toutes les fonctions d'alimentation électrique. Cet appareil est conçu pour fonctionner en continu à pleine puissance.
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Sources lumineuses pour la désinfection et l’oxydation par UCV
Excelitas conçoit et fabrique des solutions à ultraviolets pour la désinfection de l’air, des liquides et des surfaces solides. Nos solutions de lumière UVC proposent une gamme allant des composants aux systèmes complets qui utilisent des technologies d’éclairage, y compris à LED, au xénon, au krypton, excimère et au mercure. Excelitas utilise ce catalogue complet de technologies pour répondre aux exigences d’applications spécifiques qui aident à protéger les gens et l’environnement contre une contamination microbienne dangereuse. With field-proven…
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Caméras scientifiques
Les caméras scientifiques constituent un élément essentiel du monde de la recherche et de l'expérimentation. Ces caméras, qui utilisent des capteurs d'images sCMOS, permettent de garantir des images précises et de la plus haute qualité. Notre portefeuille de caméras scientifiques PCO comprend des caméras sCMOS refroidies et non refroidies. Cooled sCMOS cameras are equipped with an active cooling mechanism to help lower the sensor temperature, minimize dark current, and enable longer exposure times, which is beneficial for low-light applications such as…
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Caméras intensifiées
Excelitas propose une vaste gamme de caméras à intensification d'image à un ou plusieurs canaux grâce à sa série pco.dicam renommée. Avec des temps d'exposition extrêmement courts allant jusqu'à 2,5 ns, nos caméras pco.dicam offrent la possibilité de traiter avec précision des processus ultrarapides, bien au-delà des capacités de tout autre type de caméra. Featuring state-of-the-art scientific CMOS sensor technology, our pco.dicam intensified cameras combine high resolution, fast frame repetition rates, 16-bit dynamic range and extreme…
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Détecteurs photoniques
Excelitas propose des solutions de détection photonique couvrant un très large spectre allant des rayons Gamma, des rayons X, des rayons UV, des rayons visibles jusqu'aux rayons dans le proche infrarouge... ce qui permet de trouver facilement le bon détecteur pour votre application de détection. Les gammes de produits comprennent des PIN et des APD Silicium et InGaAS, des récepteurs hybrides et des modules de comptage de photons. En plus de notre vaste gamme de composants prêts à l'emploi, nous sommes également spécialisés dans les solutions personnalisées pour répondre à vos besoins particuliers.
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Illuminateurs LED à fibre optique X-Cite Vitae
Excelitas propose une gamme de sources optiques et de composants à fibre optique qui présentent une intensité lumineuse inégalée et des options configurables pour simplifier la conception et accélérer la mise en marché. Ces sources optiques LED sont conçues pour coupler la lumière blanche de haute intensité à des faisceaux de fibres optiques pour des applications telles que l'endoscopie, la microscopie chirurgicale et la visionique, ainsi que pour des produits tels que les lampes chirurgicales, les endoscopes industriels et les systèmes d'inspection.
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Capteurs de temps de vol
Excelitas offre des puces et des modules de temps de vol (ToF) basés sur des imageurs CMOS/CCD exclusifs. Le principe de fonctionnement est basé sur le temps de vol des photons émis par la source d’éclairage et réfléchis vers les pixels photosensibles par l’objet. Le système mesure le décalage de phase entre le signal émis et le signal reçu, qui est proportionnel à la distance. High photo-sensitivity and high-resolution ADC allows measurement accuracy down to a centimeter level depending on the…
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Détecteurs et capteurs
Excelitas propose des solutions de détection photonique qui comprennent les PIN et photodiodes à avalanches de silicium et InGaAs, les récepteurs hybrides et les modules de comptage de photons pour les applications à haute performance et à grand volume destinées à une vaste gamme de marchés. Les capteurs thermiques IR Excelitas représentent une vaste gamme de détecteurs pyroélectriques, de détecteurs à thermopile et de modules de capteurs IR utilisés pour la détection de mouvement, la surveillance de présence, la mesure de température et la détection de gaz.
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P-291020
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P-290949
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Excelitas.com
Excelitas.com
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P-247812
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P-247811
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P-247810
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P-247808
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P-247807
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Diodes laser à impulsions et barrettes
Excelitas offre une vaste gamme de diodes laser à impulsions à canal unique et en réseau. With central wavelengths at 905 nm and 1550 nm, and packages ranging from high volume SMD to hermetically-sealed, metal-can TO, you are sure to find the correct component for your needs.With decades of experience in the field of semiconductor lasers and vertical integration, Excelitas is able to deliver the right product for various applications including range finding and LiDAR. In addition…
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Composants et modules au xénon à impulsions
Les lampes au xénon pulsé à arc court d'Excelitas sont une source lumineuse de premier choix pour les applications qui exigent des lampes précises et performantes, comme les diagnostics cliniques et in-vitro, les sciences de la vie, la surveillance environnementale, l'appareillage analytique et la spectrophotométrie. Les lampes-éclairs au xénon sont des lampes-éclairs à arc court non confiné qui produisent des impulsions de quelques microsecondes de lumière à large bande de forte intensité radiante. Capable of operating at high repetition rates, these flashlamps generate light over a…
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Lampe-éclair – Composants et systèmes
Excelitas offre une vaste gamme de lampes-éclair pour diverses applications, notamment la lumière intense pulsée (IPL), les lasers médicaux et industriels, la simulation solaire et les essais de vieillissement. Ces lampes-éclair uniques sont également utilisées dans nos solutions de systèmes éclair dans des applications telles que le traitement thermique rapide et la désinfection. Utilizing our unique design know-how and manufacturing capabilities obtained from decades of combined flashlamp experience, we work with our customers to develop the best…
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Diode infrarouge VTE3322LAH, boîtier en plastique T-1 (3 mm), 1,5 mW, angle de faisceau de ±10°°
La VTE3322LAH est une diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 940 nm dans un boîtier en plastique TO-1 (3 mm). Elle offre une puissance de sortie de 1,5 mW et un angle de faisceau étroit de ±10°.
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VTE1013H – Diode infrarouge, boîtier TO-46, 30 mW, angle de faisceau de ±35°
La VTE1013H est une diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 940 nm dans un boîtier hermétique TO-46. Cette diode infrarouge offre une puissance de sortie de 30 mW et un grand angle de faisceau de ±35°.
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Diode infrarouge VTE1113H, boîtier TO-46 avec lentille, 30 mW, angle de faisceau de ±10°°
La VTE1113H est une diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 940 nm dans un boîtier TO-46 hermétique avec lentille. Cette diode infrarouge offre une puissance de sortie de 30 mW avec un angle de faisceau étroit de ±10°.
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Diode infrarouge VTE1291W-2H, boîtier en plastique T-1¾ (5 mm), 25 mW. Angle de faisceau de ±25°, homologuée UL
La VTE1291W-2H est une diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 880 nm dans un boîtier en plastique T-1¾ (5 mm). Cette diode infrarouge offre une puissance de sortie de 25 mW avec un grand angle de faisceau de ±25° et est homologuée UL.
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VTE1291W-1H – Diode infrarouge, boîtier en plastique T-1 ¾ (5 mm), 20 mW, angle de faisceau de ±25°, homologué UL
La VTE1291W-1H est une diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 880 nm dans un boîtier en plastique T-1¾ (5 mm). Elle offre une puissance de sortie de 20 mW avec un grand angle de faisceau de ±25° et est homologuée UL.
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Diode infrarouge VTE3374LAH, boîtier en plastique T-1 (3 mm), 5 mW, angle de faisceau de ±10°
La VTE3374LAH est une diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 880 nm dans un boîtier en plastique TO-1 (3 mm). Elle offre une puissance de sortie de 5 mW et un angle de faisceau étroit de ±10°.
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Diode infrarouge VTE3372LAH, boîtier en plastique T-1 (3 mm), 3 mW, angle de faisceau de ±10°
La VTE3372LAH est une diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 880 nm dans un boîtier en plastique TO-1 (3 mm). Elle offre une puissance de sortie de 3 mW et un angle de faisceau étroit de ±10°.
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Diode infrarouge VTE1163H, boîtier TO-46 avec lentille, 110 mW, angle de faisceau de ±10°°
La VTE1163H est une diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 880 nm dans un boîtier TO-46 hermétique avec lentille. Cette diode infrarouge offre une puissance de sortie de 110 mW et un angle de faisceau étroit de ±10°.
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Diode infrarouge VTE1063H, boîtier TO-46, 80 mW, angle de faisceau de ±35°°
La diode électroluminescente infrarouge (IRED) de 880 nm d'Excelitas offre une puissance de sortie de 80 mW et un grand angle de faisceau de ±35° dans un boîtier hermétique TO-46.
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Diodes électroluminescentes IR
Les diodes infrarouges sont des sources lumineuses à semiconducteurs qui émettent dans la partie du spectre proche de l'infrarouge. La longueur d'onde d'émission est presque égale au pic de la réponse des photodiodes et des phototransistors au silicium. Cette gamme de produits fournit un large éventail d'options de lentilles et de puissances de sortie. Les boîtiers sont offerts avec l'émission du faisceau par le dessus ou sur les côtés, et une vaste gamme de profils de rayon. These IREDs may be operated in either CW or pulsed operating modes.IREDs…
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Blocs d'alimentation
Excelitas Technologies conçoit et fabrique des systèmes et des blocs d'alimentation haute performance personnalisés pour d'importants fabricants d'équipement d'origine (FEO) dans divers marchés, dont : médical, dentaire, semiconducteurs, fabrication industrielle, défense, aérospatiale, et sécurité et protection. Notre vaste portefeuille de produits, qui comprend les plus récentes avancées en matière de technologie de conversion de puissance, est fondé sur des conceptions éprouvées sur le terrain.
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Électronique et alimentation
Excelitas Technologies offre une vaste gamme de technologies électroniques, énergétiques et d'alimentation de haute performance en mesure de faire fonctionner vos systèmes photoniques les plus rigoureux. Nos produits d'électronique et d'alimentation comprennent des chargeurs de condensateur, des éclateurs, des transformateurs, des blocs d’alimentation c.c. haute tension et des étalons de fréquence atomique. Notre portefeuille énergétique comprend des dispositifs électroniques de sécurité et d'armement, des détonateurs, des dispositifs de sécurité d'allumage et des initiateurs pour moteur-fusée.
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Détecteurs et capteurs thermopile
 Excelitas Thermopile Sensors offer leading-edge, non-contact temperature measurement for applications in smart home, smart appliances, intelligent thermostats and HVAC control systems, and ear and forehead thermometers.Our Thermopile Detectors are typically Thermopiles with integrated Thermistor providing analog output in various packages. Les conceptions spéciales comprennent des lentilles ou des réflecteurs intégrés pour améliorer la performance des capteurs, des constructions isothermes ou des fenêtres à bandes étroites doubles. Our…
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Détecteurs et capteurs pyroélectriques infrarouges
 Les détecteurs infrarouges pyroélectriques d'Excelitas sont à l'avant-garde de la technologie de détection de mouvement, offrant une variété de détecteurs infrarouges pyroélectriques numériques et analogiques pour répondre à une vaste gamme d'applications dans la maison intelligente, la ville intelligente, l'IOT, la détection de cambriolage et les systèmes de sécurité. With Pyroelectrics available in Single-, Dual- and Quad-Element configurations we offer you a wider range of different sized infrared sensor surfaces, which directly translates to enhanced performance and…
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Barrettes IR CoolEYE
Les barrettes IR CoolEYE™ d'Excelitas offrent une mesure de la température sans contact de pointe pour les applications nécessitant une résolution spatiale plus fine. Cela peut être réalisé au moyen d'une barrette de capteurs IR linéaire à balayage de 8 ou 16 pixels, ou une barrette statique 2D qui, souvent, ne compte que 4 x 4 pixels. These sensors are well-suited for applications such as elevated skin temperature screening, presence and motion detection, room climate control, fire and overheat detection and much more.Our…
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VTP3410LAH – Photodiode au silicium, IRT T1 avec lentille, 0,684 mm2
La VTP3410LAH est une photodiode au silicium dans un boîtier long T1 avec lentille à détection verticale qui bloque les rayons visibles et présente une réponse accrue dans le domaine spectral du proche infrarouge. Cette photodiode présente une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité et une faible capacitance.
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Photodiode au silicium VTP1188SH, céramique avec lentille, 11 mm2
La VTP1188SH est une photodiode au silicium dans un boîtier en céramique avec lentille. Cette photodiode offre une réponse améliorée dans le domaine spectral du visible et de l'infrarouge proche, en plus de présenter une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité et une faible capacitance.
Produit
VTD31AAH – Photodiode au silicium, équivalent de la CLD31AA, céramique, 16,73 mm2
La VTD31AAH est une photodiode au silicium sur un substrat en céramique revêtu d'époxy qui équivaut à la photodiode commerciale CLD31AA. Cette photodiode fournit un faible courant d'obscurité, une réponse rapide et un large champ de vision.

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