SUCHERGEBNISSE (2072)
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Excelitas bietet weiterhin technischen Support für nicht mehr verfügbare PCO-Kameras an, mit Zugang zu entsprechenden Software-Downloads und Benutzerhandbüchern. Nachfolgend finden Sie eine Liste nicht mehr verfügbarer PCO-Hochgeschwindigkeitskameras mit verfügbarer Software und Benutzerhandbüchern zum Download.
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Stromversorgungen für Cermax® Xenon-Bogenlampen sind fortschrittliche, innovative Produkte, die für die Industrie der Spezialbeleuchtung entwickelt wurden. Sie werden in einer Vielzahl von Hochleistungsanwendungen eingesetzt, darunter Medizin, Zahnmedizin, Endoskopie, Industrie und Bildprojektion.
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PCO bietet verschiedene Dokumentationen, Software und Zeichnungen für alle Kameras und Systeme, auch für nicht mehr erhältliche Produkte. Please refer below to the relevant product to download applicable documentation and complimentary software.If you require technical support or have a specific request about our PCO cameras, please contact us using the PCO Support Request Form.
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Die C30822EH ist eine Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 5,0 mm in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, das für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
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Das C30950EH ist ein Silizium Avalanche-Photodioden (Si APD) Verstärkermodul mit 50 MHz Bandbreite und beinhaltet unsere C30817 Silizium Avalanche-Photodiode. Mit einem aktiven Durchmesser von 0,8 mm bietet das C30950EH ein gutes Reaktionsverhalten zwischen 400 nm und 1100 nm und wird in einem modifizierten TO-12-Gehäuse mit 8 Pins geliefert.
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Die großflächige Silizium Avalanche-Photodiode C30916EH bietet eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 1,5 mm in einem TO-5-Gehäuse.
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Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (VOP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (VOP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
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Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (VOP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (VOP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
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Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (VOP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (VOP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
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Die C30808EH ist eine Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 2,5 mm in einem hermetischen TO-5 Gehäuse, das für den Wellenlängenbereich von 300 bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
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Die großflächige, für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30956EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 3 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-8 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.
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Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-03, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt. Die Quadranten, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich. With this design, there is no dead space between the elements and therefore no loss of response at boresight.The C30927EH-03 is optimized for operating at 800 nm, providing high…
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Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (VOP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (VOP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
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Die Avalanche-Photodioden C30902EH von Excelitas sind großflächige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Reach-through-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie sind speziell für Detektionsanwendungen von geringsten Lichtstärken entwickelt worden, die typischerweise > 100-fache Verstärkungen erfordern, und sind in TO-18 Gehäusen mit verschiedenen Fensterkonfigurationen wie Flachglas, Kugellinse, Lightpipe und 905 nm Bandpassfilter verfügbar.
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Die Avalanche-Photodioden C30902EH von Excelitas sind großflächige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Reach-through-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie sind speziell für Detektionsanwendungen von geringsten Lichtstärken entwickelt worden, die typischerweise > 100-fache Verstärkungen erfordern, und sind in TO-18 Gehäusen mit verschiedenen Fensterkonfigurationen wie Flachglas, Kugellinse, Lightpipe und 905 nm Bandpassfilter verfügbar.
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Die Avalanche-Photodioden C30902EH von Excelitas sind großflächige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Reach-through-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie sind speziell für Detektionsanwendungen von geringsten Lichtstärken entwickelt worden, die typischerweise > 100-fache Verstärkungen erfordern, und sind in TO-18 Gehäusen mit verschiedenen Fensterkonfigurationen wie Flachglas, Kugellinse, Lightpipe und 905 nm Bandpassfilter verfügbar.
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Die C30807EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem Durchmesser der aktiven Fläche von 1,0 mm in einem hermetischen TO-18 Gehäuse, welches für den Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Diese Produktserie bietet ein breites Portfolio an Chipgrößen von 0,8 mm² bis 100 mm².
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Die C30845EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN Quadranten-Photodiode in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, die für einen Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Mit ihrer großen aktiven Fläche (50 mm²) ist die Diode dazu geeignet, Positionsinformationen sowohl von fokussierten als auch von nicht-fokussierten Punkten im gepulsten oder CW-Modus aufzunehmen.
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Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (APD) C30955EH besitzt eine aktive Fläche mit 1,5 mm Durchmesser und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.
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Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-02, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt. Die Quadranten, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich. With this design, there is no dead space between the elements and therefore no loss of response at boresight.The C30927EH-02 is optimized for operating at 900 nm, providing high…
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Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-01, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt.
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Die Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) C30884EH bietet eine hohe Emfpindlichkeit und die Möglichkeit sehr hohe Modulationsfrequenzen zu nutzen aufgrund ihrer schnellen Anstiegs- und Abfallzeit. Aufgrund der kurzen Abfallzeit, ist die Empfindlichkeit der Diode bis zu etwa 400 MHz unabhängig von der Modulationsfrequenz. Diese Si APD verwendet eine doppelt diffundierte „Reach-Through“ Struktur und ist für eine hohe Empfindlichkeit bei Wellenlängen von unter 1000 nm optimiert.
Product Category
Eine präzise Strahlpositionierung kann durch die Verwendung unserer Quadranten-PIN- und Avalanche-Photodetektoren erreicht werden. Sie sind mit 4 präzise dotierten Quadrantenabschnitten konstruiert, wodurch der unempfindliche Bereich zwischen den einzelnen Quadranten auf nahezu Null reduziert wird. Ihre Struktur ermöglicht eine hohe Quantenausbeute und eine schnelle Reaktion für die Detektion von Photonen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm.
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Die für 1060 nm optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30954EH besitzt eine aktive Fläche mit einem Durchmesser von 0,8 mm und bietet eine hohe Quantenausbeute. Die Si APD wird mit einer doppelt diffundierten "Reach-through" Struktur in einem TO-5 Gehäuse gefertigt. Ihre Empfindlichkeit wurde speziell für Wellenlängen >900 nm optimiert.
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Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30817EH ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“ Struktur für allgemeine Anwendungen konzipiert. Diese Struktur bietet eine hohe Empfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm sowie schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über alle Wellenlängen. Aufgrund der kurzen Abfallzeit, ist die Empfindlichkeit der Diode bis zu etwa 200 MHz unabhängig von der Modulationsfrequenz.
Product Category
Die Avalanche-Photodioden (APD)-Arrays und -Quadranten der Excelitas C30927-Familie verwenden eine doppelt-diffundierte „Reach-Through“-Struktur, die für optimale Leistung Totraum zwischen den Pixeln eliminiert. Diese Struktur bietet eine sehr hohe Empfindlichkeit zwischen 400 nm – 1000 nm. Es werden drei verschiedene Varianten angeboten, je nach gewünschter Spitzenwellenlänge können Sie wählen zwischen 800, 900 und 1060 nm.
Product Category
Die für 1064 nm Wellenlänge optimierten Si APDs (C30954EH, C30955EH und C30956EH) werden unter Verwendung einer doppelt diffundierten „Reach-through“-Struktur hergestellt. Das Design dieser Photodioden ist so ausgelegt, dass ihre Empfindlichkeit im Bereich > 900 nm optimiert wurde. Die Quantenausbeute erreicht bis zu 40% bei 1060 nm.
Product Category
Die „Reach-through“ Silizium APDs bieten den besten Kompromiss in Bezug auf Preis und Performance für Anwendungen, die eine schnelle und rauscharme Photonendetektion im Spektralbereich von 400 nm bis zu 1100 nm erfordern. Diese Si-APDs zeichnen sich durch geringes Rauschen, hohe Quantenausbeute sowie einen hohen Verstärkungsfaktor bei vergleichsweise niedriger Betriebsspannung aus. Der Durchmesser der aktiven Sensorfläche variiert von 0,5 mm bis 3 mm.
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Die C30741PFH-15S ist eine Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Photodiode mit einer 1,5 x 1,5 mm aktiven Fläche in einem T1 ¾ Kunstoffgehäuse, wahlweise transparent oder blockierend für den sichtbaren Spektralbereich.
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Die C30733-Serie kombiniert verschiedene Produkte von InGaAs Avalanche Photodioden (APD) mit hoher Verstärkung und einer aktiven Fläche von 30 µm. Die InGaAs APDs von Excelitas bieten eine hohe Quantenausbeute (QE), hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm. Sie werden in einem hermetisch verschlossenen TO-18-Gehäuse oder als FC/ACP-Singlemode-Faserpigtail geliefert.
Produkt
Die C30737LH-500-92N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit einem 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Produkt
Die Avalanche-Photodiode (APD) C30737MH-500-90N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Produkt
Die C30737LH-500-90N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Produkt
Die C30737PH-500-90N Silizium Avalanche-Fotodiode (APD) wird in einem T 1¾ Kunststoffgfehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Emfpindlichkeit bei 900 nm.
Produkt
Die C30741PH-15S ist eine Hochgeschwindigkeits-Silizium-PIN-Photodiode mit einer 1,5 x 1,5 mm aktiven Fläche in einem transparenten T1¾-Kunststoffgehäuse.
Produkt
Die C30737LH-230-92N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit einem 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm.
Produkt
Die C30737MH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem LLC Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Produkt
Die C30737LH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Emfindlichkeit bei 900 nm.
Produkt
Die C30737PH-230-90N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem T 1¾ Kunststoffgehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 900 nm.
Produkt
Die C30737LH-500-83N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
Produkt
Die C30737LH-500-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm.
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Das Modell C30723GH ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit aktivem Durchmesser von 5,0 mm in einem TO-8-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Diese Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
Produkt
Die Avalanche-Photodiode (APD) C30737MH-500-80N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Produkt
Die C30737LH-500-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
Produkt
Die Silizium Avalanche-Photodiode (APD) C30737PH-500-80N besitzt einen aktiven Durchmesser von 500 µm mit optimierter Empfindlichkeit bei 800 nm und wird in einem T1¾-Kunststoffgehäuse geliefert.
Produkt
Die C30737LH-300-73N Silizium Avalanche-Photodiode (APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 650 nm Bandpassfilter geliefert, und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
Produkt
Die C30737LH-300-72N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD)wird in einem Keramikgehäuse mit 905 nm Bandpassfilter geliefert und besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm.
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Die C30737LH-300-71N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert und bietet einen 300 µm aktiven Durchmesser.
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Die C30737LH-300-70N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 300 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
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Die C30737LH-230-83N Silizium-Avalanche-Fotodiode (Si APD) bietet einen aktiven Durchmesser von 230 µm mit verbesserter 800-nm-Reaktion und 650 nm optischem Bandpass in einem bleifreien Keramikträger (LCC).
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Die C30737LH-230-81N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) mit 635 nm Bandpassfilter geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
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Die C30737MH-230-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichktei bei 800 nm.
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Die C30737LH-230-80N Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) wird in einem Keramikgehäuse (LCC) geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
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Die für den kurzwelligen Bereich optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30739ECERH-2 deckt den Spektralbereich von unter 400 nm bis über 700 nm ab. Mit geringem Rauschen, niedriger Kapazität und einer optimierten Empfindlichkeit im UV bei gleichzeitig hoher Verstärkung, bietet die Si APD eine Quantenausbeute von mehr als 70% bei 430 nm und ist für Anwendungen bei niedriger Lichtleistung, wie z. B. die molekulare Bildgebung, ausgelegt. Ihr keramisches Substrat ermöglicht eine einfache Handhabung und Kopplung an Szintillationskristalle wie LSO und BGO.
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Die Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30737PH-230-80N wird in einem in einem T1¾ Gehäuse aus Kunststoff geliefert, besitzt einen aktiven Durchmesser von 230 µm und bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm.
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Die C30737CH-300-70 Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine optimierte Empfindlichkeit bei 800 nm und hat einen aktiven Durchmesser von 300 µm in einem Leadless Laminate Carrier (LLC) Gehäuse
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Die C30724PH Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem Kunststoffgehäuse.
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Die C30724EH-2 Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) beinhaltet einen 905 nm Filter in einem metallischen TO Gehäuse und bietet einen niedrigen Temperaturkoeffizienten.
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Die für den kurzwelligen Bereich optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30739ECERH deckt den Spektralbereich von unter 400 nm bis über 700 nm ab. Mit geringem Rauschen, niedriger Kapazität und einer optimierten Empfindlichkeit im UV bei gleichzeitig hoher Verstärkung, bietet die Si APD eine Quantenausbeute von mehr als 70% bei 430 nm und ist für Anwendungen bei niedriger Lichtleistung, wie z. B. molekulare Bildgebung, konzipiert. Ihr keramisches Substrat ermöglicht eine einfache Handhabung und Kopplung an Szintillationskristalle wie LSO und BGO.
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Die großflächige Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) C30703FH-200 mit Abmessungen von 10 mm x 10 mm wird in für die Strahlungserkennung geeigneten Flatpack-Gehäusen angeboten. Die Si APD C30703FH-200 ist für den blauen Spektralbereich optimiert und hat ihre maximale Quantenausbeute bei ~ 530 nm.
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Die großflächige Silizium Avalanche-Photodioden (Si APDs) der C30703FH Serie mit Abmessungen von 10 mm x 10 mm werden in für die Strahlungserkennung geeigneten Flatpack Gehäusen angeboten. Die Si APD C30703FH ist für den blauen Spektralbereich optimiert und hat ihre maximale Quantenausbeute bei ~ 530 nm.
Product Category
Unsere InGaAs PIN-Detektoren bieten eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weisen eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite, hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und Gleichförmigkeit innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
Die C30724EH Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) bietet eine maximale Empfindlichkeit bei 920 nm und einen niedrigen Temperaturkoeffizienten in einem metallischen TO Gehäuse.
Product Category
Die Produktfamilie der InGaAs Avalanche-Photodioden von Excelitas umfasst aktive Flächen mit Abmessungen von 30 µm bis 200 µm. Damit ist sie insbesondere für verschiedene Anwendungen geeignet, die eine Photonendetektion zwischen 1000 nm und 1700 nm erfordern. The C30645, C30662, and C30733 series of avalanche photodiodes (APDs) are high-speed, high-gain devices made from InGaAs/InP. They offer high quantum efficiency (QE), high responsivity, and low noise within the 1000 nm to 1700 nm spectral range, with optimization at 1300 nm and 1550 nm…
Product Category
Unsere APDs der Serie C30724 bieten eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 800 nm bis 950 nm und sind so konzipiert, dass sie die Anforderungen in der Großserienfertigung bei gutem Preis-/Leistungsverhältnis erfüllen. Die C30724EH wird in einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert. Die C30724EH-2 verwendet ein modifiziertes TO-18 Gehäuse mit einem eingebauten 905 nm Bandpassfilter. Das Modell C30724PH ist in Kunstoff gekapselt, ähnlich der Größe eines TO-18 Gehäuses.
Product Category
Die UV optimierten Silizium Avalanche-Photodioden (Si APD) mit großer aktiver Fläche sind für den Einsatz in einer Vielzahl von breitbandigen Anwendungen mit sehr geringen Lichtleistungen vorgesehen, die den Spektralbereich von unter 400 nm bis über 700 nm abdecken. Diese Si APDs bieten geringes Rauschen und niedrige Kapazitäten bei großer Verstärkung und sind in Flatpack-Gehäusen erhältlich, die neben der direkten Detektion eine einfache Kopplung an Szintillatorkristalle erlauben.
Produkt
Die Serie C30662 umfasst eine Vielzahl von großflächigen InGaAs-Avalanche-Photodioden (APDs) mit einer aktiven Fläche von 200 µm. Die InGaAs APDs von Excelitas bieten eine hohe Quanteneffizienz (QE), robuste Empfindlichkeit und geringes Rauschen über den Spektralbereich von 1000 nm bis 1700 nm. Diese Geräte sind in einem hermetisch verschlossenen TO-18-Gehäuse oder auf einem Keramikträger verfügbar. Das Keramikgehäuse für die Oberflächenmontage ermöglicht eine einfache Integration in Anwendungen mit hohen Stückzahlen.
Produkt
Die C30683-Serie kombiniert die Avalanche-Photodioden (APD) von Excelitas mit einem Hochgeschwindigkeits-Transimpedanzverstärker (TIA) in einem hermetisch versiegelten TO-8-Gehäuse für die Detektion bei extrem schwachem Licht. Die Module bieten eine Bandbreite von bis zu 450 MHz und eignen sich daher ideal für anspruchsvolle Anwendungen.
Produkt
Die C30665GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 3,0 mm in einem TO-5- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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Die C30642GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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Die C30641GH-LC ist eine großflächige InGaAs-PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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Die C30619GH-LC ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm in einem TO-18- Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch eine äußerst niedrige Kapazität aus, die nur die Hälfte der Kapazität des Standardtyps beträgt und daher das Doppelte der Bandbreite von 3 dB, hohe Empfindlichkeit und hohen Shunt-Widerstand sowie einen niedrigen Dunkelstrom aufweist. Typical devices feature less than 1% non-linearity and uniformity within 2% across the…
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Die C30618L-350 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 350 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
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Die C30617L-100 ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit 100 µm aktivem Durchmesser in einem Keramik-SMD-Gehäuse mit Fenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 960 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
Produkt
Die C30645-Serie kombiniert verschiedene Produkte großflächiger InGaAs-Avalanche-Photodioden (APD) mit einer aktiven Fläche von 80 µm. Die InGaAs APDs von Excelitas bieten eine hohe Quanteneffizienz (QE), hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1000 nm und 1700 nm. Sie werden in einem hermetisch verschlossenen TO-18-Gehäuse oder auf einem Keramikträger geliefert. Das oberflächenmontierbare Keramikgehäuse ermöglicht eine einfache Integration in Anwendungen mit hohen Stückzahlen.
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Die C30665GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 3,0 mm in einem TO-5 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, hohen Nebenwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, niedrige Kapazität für schnelle Reaktionszeit und eine Homogenität im 2%-Bereich über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
Produkt
Die C30642GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 2,0 mm in einem TO-5 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
Produkt
Die C30641GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 1,0 mm in einem TO-18 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
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Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550-R2AH beinhaltet eine für 1550 nm optimierte C30662EH-InGaAs-APD von Excelitas.
Produkt
Produkte der C30659-Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550-R2AH beinhaltet eine C30662EH InGaAs-APD, die für 1550 nm optimiert ist.
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Optische APD-Empfänger der C30659-Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550E-R08BH beinhaltet eine für 30645 nm optimierte C1550EH InGaAs-APD.
Produkt
Optische APD-Empfänger der C30659-Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb.
Produkt
Die C30619GH ist eine großflächige InGaAs PIN-Photodiode und verwendet einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 0,5 mm in einem TO-18 Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie zeichnet sich durch hohe Empfindlichkeit, einen hohen Shuntwiderstand, niedrigen Dunkelstrom, einer niedrigen Kapazität bei schneller Reaktionszeit und einer Homogenität von 2 Prozent über die gesamte aktive Detektorfläche hinweg aus.
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Die C30618GH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode. Sie verfügt über einen Chip mit einem aktiven Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit flachem Glasfenster. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
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Das Modell C30618BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit aktivem Durchmesser von 350 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse und FC Faserkupplung. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von 2% über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
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Die C30617BFCH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit einem aktiven Durchmesser von 100 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse und FC Faserkupplung. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
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Das Modell C30617BH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einem Chip mit aktivem Durchmesser von 100 µm in einem TO-18-Gehäuse mit Kugellinse. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
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Das Modell C30659-UV-1 verfügt über eine UV optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetisch abgedichtete TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb.
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Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1060-3AH beinaltet eine C30956EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 1060 nm und aktivem Durchmesser von 3 mm.
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Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1060E-R8BH beinhaltet eine für 30954 nm optimierte C1060EH Si-APD mit einem aktiven Durchmesser von 0,8 mm.
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Das Modell C30618ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 350 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
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Das Modell C30617ECERH ist eine Hochgeschwindigkeits-InGaAs-PIN-Photodiode mit einer aktiven Fläche von 100 µm Durchmesser auf einem rechteckigen Keramikträger. Die Photodiode bietet eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weist eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite sowie einen hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und eine hohe Homogenität innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
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Optische APD-Empfänger der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1060-R8BH beinhaltet eine C30954EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 1060 nm und aktivem Durchmesser von 0,8 mm.
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Optische APD-Empfänger der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-900-R8AH beinhaltet die C30817EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 900 nm und aktivem Durchmesser von 0,8 mm.
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Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Die C30659-900-R5BH beinhaltet die C30902EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 900 nm und aktivem Durchmesser von 0,5 mm.
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Die großflächige Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) aus der C30626FH-Serie mit Abmessungen von 4,7 mm x 4,7 mm ist in einem Flatpack-Gehäuse zur direkten Detektion oder einfachen Kopplung an Szintillatorkristalle erhältlich.
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Das BlueLight® Dairy UVC-Blitz-Desinfektionssystem wurde für eine nahtlose Integration in Abfüll- und Verschließmaschinen entwickelt. Seine leistungsstarken Module bestrahlen effektiv Konfigurationen von verschiedenen Becherträgern/Zellenbrettern. Der modulare Aufbau des Systems reduziert Stillstandszeiten und vereinfacht die Instandhaltung. Aufgrund seiner kompakten Bauweise ist es ideal für Anwendungen mit begrenzter Grundfläche geeignet.
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BlueLight® SteriBelt ist ein leistungsstarkes UVC-System, das speziell für die Entkeimung der Oberflächen von Fließbändern in der fleischverarbeitenden Industrie entwickelt wurde. Lebensmittelproduzenten stehen vor vielen Herausforderungen, wenn es um die HACCP-Hygienevorschriften geht, besonders im Hinblick auf die Entkeimung von Fließbändern. Das BlueLight SteriBelt UVC-System meistert diese Herausforderungen effektiv und ist somit eine ideale Lösung für die Lebensmittelsicherheit.
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BlueLight® Premium-UV-Systeme bieten wirksame Entkeimung für verschiedene Arten von Lebensmittelverpackungen, darunter Siegelfolien, Bechern, Schalen, Schlauchbeuteln und Giebeldach Verpackungen. Diese Systeme zählen zu den zuverlässigsten Niederdrucklösungen auf dem Markt und werden seit vielen Jahren von führenden Unternehmen in der Milchindustrie eingesetzt.
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Das BlueLight® Hygienic System wurde speziell für die zuverlässige Oberflächenentkeimung von Lebensmittelverpackungen entwickelt. Es eliminiert Keime und senkt die Energiekosten erheblich, was zu einer außergewöhnlichen Log3-Reduktion und Einsparungen von bis zu 90% führt. Dieses UVC-Desinfektionssystem bietet eine hohe UV-Intensität, kalte Strahlung und es erfordert keine Wasserkühlung. Das macht es bei geringen Investitionskosten ideal für die Anwendung in Bereichen der Industrie 4.0.
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Das Air D UVC-System ermöglicht eine schnelle und einfache Entkeimung durch keimtötende ultraviolette Strahlung (UVC) ohne den Einsatz von Chemikalien. Diese Methode der Luftdesinfektion reduziert das Infektionsrisiko erheblich und erhöht das Wohlbefinden der Personen im Raum. Die Luftkanal-Desinfektionsmodule Air D lassen sich nahtlos in jedes Zuluftkanalsystem integrieren. Its UV-C (UVGI) lamps are highly effective, require minimal maintenance, are ozone-free,…
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Die Serie 1102502 ist eine CT-Röntgen-Stromversorgung von 125 kV/250 mA. Sie ist eine präzise geregelte Stromversorgung mit der Technologie der Hochfrequenz-Leistungsumwandlung, die für alle Stromversorgungsfunktionen verwendet wird. Sie ist für eine hochleistungsfähige Röntgenröhre mit Drehanode ausgelegt und erzeugt -125 kV bei 250 mA in einem Standard-Betriebsmodus, -130 kV bei 10 mA in einem Röhrenkonditionierungs-Betriebsmodus.
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Air Knives sind Infrarotmodule, die mit einer Luftführung ausgestattet sind. Sie werden für die Trocknung von Produktoberflächen in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt. Diese Module ermöglichen einen sehr intensiven und gleichmäßigen Luftaustausch, der den Trocknungsprozess verkürzt und eine effizientere Nutzung pro Energieeinheit sicherstellt.
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Die CT-Röntgen-Stromversorgung mit 180 kV bei 16 mA ist eine präzise geregelte Stromversorgung, die für den Einsatz in einem Röntgen-Computertomographie(CT)-System entwickelt wurde. Das Gerät ist so ausgelegt, dass es kontinuierlich mit voller Leistung betrieben wird. Es ist auf einem rotierenden Portal bei Drehzahlen bis zu 120 U/min und bis zu 25 G montiert. Die Hochspannungs-Tankbaugruppe ist zur elektrischen Isolierung und Kühlung mit Öl gefüllt. Für einen sicheren und höchst zuverlässigen Betrieb sind umfangreiche interne Verriegelungen und Diagnosefunktionen integriert.
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Die XRSE Hochspannungs-Stromversorgung ist eine präzise geregelte Stromversorgung, die für den Einsatz in einem Röntgensystem entwickelt wurde. Die Stromversorgungen bieten Hochspannung für Röntgenröhren, Filamentleistung und die Regelung des Emissionsstroms im geschlossenen Regelkreis. Das Gerät ist für den kontinuierlichen Betrieb bei voller Leistung ausgelegt. Die Hochfrequenz-Leistungswandlertechnologie wird für alle Stromversorgungsfunktionen verwendet. Umfangreiche interne Verriegelungen und Diagnosen sind integriert, um einen zuverlässigen und sicheren Betrieb zu gewährleisten. Excelitas also designs and…
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Die Elektronenstrahl-HVPS-Stromversorgung von Excelitas mit -150 kV und 100 mA bietet einen integrierten Wechselstrom-Filamenttreiber von 25 VAC, 50 Hz, einen Effektivstrom von unter 20 ARMS und Netztreiber von -30 bis +170 VDC bei 200 mA. Netztreiber-Stromversorgungen sind negative, hochgradig geregelte Stromversorgungen zur Verwendung in Elektronenstrahlsystemen, die in der Lage sind, 0 bis -150 kVDC bei 100 mA Gleichstrom zu erzeugen. Die Stromversorgungen sind für den kontinuierlichen Betrieb bei voller Ausgangsleistung ausgelegt.
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Dieses Hochspannungsnetzteil (HVPS) von Excelitas ist für die Stromversorgung einer Elektronenstrahlkanone ausgelegt. Die HVPS der Serie 1102710 bietet zwei Ausgänge, die HV-Strahlversorgung und eine Hilfsversorgung, die an der Ausgangsspannung der HV-Strahlversorgung erdfrei ist. Der Hochspannungsausgang beträgt nominell -180 Kilovolt bei 70 mA für eine Leistung von etwa 13 Kilowatt. Die Hilfsspannung ist für die Versorgung der Steuer- und Glühfaden-Elektronik in der Elektronenstrahlkanone vorgesehen, die den vom HVPS aufgenommenen Elektronenstrahl-Emissionsstrom steuert.
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Die Hochspannungs-Stromversorgung für Elektronenstrahlkanonen von Excelitas ist eine hochgradig geregelte Stromversorgung, die für den Einsatz in einem Elektronenstrahlsystem entwickelt wurde. Die Versorgung liefert eine hohe Spannung für den Elektronenstrahlsender, die Heizleistung und die Regelung des Emissionsstroms im geschlossenen Regelkreis. Die Technologie der Hochfrequenz-Leistungsumwandlung wird für alle Stromversorgungsfunktionen verwendet. Das Gerät ist für den kontinuierlichen Betrieb bei voller Leistung ausgelegt.
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Die Elektronenstrahl-Hochspannungs-Stromversorung mit -150 kV und 100 mA und integriertem Heiz-Wechselstromtreiber von 25 VAC, 50 Hz, <20 A (RMS) und Netztreiber von -30 bis +170 VDC bei 200 mA von Excelitas. Netztreiber-Stromversorgungen sind negative, hochgradig geregelte Stromversorgungen zur Verwendung in Elektronenstrahl-Systemen, die in der Lage sind, 0 bis -150 kVDC bei 100 mA Gleichstrom zu erzeugen. Die Stromversorgungen sind für den kontinuierlichen Betrieb bei voller Ausgangsleistung ausgelegt.
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Die Hochspannungsstromversorgung ist eine hochgradig geregelte Stromversorgung. Die Stromversorgung liefert Hochspannung und hat Elektronenstrahlemitter, Filament-Leistung und Emissionsstromregelung mit geschlossenem Regelkreis, wenn sie als E-Gun-Stromversorgung verwendet wird. Die Hochfrequenz-Leistungswandlertechnologie wird für alle Stromversorgungsfunktionen verwendet. Das Gerät ist für den kontinuierlichen Betrieb bei voller Leistung ausgelegt.
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Das APOLED-Modell besteht aus einem einzigen qualitativ hochwertigen Chip mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften und hohem Lichtstrom. Excelitas bietet individuell angepasste weiße CCT mit hohen CRI-Werten oder beliebige andere verfügbaren Wellenlängen-Chips. Wir garantieren Mindestwerte, schmale Bins und kundenspezifische Tests für unsere Produktionschargen, unter anderem garantierte minimale CRI-Werte in Ra, R9 und R13. Unsere APOLED-Modelle in Mikrogröße sind klein genug, um eine hervorragende Farbmischung und Packungsdichte zu ermöglichen.
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Die ACULED®-Plattform ist ein Chip-on-Board (COB)-LED-Gehäuse mit vier separat adressierbaren LED-Chips. Wir bieten eine große Auswahl an Standard- oder individuell angepassten Wellenlängen und verschiedene CCT-Weißtöne mit hoher Farbwiedergabe. Das ACULED-Paket ist ideal für medizinische Beleuchtungsanwendungen, die eine abstimmbare weiße CCT-Beleuchtung mit hohem CRI erfordern.
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Die Hochspannungs-Röntgenstromversorgungen der Excelitas-Familie sind präzise geregelte Designs, die speziell für die hohen Anforderungen moderner Röntgensystemen entwickelt wurden. Diese Stromversorgungen liefern Hochspannung für Röntgenröhren, Filament-Leistung und Emissionsstromregelung im geschlossenen Regelkreis. Einige Einheiten laufen kontinuierlich mit voller Leistung, während andere für Anwendungen mit niedrigerem Arbeitszyklus und hohem Spitzenleistungsbedarf vorgesehen sind.
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Das Excelitas E-Gun-Hochspannungsstromversorgungsgerät ist eine hochgradig geregelte Stromversorgung, die für den Einsatz in einem Elektronenstrahlsystem entwickelt wurde. Die Versorgung liefert eine hohe Spannung für den Elektronenstrahlsender, die Heizleistung und die Regelung des Emissionsstroms im geschlossenen Regelkreis. Die Technologie der Hochfrequenz-Leistungsumwandlung wird für alle Stromversorgungsfunktionen verwendet. Das Gerät ist für den kontinuierlichen Betrieb bei voller Leistung ausgelegt.
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Excelitas entwickelt und produziert UV-Lösungen zur Desinfektion von Luft, Flüssigkeiten und festen Oberflächen. Unsere UVC-Lichtquellen reichen von Komponenten bis hin zu Komplettlösungen mit Beleuchtungstechnologien wie LED, Xenon, Kypton, Excimer und Amalgam. Basierend auf diesem umfassenden Technologieportfolio erfüllt Excelitas verschiedene Anforderungen für spezifische Anwendungen, die Menschen und Umwelt vor gefährlichen mikrobiellen Kontaminationen schützen. With field-proven…
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Wissenschaftliche Kameras sind ein wesentlicher Bestandteil der Forschungswelt und dienen dem Experimentieren. Durch die Nutzung von sCMOS-Bildsensoren gewährleisten diese Kameras höchste Qualität und eine maximale Bildgenauigkeit. Unser wissenschaftliches PCO-Kameraportfolio umfasst sowohl gekühlte als auch ungekühlte sCMOS-Kameras. Cooled sCMOS cameras are equipped with an active cooling mechanism to help lower the sensor temperature, minimize dark current, and enable longer exposure times, which is beneficial for low-light applications such as…
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Excelitas bietet mit der renommierten Serie pco.dicam ein breites Sortiment an Ein- und Mehrkanal-Bildverstärkerkameras. Mit extrem kurzen Belichtungszeiten von bis zu 2,5 ns bieten unsere pco.dicam-Kameras die Möglichkeit, ultraschnelle Prozesse weit über die Möglichkeiten jedes anderen Kameratyps hinaus präzise zu steuern. Featuring state-of-the-art scientific CMOS sensor technology, our pco.dicam intensified cameras combine high resolution, fast frame repetition rates, 16-bit dynamic range and extreme…
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Excelitas bietet ein breites Spektrum optischer Detektoren, Sensoren und Module mit hoher Empfindlichkeit im Gamma-, Röntgen-, UV- und sichtbaren Spektralbereich sowie im nahen Infrarot. Die Produktpalette umfasst PIN-, Avalanche-Photodioden (APD) und Detektormodule mit integrierter Verstärkerschaltung aus Silizium (Si) oder IndiumGalliumArsenid (InGaAs) sowie Photon-Counting Module (SPCM) zum Detektieren einzelner Photonen. Neben des breiten Angebotes an Standardprodukten sind wir spezialisiert, kundenspezifische Lösungen für individuelle Anforderungen zu fertigen.
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Excelitas bietet eine Vielzahl innovativer faseroptischer Lichtquellen und Komponenten mit unübertroffener Lichtleistung und konfigurierbaren Optionen für ein einfaches Design und eine schnelle Markteinführung an. Diese LED-Lichtquellen sind so konzipiert, dass sie hochintensives weißes Licht in faseroptische Bündel für Anwendungen wie wie Endoskopie, chirurgische Stirnlampen, chirurgische Mikroskopie, industrielle Endoskope, Prüfsysteme und industrielle Bildverarbeitung koppeln.
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Excelitas bietet Laufzeit-Chips (ToF-Chips) und -Module an, die auf proprietären CMOS-/CCD-Bildsensoren basieren. Das Funktionsprinzip basiert auf der Laufzeit der Photonen, die von der Lichtquelle ausgesendet und vom Objekt zurück zu den lichtempfindlichen Pixeln reflektiert werden. Das System misst die Phasenverschiebung zwischen dem ausgesendeten und dem empfangenen Signal, die proportional zur Entfernung ist. High photo-sensitivity and high-resolution ADC allows measurement accuracy down to a centimeter level depending on the…
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Excelitas bietet photonische Detektionslösungen an, die von Silizium- und InGaAS-PINs und Avalanche-Photodioden zu Hybridempfängern und Photon-Counting Modulen reichen, um Hochleistungsanwendungen in der Großserienfertigung in einem breiten Spektrum von Märkten zu adressieren. Die thermischen IR-Sensoren von Excelitas repräsentieren eine breite Palette von pyroelektrischen Detektoren, Thermopile-Detektoren und IR-Sensormodulen, die zur Bewegungserkennung, Anwesenheitsüberwachung, Temperaturmessung und Gasdetektion eingesetzt werden.
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Excelitas bietet eine Vielzahl von Einkanal- und Array-Varianten gepulster Laserdioden an. With central wavelengths at 905 nm and 1550 nm, and packages ranging from high volume SMD to hermetically-sealed, metal-can TO, you are sure to find the correct component for your needs.With decades of experience in the field of semiconductor lasers and vertical integration, Excelitas is able to deliver the right product for various applications including range finding and LiDAR. In addition…
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Die gepulsten Xenon-Kurzbogenlampen von Excelitas sind die bevorzugten Lichtquellen für präzise Anwendungen in der klinischen und In-vitro-Diagnostik, im Bereich der Life Sciences und Umweltüberwachung, sowie im Einsatz bei analytischen Instrumenten und in der Spektralphotometrie. Kurzbogen-Xenon-Blitzlampen sind Blitzlampen mit uneingeschränktem Lichtbogen, die im Mikrosekundenbereich breitbandige Lichtimpulse mit hoher Strahlungsintensität erzeugen. Capable of operating at high repetition rates, these flashlamps generate light over a…
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Excelitas bietet eine breite Palette an Blitzlampen für verschiedene Anwendungen, darunter IPL, medizinische und industrielle Lasertechnik, Sonnensimulation und Bewitterung. Darüber hinaus finden diese einzigartigen Blitzlampenlösungen auch Verwendung in unseren kompletten Blitzlichtsystemen, etwa bei der schnellen thermischen Behandlung oder der Desinfektion. Utilizing our unique design know-how and manufacturing capabilities obtained from decades of combined flashlamp experience, we work with our customers to develop the best…
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Die VTE3322LAH ist eine 940-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) in einem T-1 (3 mm)-Kunststoffgehäuse mit integrierter Linse. Sie liefert eine Ausgangsleistung von 1,5 mW mit einem engen Abstrahlwinkel von ±10°.
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Die VTE1013H ist eine 940-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) in einem hermetisch abgedichteten T-46-Gehäuse. Diese IRED liefert eine Ausgangsleistung von 30 mW und einen weiten Abstrahlwinkel von ±35°.
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Die VTE1113H ist eine 940-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) in einem hermetisch abgedichteten TO-46-Kunststoffgehäuse mit integrierter Linse. Diese IRED liefert eine Ausgangsleistung von 30 mW mit einem schmalen Abstrahlwinkel von ±10°.
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Die VTE1291W-2H ist eine 880-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) in einem T-1¾ (5 mm)-Kunststoffgehäuse. Diese IRED liefert eine Ausgangsleistung von 25 mW bei einem weiten Abstrahlwinkel von ±25° und ist UL-zertifiziert.
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Die VTE1291W-1H ist eine 880-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) in einem T-1 ¾ (5 mm)-Kunststoffgehäuse. Sie bietet eine Ausgangsleistung von 20 mW, einen breiten Abstrahlwinkel von ±25° und ist UL-zertifiziert.
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Die VTE3374LAH ist eine 880-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) in einem T-1 (3 mm)-Kunststoffgehäuse mit integrierter Linse. Sie liefert eine Ausgangsleistung von 5 mW mit einem schmalen Abstrahlwinkel von ±10°.
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Die VTE3372LAH ist eine 880-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) in einem T-1 (3 mm)-Kunststoffgehäuse mit integrierter Linse. Sie bietet über 3 mW Ausgangsleistung sowie einen schmalen Abstrahlwinkel von ±10°.
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Die VTE1163H ist eine 880-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) in einem hermetisch abgedichteten TO-46-Gehäuse mit integrierter Linse. Diese IRED liefert eine Ausgangsleistung von 110 mW und einen schmalen Abstrahlwinkel von ±10°.
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Die 880-nm-Infrarot-Leuchtdiode (IRED) bietet 80 mW Ausgangsleistung und einen breiten Abstrahlwinkel von ±35° in einem hermetisch abgedichteten TO-46-Gehäuse.
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IR-emittierende Dioden (IRED) sind Festkörper-Lichtquellen, deren Emissionspektrum im Nahinfrarotbereich bei Wellenlängen von 770 nm - 950 nm liegt. Die Emissionswellenlänge ist eng an der maximalen spektralen Empfindlichkeit von Silizium-basierten Photodioden und -Phototransistoren orientiert. Diese Produktlinie bietet eine umfassende Auswahl an Bauformen mit unterschiedlichen optischen Charakteristika und Ausgangsleistungen. Es stehen sowohl Gehäusetypen mit vertikaler und horizontalter Abstrahlcharakteristik sowie eine breite Palette von Emissionsstrahlprofilen (Abstrahlwinkel) zur Verfügung. These IREDs may be operated in either CW or pulsed operating modes.IREDs…
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Excelitas Technologies entwirft und fertigt leistungsstarke, individuell angepasste Stromversorgungen und Systeme für führende OEMs in verschiedenen Märkten: Medizin, Zahnmedizin, Halbleiter, industrielle Fertigung, Verteidigung, Luft- und Raumfahrt sowie Sicherheit und Schutz. Unser breit gefächertes Produktportfolio vereint modernste Technologien zur Leistungsumwandlung mit langjährig bewährten, praxisorientierten Designkonzepten
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Excelitas Technologies bietet eine umfangreiche Auswahl an Hochleistungselektronik, Leistungs- und Energetiktechnologien, um Ihre anspruchsvollsten photonischen Systeme anzutreiben. Unsere Elektronikgeräte und Energieversorgungen umfassen Kondensator-Ladegeräte, Funkenstreckenschalter und Transformatoren, Hochspannungs-Gleichstromversorgungen und Atomfrequenznormale. Unser Energetik-Portfolio umfasst sichere und feuerbereite elektronische Geräte, Sprengkörper, Zündsicherheitsvorrichtungen und Raketenmotor-Initiatoren.
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Excelitas Thermopile Sensors offer leading-edge, non-contact temperature measurement for applications in smart home, smart appliances, intelligent thermostats and HVAC control systems, and ear and forehead thermometers.Our Thermopile Detectors are typically Thermopiles with integrated Thermistor providing analog output in various packages. Sonderausführungen umfassen im Gehäuse eingebaute Linsen oder Reflektoren zur Verbesserung der Sensorleistung, ISOthermische Gehäusematerialien oder optische Schmalbandfilter. Our…
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Die pyroelektrischen Infrarot-Detektoren von Excelitas sind führend in der Bewegungserkennungstechnologie und bieten eine breite Palette von sowohl digitalen als auch analogen Detektorvarianten für eine Vielzahl von Anwendungen in Smart Home-, Smart City-, IoT-, Einbruchmelde- und Sicherheitssystemen. With Pyroelectrics available in Single-, Dual- and Quad-Element configurations we offer you a wider range of different sized infrared sensor surfaces, which directly translates to enhanced performance and…
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Excelitas CoolEYE™ IR-Arrays bieten hochmoderne, berührungslose Temperaturmessung für Anwendungen, bei denen eine feinere räumliche Temperaturauflösung erforderlich ist. Dies kann entweder mit einem schwenkenden Zeilen-Array mit 8 oder 16 Pixeln oder mit einem statischen 2-dimensionalen Array mit oft nur 4x4Pixeln erreicht werden. These sensors are well-suited for applications such as elevated skin temperature screening, presence and motion detection, room climate control, fire and overheat detection and much more.Our…
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Die VTP3410LAH ist eine Silizium-Photodiode mit optischer Blockung für sichtbares Licht, langem T1-Gehäuse mit Linse und erhöhter Empfindlichkeit im nahen IR-Spektralbereich. Diese Photodiode weist einen sehr hohen Shuntwiderstand, einen niedrigen Dunkelstrom sowie eine niedrige Sperrschichtkapazität auf.
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Die VTP1188SH ist eine großflächige Silizium-Photodiode auf einem Keramikträger mit einem Kunstoffgehäuse in Linsenform. Diese Photodiode bietet eine hohe Empfindlichkeit im sichtbaren und im nahen IR-Bereich, bei hohem Shuntwiderstand, niedrigem Dunkelstrom und geringer Sperrschichtkapazität.
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Die VTD31AAH ist eine Silizium-Photodiode auf Keramiksubstrat, die mit klarem Epoxidharz beschichtet ist und ein CLD31AA-Industrieäquivalent darstellt. Diese Photodiode bietet einen niedrigen Dunkelstrom, schnelle Reaktion und einen weiten Erfassungsbereich.